Вопросы для самопроверки.

1. Что такое напряжение отсечки?

2. Как изменяется ширина и длина канала в полевом транзисторе с p-nпереходом при изменении напряжения на затворе и стоке?

3. Что такое напряжение насыщения?

4.Почему при напряжении на стоке больше напряжения насыщения рост тока стока практически прекращается?

5. Нарисуйте и поясните зависимости I_C=f(U_С) при разныхU_ЗиI_C=f(U_З) при разныхU_С.

6. Назовите и дайте определение основным параметрам полевых транзисторов.

7. Как выбрать режим работы полевого транзистора?

8. Можно ли использовать полевой транзистор с р-nпереходом при разных полярностях напряжения на затворе?

9. Нарисуйте эквивалентную схему полевого транзистора для малого сигнала.

10. Какие причины вызывают уменьшение усиления усилительных каскадов на полевых транзисторах на высоких частотах?

11. Как изменится ширина и длина индуцируемого канала в МДП-транзисторе при изменении напряжения на затворе и стоке?

12. Что такое пороговое напряжение в МДП-транзисторе с индуцируемым каналом?

13. Что такое напряжение отсечки для МДП-транзистора с встроенным каналом?

14. Чем отличаются и в чём похожи полевые транзисторы с управляющим p-nпереходом и МДП-транзисторы?

15. Нарисуйте и поясните зависимости I_C=f(U_С) при разныхU_ЗиI_C=f(U_З) при разныхU_Сдля МДП-транзисторов с встроенными и индуцируемыми каналами.

16. Какие преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с биполярными?

17. Какие преимущества и недостатки полевых транзисторов с p-nпереходом по сравнению с МДП-транзисторами?

18. Где находят применение полевые и биполярные транзисторы?

19.Можно ли использовать МДП-транзисторы при напряжениях на затворе разной полярности?

Перечень использованных терминов и понятий

1. Металлы, диэлектрики, полупроводники.

2. Материалы: кристаллические, аморфные.

3. Монокристаллы, поликристаллы.

4. Полупроводники: собственные, примесные.

5. Примеси: донорные, акцепторные.

6. Носители заряда: электроны, дырки, основные, неосновные.

7. Зоны: проводимости, запрещенная, валентная

8. Функция Ферми-Дирака.

9. Уровни Ферми.

10. Электронно-дырочный (p-n) переход.

11. Состояние перехода: равновесное и неравновесное.

12. Генерация и рекомбинация носителей заряда.

13. Токи: диффузионные, дрейфовые, основных и неосновных носителей.

14. Смещение перехода в прямом и обратном направлении.

15. Температурный потенциал.

16. Диоды: выпрямительные, стабилитроны, варикапы.

17. Пробои диода: управляемые, неуправляемые, лавинные, туннельные.

18. Емкость p-nперехода.

19. Стабилизация напряжения.

14. Биполярный транзистор.

15. Типы биполярных транзисторов: n-p-n,p-n-p.

16. Области транзистора: эмиттерная, базовая, коллекторная.

17. Переходы транзистора: эмиттерный, коллекторный.

18. Коэффициенты: передачи эмиттерного тока, усиления базового тока.

19. Включение транзистора по схеме с общими: базой, эмиттером, коллектором.

20. Характеристики транзистора: входные, выходные.

21. Параметры транзистора: интегральные, дифференциальные.

22. Номинальный режим транзистора.

23. Сопротивления транзистора: переходов эмиттерного, коллекторного, области базы.

24. Ёмкость коллекторного перехода.

25. Эквивалентная схема замещения транзистора.

26. Транзисторы: полевые, канальные, униполярные.

27. Полевые транзисторы с p-nпереходом.

28. Структура металл-диэлектрик (окисел)-полупроводник МДП (МОП).

29. Области истока, стока, затвора, подложки, канала.

30. Каналы: объёмные, поверхностные, индуцируемые, встроенные.

31. Напряжения: отсечки, пороговое, насыщения.

32. Параметры полевого транзистора: крутизна, сопротивление канала, коэффициент усиления по напряжению.

33. Шумы транзистора.

34. Комплементарные КМОП транзисторы.