
- •Предисловие
- •Нульмерные дефекты
- •Одномерные дефекты
- •Трехмерные дефекты
- •1.2. Среда кристаллизации
- •Строение воды и водных растворов *
- •Неводные растворители и растворы
- •Адсорбционный пограничный слой
- •Понятие о примеси и растворителе
- •1.3. Растворимость и движущая сила кристаллизации
- •Вещества, имеющего две полиморфные модификации.
- •1.4. Зарождение кристаллов
- •Гетерогенное зарождение
- •Влияние различных физико-химических факторов на образование зародышей
- •«Размножение» кристаллов
- •Химические закономерности, касающиеся размеров метастабильной области
- •1.5. Механизмы роста кристаллов
- •Нормальный механизм роста
- •Механизм роста трехмерными зародышами
- •1.6. Процесс объемной диффузии при росте кристалла
- •Диффузионные режимы
- •Связь формы кристалла с особенностями диффузионного поля
- •Диффузия и однородность кристалла
- •1.7. Роль сильно адсорбирующихся примесей при кристаллизации
- •Подготовка к выращиванию кристаллов
- •2.1. Сбор сведений, необходимых для выращивания кристаллов
- •2.2. Предварительное ознакомление с ростом кристаллов данного вещества
- •Способы (методы) и методики выращивания кристаллов
- •3.1. Основы классификации способов выращивания кристаллов
- •3.2. Кристаллизация при изменении температуры раствора
- •3.4. Кристаллизация при химической реакции в условиях встречной диффузии
- •3.5. Кристаллизация при рециркуляции растворителя
- •3.6. Кристаллизация при тепловой конвекции раствора
- •3.7. Кристаллизация при концентрационной конвекции раствора
- •3.8. Кристаллизация при вынужденной конвекции раствора
- •3.9. Выбор метода выращивания кристаллов
- •3.10. Пути управления качеством кристалла при его росте
- •I. Диффузионные дефекты
- •II. Адсорбционные дефекты
- •III. Абсорбционные дефекты
- •Приемы работы
- •4.1. Контроль качества и очистки исходных веществ
- •4.2. Приготовление раствора
- •4.3. Определение растворимости
- •4.4. Определение температуры насыщения раствора
- •По наблюдению за конвекционными потоками
- •По измерению электропроводности
- •4.5. Затравочные кристаллы и способы их получения
- •4.6. Кристаллоносцы и способы монтажа затравок
- •4.7. Обращение с выращенным кристаллом
- •4.8. Идентификация кристаллов
- •Техническое оснащение лаборатории
- •5.1. Помещение лаборатории
- •5.2. Оборудование общего назначения
- •5.3. Термостаты
- •5.4. Устройства для автоматического изменения температуры
- •5.5. Устройства для создания относительного движения кристалл — раствор
- •5.6. Приборы для фильтрования и фильтрация
- •5.7. Обработка кристаллов
- •5.8. Материалы, применяемые в кристаллизационной практике
- •1. Примеры веществ, кристаллы которых интересны для изучения некоторых типичных особенностей роста
- •Списки литературы общая к разным главам
- •К главе 1
- •Глава 1. Основные представления теории роста кристаллов из рас творов 5
- •Глава 2. Подготовка к выращиванию кристаллов 62
- •Глава 3. Способы (методы) и методики выращивания кристаллов 70
- •Глава 4. Приемы работы 132
- •Глава 5. Техническое оснащение лаборатории 158
- •Томас Георгиевич Петров, Евгений Борисович Трейвус, Юрий Олегович Пунин, Алексей Прокопьевич Касаткин выращивание кристаллов из растворов
УДК 649.07
Выращивание кристаллов из растворов / Т. Г. Петров, Е. Б. Трейвус, Ю. О. Пунин, А. П. Касаткин —2-е изд., перераб. и доп.— Л.: Недра, 1983. — 200 с.
Изложены методы выращивания кристаллов из растворов при атмосферном давлении и умеренной температуре (до 100° С), наиболее доступные и часто применяющиеся в лабораторных условиях. Описаны техническое оснащение кристаллизационной лаборатории, приемы работ, меры борьбы с неоднородно-стями, возникающими в кристаллах при их росте, подбор оптимальных условий для выращивания и т. д. Второе издание (1-е изд.— 1967) значительно переработано и дополнено новыми материалами как по теории роста кристаллов, так и по методам их выращивания.
Для кристаллографов, минералогов, физиков и химиков, связанных с выращиванием и изучением кристаллов. Для всех тех, кто занимается или начинает заниматься выращиванием кристаллов с целью изучения самих кристаллов или процессов их образования.
Табл. 2, ил. 71, список лит. 76 назв.
