
- •Теорія зварювальних процесів
- •1 Джерела енергії при зварюванні
- •1.1 Агрегатний стан речовини
- •1.2 Будова атому
- •1.3 Елементарні зв’язки в твердих тілах
- •1.4 Фізико-хімічні основи утворення зварного з’єднання
- •1.5 Особливості протікання стадій при різних способах
- •1.6 Термодинамічне визначення процесу зварювання
- •1.7 Типовий баланс енергії процесу зварювання
- •1.8 Класифікація процесів зварювання
- •1.9 Оцінка енергетичної ефективності зварювальних
- •1.10 Вимоги до зварювальних джерел нагріву
- •2 Теорія дугового розряду
- •2.1 Види провідності
- •2.2 Види розрядів у газі
- •2.3 Способи збудження дугового розряду
- •2.4 Будова дугового розряду
- •2.5 Схема переносу заряду у дузі
- •2.6 Вольт–амперна характеристика дугового розряду
- •2.7 Елементарні процеси у плазмі дугового розряду
- •2.8 Елементи термодинаміки плазми
- •2.9 Явища переносу в плазмі дугового розряду
- •2.10 Емісійні процеси в плазмі дугового розряду
- •2.11 Вплив неоднорідності катода на емісійні процеси
- •2.12 Перехідні області зварювальних дуг
- •2.13 Плазмові струмені в дузі
- •2.14 Магнітогідродинаміка зварювальної дуги
- •2.15 Перенос металу в дузі
- •2.16 Дуга змінного струму
- •2.17 Особливості дуг з плавким електродом
- •2.18 Зварювання неплавким електродом
- •2.19 Плазмові процеси
- •3 Термічні недугові джерела енергії
- •3.1 Електронно–променевий нагрів
- •3.2 Фотонно–променевий нагрів
- •3.3 Газове полум’я
- •3.4 Електрошлакове зварювання
1.9 Оцінка енергетичної ефективності зварювальних
джерел нагріву
Для цієї оцінки використовується два параметри:
—
питома енергія інструмента, яка вводиться
у виріб. Це та енергія, котра необхідна
для утворення одиничної площини зварного
шва. Вона характеризує густину енергії
в плямі нагріву. Чім менша
,
тим більша ефективність джерела нагріву.
— загальна питома енергія
зварювання.
, (1.7)
де
— питома енергія зварювання (рисунок
1.14);
— питома енергія на допоміжні операції.
Із зменшенням ефективність джерела нагріву збільшується.
Із зменшенням підвищується густина енергії, що вводиться в зону зварювання, тобто збільшується проникаюча здібність інструмента.
На рисунку 1.20 відображається зміна параметрів для однопрохідного зварювання різними методами.
Рисунок 1.20 — Порядок величин питомої енергії і (Джмм-2)
необхідної для однопрохідного зварювання сталі
різними методами
1.10 Вимоги до зварювальних джерел нагріву
До зварювальних джерел нагріву пред’являють наступні вимоги:
1. Технічна придатність джерела нагріву.
2. Надійність і якість зварного шва.
3. Мінімальне значення питомої енергії інструмента .
4. Мінімальне значення .
5. Мінімальна шкідливість зварювальних робіт.
6. Мінімальна вартість зварювальних робіт.
7. Максимальна продуктивність праці.
8. Простота обслуговування і надійність джерела нагріву.
9. Доступність джерела нагріву.
Всі ці вимоги треба аналізувати у взаємозв’язку.
Докладніше по пунктам 1.5 - 1.10 дивись [13, 14].
2 Теорія дугового розряду
2.1 Види провідності
Розрізняють такі види провідності:
1. Електронна — в провідниках.
2. Електронно–діркова — в напівпровідниках.
3. Іонна — в твердих діелектриках і рідких електролітах.
4. Електронно–іонна — в газах.
Провідність в твердих тілах пояснюється на основі зонною теорії провідності. Розрізняють наступні зони: валентна, заборонена, провідності. Розподіл електронів провідності в твердому тілі підкоряється статистиці Фермі—Дірака. У провідниках, діелектриках та напівпровідниках є так званий рівень Фермі.
Рівень Фермі — найвищий енергетичний рівень, зайнятий електронами при 0 К. Від нього відраховується робота виходу електронів.
Провідники. Якщо порівняти провідники з діелектриками або напівпровідниками, то ми побачимо, що у провідників валентна зона заповнюється не повністю (рисунок 2.1, а) чи зона провідності накладається з валентною зоною (рисунок 2.1, б), а валентна зона напівпровідників та діелектриків заповнена повністю (рисунок 2.3).
а — валентна зона заповнена не повністю;
б — зона провідності накладається з валентною зоною;
В.З. — валентна зона; З.З. — заборонена зона;
З.П. — зона провідності
Рисунок 2.1 — Схема енергетичних зон для електронів в провідниках
Питомий електричний опір у провідників =10–4 – 10–2 Омм. Якщо температура підвищується, то провідність зменшується. Кількість носіїв заряду не залежить від величини струму, тому провідність (опір) металу при даній температурі є величина постійна, і залежність між струмом та напругою підкоряється закону Ома (рисунок 2.2).
