
- •Курс: наноматериалы в промышленности
- •Исторические этапы изучения поверхности и тонких покрытий.
- •Классификация
- •Основные параметры покрытий. Толщина.
- •Закономерности образования роста покрытий формируемых из газовой фазы
- •Стадии и механизмы роста покрытий при осаждения из газовой фазы
- •Нанесение покрытий методом химических транспортных реакций (хтр).
- •Кинетический диффузионный режим осаждения покрытия
- •Адгезионная прочность хтр
- •Pvd методы. Формирование алмазоподобные покрытий pvd методами
- •Методы нанесения алмазоподобные покрытий
- •Высокоскоростные магнетронные системы
- •Получение покрытий электродуговым нанесением в вакууме и реактивные методы.
- •Методы получения наноразмерных полимерных покрытий
- •1.Плазменно-химическая полимеризация
- •2.Полимеризация мономера
- •3.Диспергирование исходного материала из газовой фазы
- •Высокоскоростной термический нагрев полимера
- •Лазерное излучение
- •Электронно-лучевое воздействие
- •Наноиндентирование механических св-ва твёрдых тел и тонких покрытий
- •Принцип и техника
Нанесение покрытий методом химических транспортных реакций (хтр).
Метод ХТР входит в большую группу методов которая называется CVD методы (Chemical Vapor Deposition - Химические транспортные реакции).
Методом ХТР осаждают в основном из тугоплавких металлов (вольфрам, молибден, ниобий) которые получить другими методами получить трудно или невозможно
Суть метода:
В качестве исходного в-ва используется легколетучее хим соединение металлов например: карбонилы и галогениды металлов, имеют высокое давление паров, т.е. они испаряются и переносятся через газовую фазу, адсорбируются на поверхности материала изделия с последующим восстановлением или разложением при т-ре значительно ниже чем т-ра плавления металла. В результате на поверхности образуется металлическое покрытие.
Методом ХТР получают покрытия в твёрдом состоянии
Реакция разложения (или диссоциации).
MeГп
Ме(тв)
+nГ(газ)
Реакция восстановления (с водородом)
MeГп
n/2Н2
Ме(тв)
+nHГ(газ)
Реакция диспоропорционирования (изменение валентности)
n/mМеГп(пар) (n/m-1)Ме(тв) +МеГп(газ)
Преимущества этого метода ХТР является то, что удаётся значительно снизить температурный режим осаждения.
Рассмотрим основные стадии ХТР:
Подготовка технологического в-ва ( перевод в-ва в газовую фазу, и его очистка)
Подача газообразных реагирующих компонентов к поверхности изделия.
Адсорбция на поверхности реагирующих компонентов
Протекание реакции на поверхности.
Десорбция в газообразных продуктах реакции.
Кинетический диффузионный режим осаждения покрытия
При реализации кинетического режима выход продукта определяется скоростью протекания химических процессов и зависит от энергии активации соответствующей реакции.
В диффузионном режиме скорость реакции определяется скоростью подхода реагирующих компонентов. Крупнозернистая структура.
При низких температурах изделия реакция осаждения Ме происходит в кинетическом режиме, т.е. концентрация исходных компонент существенно не влияет на скорость роста покрытия, всё определяется скоростью самой реакции. В кинетическом режиме образуется обычно мелкозернистая структура, при повышении Т скорость реакции возрастает, соответственно возрастает скорость роста покрытия и режим переходит в диффузионный, т.е. скорость роста начинает завесить от скорости подачи газообразных продуктов к поверхности детали и процессов десорбции и отвода продуктов реакции от изделия.
При дальнейшем повышении температуры при водит к тому что выделение металла происходит не только на пов-ти подложки но и в объёме в этом случае реализуется в том числе и гомогенный режим химической реакции. Такой режим реакции нежелателен, приводит к увеличению скорости роста и приводит к нежелательной потери Ме. Температура влияет на скорость роста и структуру покрытия.
(Химическая реакция на поверхности гетерогенная реакция)
(Химическая реакция в объёме гомогенная реакция)
На скорость осаждения влияет:
Скорость подачи хим реагентов и скорость их отвода
Если мы повышаем скорость подачи, то у поверхности изделия повышается изделие паров, что вызывает увеличение плотности зародышей конденсируемой фазы, а это приводит к образованию сплошного слоя при меньшей эффективной толщине, при этом образуется покрытие с более дисперсной структурой. На структуру и скорость роста покрытия оказывают влияние адсорбированные на подложке слои, особенно это влияние оказывает на начальных стадиях, а именно образование зародышей. Происходит в следствии того, что изменяется энергия адсорбции и , а это приводит
Кроме того иногда атомы образующихся покрытий вступают химические связи, между атомами покрытия и атомами адсорбционного слоя.
Структура и следовательно св-ва покрытия зависит от из толщины. И как правило в методе ХТР слои непосредственно прилегающие к поверхности изделия состоят из ориентированных перпендикулярных поверхности структур (столбчатые структуры). С увеличением толщины покрытия такие ориентации кристаллических преобразований становятся менее выраженными.