51. Тиристор: вах при управлении по катоду, основные соотношения для токов.

Тиристор: ВАХ при управлении по катоду, основные соотношения для т Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, т. е. состояние низкой проводимости (тиристор заперт) и открытое состояние, т. е. состояние высокой проводимости токов. Тиристор имеет нелинейную вольтамперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала, если протекающий через тиристор ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.

52. Классификация и система обозначений тиристоров.

В соответствии с ГОСТ 10862-64 разработанным приборам присваи-иались обозначения типов из трех элементов. Первый элемент - буква или цифра, обозначающая исходный материал; К или 2 - кремний. Второй элемент - буква, указывающая вид прибора; Н - днни-сторы (диодные тиристоры); У - тринисторы (триодные тиристоры). Третий элемент - число, указывающее назначение или электрические свойства прибора; малой мощности - от 101 до 199; средней мощности - от 201 до 299; большой мощности - от 301 до 399. Обозначение типоиоминала определялось введением чотверюго эле-.иента - бука А, Б, В и т. д., указывающих разновилиостн нрнбэров из состава типа с определенным сочетанием основных параметров. Пример условных обозначений по ГОСТ 10862-64: КУ201А - кремниевый триодный тиристор средней мощности, с сочетанием параметров А. Начиная с 1973 года вновь разрабатываемым приборам присваивались обозначения в соответствии с ГОСТ 10862-72, состоящие также из четырех элементов. Первый элемент - буква или цифра, обозначающая материал; Г или 1 - германий или его соединения; К или 2 - кремний или его соединения; Л или 3 - соединения галлия. Второй элемент -- буква, указывающая класс прибора: Н -- тиристоры диодные; У - тиристоры триодные. Третий элемент число, указывающее назначение и качественные свойства приборов, а также порядковый номер разработки.

53. Основные достоинства оптоэлектронных приборов.

В ряде случаев управление током в цепи целесообразно осуществить при помощи полупроводникового прибора, в котором конструктивно объеденены источник и приёмник излучения – оптопара. Главным достоинством оптопар является отсутствие электронной связи между управляющей и управляемой цепями. Оптопары работают в качестве управляемых ключей, реле, коммутаторов и т.д.

54. Устройства отображения информации: назначение, классификация.

55. Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.

Принцип действия ВЛИ основан на использовании явления люминесценции, возникающей в катодолюминофорах при возбуждении их электронным пучком. В отличие от высоковольтной катодолюминесценции, используемой в ЭЛП, в ВЛИ имеет место низковольтная люминесценция. Этим устраняется один из главных недостатков ЭЛП — высокое ускоряющее напряжение. Вакуумные люминесцентные индикаторы выпускаются в цилиндрических и плоских баллонах. Первые бывают так одноразрядными, так и многоразрядными, вторые — только многоразрядными.

56. Устройство, принцип действия и область использования жидкокристаллических индикаторов (ЖКИ).

Для создания жидкокристаллических индикаторов используются так называемые нематические жидкие кристаллы, которые являются структурной разновидностью данного класса веществ. Материалом для них служат смеси органических соединений, молекулы которых формируются в упорядоченные решетки. Тонкий слой жидкокристаллического вещества (десятки микрон), помещенный, например, между двумя стеклянными пластинами, довольно хорошо пропускает свет. Однако толстые слои жидкости кристаллов (несколько миллиметров) практически непрозрачны. Существуют два принципа) работы жидкокристаллических индикаторов. Первый из них состоит в том, что при приложении электрического поля к тонкому слою жидкокристаллического вещества, заключенному между двумя стеклянными пластинками, происходит разрушение упорядоченной структуры жидких кристаллов, что вызывает диффузное рассеяние света в этой области. Другим принципом, используемым для создания жидкокристаллических индикаторов, является эффект вращения плоскости поляризации поляризованного света слоем жидких кристаллов, исчезающий под действием электрического поля.

При использовании многоразрядных индикаторов требуется большое число внешних соединений, необходимых для управления сегментов. Это заставляет прибегать к созданию мультиплексного управления.