Рисунок 2.2 — Вольт–амперна характеристика металевого провідника
Діелектрики.
Діелектрики і напівпровідники в чистому
вигляді, тобто без домішок, не здатні
проводити електричний струм. Вони мають
однакову будову енергетичних зон.
Різниця тільки в ширині забороненої
зони: для напівпровідників —
еВ; для діелектриків —
еВ (рисунок 2.3).
Рисунок 2.3 — Схема енергетичних зон для електронів в
діелектриках та напівпровідниках
Провідність в діелектриках утворюється за рахунок домішок. Це оксиди калію (K2O), літію (Lі2O), натрію (Na2O) та інші, які під впливом температури та прикладеного електричного потенціалу розщеплюються на іони, і провідність здійснюють лужні катіони. Питомий електричний опір в них =108 – 1016 Омм. На рисунку 2.4 зображений графік залежності провідності від температури, з якого видно, що чим вища температура, тим більша провідність.
Рисунок 2.4 — Графік залежності провідності від
температури для діелектрика
На ділянці 1–2 (рисунок 2.4) — домішкова провідність, а на 2–3 — власна провідність (в провідності починають брати участь іони, а при великій температурі і електрони діелектрика).
Сумарний електричний струм діелектрика
, (2.1)
де
— поверхневий
електричний струм;
— об’ємний
електричний струм.
, (2.2)
де
— крізний електричний струм;
— електричний струм абсорбції, тобто
струм, викликаний
поляризацією діелектрика.
Для діелектриків закон Ома не виконується, тому що кількість носіїв заряду не постійна в залежності від величини струму.
Напівпровідники. Для забезпечення провідності в напівпровідники вводять донорну або акцепторну домішку (рисунок 2.5).
а — донорні домішки; б — акцепторні домішки;
— енергія активації донорів;
— енергія активації акцепторів;
~
0.05 еВ
Рисунок 2.5 — Схема енергетичних зон для електронів в
напівпровідниках з домішками
При донорній провідності (n-типа) валентність домішкових атомів більша, а при акцепторній (р-типа) менша ніж у основних. Питомий електричний опір напівпровідників = 10–2 – 107 Омм.
На графіку залежності напруги від електричного струму можна виділити дві ділянки (рисунок 2.6).
Рисунок 2.6 — Вольт–амперна характеристика для напівпровідників
На ділянці 1–2 справедливий закон Ома, тому що кількість носіїв заряду не залежить від величини струму, а на ділянці 2–3 закон Ома не виконується тому, що не вистачає носіїв струму і електричний опір стає непостійним. З графіка (рисунок 2.7) видно, що провідність напівпровідника з підвищенням температури збільшується.
а — велика концентрація домішок;
б — мала концентрація домішок;
ділянка 0-1 — домішкова провідність;
ділянка 1-2 — впливає збільшення амплітуди коливань іонів;
ділянка 2-3 — власна провідність
Рисунок 2.7 — Графік залежності провідності від
температури для напівпровідників
Провідність газу. Провідність газу залежить від температури та напруженості електричного поля E, яке може бути:
сильним — сотні – тисячі кВсм-1 (для зварювання в електричному полі);
слабким — десятки кВсм-1 (майже для всіх видів зварювання).
З підвищенням температури та напруженості електричного поля провідність газу збільшується.
За електричною міцністю гази розташовуються:
1) елегаз (7,2 МВм-1);
2) азот (3 МВм-1);
3) повітря (3 МВм-1);
4) вуглекислий газ (2,7 МВм-1);
5) водень (1,8 МВм-1).
Для газів характерна іонно–електронна провідність. Носії зарядів у газі утворюються шляхом іонізації частинок газу. Під дією зовнішніх джерел енергії частинки газу перетворюються на іони, які рухаються в електричному полі, утворюючі електричний струм густиною
, (2.3)
де j — густина струму в газі;
n — кількість заряджених частинок (електронів і іонів);
e — заряд електрона;
e і — заряд іона;
Vі— швидкість електрона і іона.
Vе >> Vі, тому приймають
. (2.4)
Рідкі електроліти. Рідкі електроліти представляють собою розчини яких–небудь речовин у воді або розплав солей, сульфідів, оксидів та інші.
В електролітах проявляється в основному іонна провідність. Іони непов’язані у вузлах кристалічної гратки, як це має місце в твердих тілах, тому вони мають велику рухливість в електричному полі і приймають участь в переносі електричного струму. Провідність електроліту залежить від:
1) його природи;
2) концентрації;
3) коефіцієнта активності іонів;
4) величини електричного потенціалу;
5) температури.
Провідність електролітів підкоряється закону Ома в широких межах, але порушується навколо електродів в результаті розрядки іонів. В цих зонах порушується лінійність у падінні потенціалу та створюється анодне і катодне падіння потенціалу.