Авторы: Т. Г. Петров, Е. Б. Трейвус, Ю. О. Пунин, А. П. Касаткин
Рецензент — канд. геол.-минерал. наук В. Н. Войцеховский (ГОИ)
1904020000—315 RQ CQ
043(0П—83 69""~83 ©
Издательство «Недра»,
1983
Предисловие
Предыдущее издание этой книги* вышло 15 лет назад. С тех пор углубилось наше понимание процесса роста кристаллов, появились новые методические разработки, новые приемы работы и т. д. Расширился круг лиц, интересующихся ростом кристаллов. Других книг, которые могли бы быть сопоставлены по тематике с упомянутой, за прошедшие годы не появилось в отечественной и, насколько нам известно, в мировой литературе. Поэтому назрела необходимость в издании новой книги на ту же тему, в переработанном и расширенном виде. Задачи, которые ставили перед собой авторы в предыдущем издании, остались теми же:
а) изложить основы представлений о процессе роста кристаллов в объеме, необходимом для достаточно сознательного выращивания кристаллов из растворов;
б) дать рекомендации по выбору рациональной методики выращивания, конструкций кристаллизационных установок и эффективных приемов работы;
в) описать меры борьбы с неоднородностями кристаллов, возникающими при росте, и другими «капризами» растущих кристаллов.
Предлагаемая книга представляет собой пособие по выращиванию кристаллов из растворов при атмосферном давлении и умеренной температуре (до 100°С). Выращивание кристаллов из растворов при указанных условиях наиболее доступно и часто применяется в лабораторных условиях. Оно незаменимо при получении тех кристаллических разновидностей данного вещества, которые не кристаллизуются из расплава (переходят в другие разновидности данного химического соединения раньше его температуры плавления), а также для получения кристаллов тех веществ, которые плавятся с разложением (инконгруэнтно).
Описываемые методы предназначены в основном для выращивания небольших, от долей миллиметра до 3—5 см, кристаллов, необходимых и достаточных для исследования их формы, физических свойств, особенностей их роста, строения и т. д. Эти же способы обычно служат основой для создания на их базе методик выращивания крупных промышленных кристаллов.
Петров Т. Г., Трейвус Е. Б., Касаткин А. П. Выращивание кристаллов из растворов. «П., Недра, 1967.
3
1*
Авторы излагают преимущественно свой опыт работы. Они остерегались описывать известные из литературы, но не апробированные ими приемы и методы. С этим связаны и известная пристрастность авторов, и различия в отношении детальности описания приемов и методов. Авторы полагают, что главное — понимать основы механизма роста и знать какую-то совокупность более или менее устоявшихся приемов работы. Вдумчивый работник всегда найдет новые, более удобные для него варианты постановки опыта.
Книга рассчитана на широкий круг читателей. Она предназначена физикам и химикам, которым приходится выращивать небольшие кристаллы для лабораторных исследований. Знакомство с ней полезно и тем, кто, исследуя свойства кристаллов, не получает их сам. В этом случае книга может дать представление о том, как дефектность кристалла, от которой в существенной степени зависят его свойства, связана с условиями выращивания. Книга предназначается также для геологов-экспериментаторов, как минералогов, так и петрологов, которые интересуются ростом кристаллов и которые пытаются экспериментальным путем найти ответы на вопросы, возникающие у них при изучении природных кристаллов. Книга может быть полезна работникам соответствующих специализированных кристаллизационных лабораторий и заводским работникам по синтезу монокристаллов. Книга может также помочь химикам-технологам, занимающимся так называемой массовой (самопроизвольной, спонтанной) кристаллизацией, для лучшего понимания этого процесса. Круг таких специалистов довольно широк, так как массовая кристаллизация осуществляется в заводских масштабах, будучи непременным технологическим этапом при производстве реактивов, кристаллических удобрений, лекарственных препаратов и т. п.
Наконец, книга может служить пособием для студенческого практикума, который проводится в некоторых вузах разного профиля. Книга пригодна также для учителей и школьников старших классов, желающих ознакомиться с кристаллизацией.
Хотя в книге рассматривается сравнительно узкая область условий выращивания кристаллов, она может быть интересна и для специалистов, занимающихся выращиванием кристаллов из раствора в расплаве, гидротермальными методами и т. д., поскольку общие принципы выращивания из сложных по составу сред — растворов одинаковы для разных термодинамических условий и разных сред.
Заметим, что желание сделать книгу доступной более широкому кругу читателей привело к тому, что иногда в ней разъясняются элементарные для специалиста явления, понятия, а с другой стороны, содержатся ссылки на работы, которые могут быть интересны только для специального изучения данной частной проблемы.
Замечания и пожелания просим присылать по адресу: 199164, Ленинград, Университетская наб., д. 7/9, Ленинградский государственный университет, НИИ земной коры.
4
1
ГЛАВА
ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ
ТЕОРИИ РОСТА КРИСТАЛЛОВ
ИЗ РАСТВОРОВ
1.1. СТРОЕНИЕ РЕАЛЬНОГО КРИСТАЛЛА
Все реальные кристаллы — и получаемые в лаборатории, и природные — всегда содержат дефекты, т. е. те или иные отклонения от идеального строения и формы. Поэтому, отсылая читателя за сведениями об идеальных кристаллах к учебникам по кристаллографии *, обратимся к их дефектам — тому, что является, с одной стороны, обычной помехой при использовании кристаллов, а с другой — свидетельством об особенностях их роста.
Размерность элемента структуры кристалла принимают за нулевую и выделяют следующие типы дефектов: нульмерные, одномерные, двумерные, трехмерные [Современная кристаллография, т. 2, 1979].