Вариант №21

1. Что такое компенсированный полупроводник? Проводимость какого полупроводника больше: собственного или компенсированного?

В полупроводнике, в котором содержатся и донорные и акцепторные примеси при условии, что все они ионизованы, найти концентрации электронов n₀ и дырок p₀, выразив их через концентрации донорных и акцепторных примесей N_d и N_a и через концентрацию собственных носителей n_i. Принять, что N_d > N_a. Укажите тип проводимости данного полупроводника.

2. Покажите, что полная емкость диода равна сумме его диффузионной и барьерной емкостей. Объясните, чем ограничен рабочий интервал напряжений варикапов. Изобразите график зависимости емкости диода от напряжения.

3. Объясните механизм пробоя биполярного транзистора в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. Зависит ли напряжение пробоя от входного тока (тока эмиттера в схеме с общей базой и тока базы в схеме с общим эмиттером). Как влияет сопротивление в цепи базы на напряжение пробоя транзистора? Как соотносятся между собой напряжение пробоя транзистора для двух режимов: I_э = 0 и U_эб = 0?

Вариант №22

1. Построить зависимость уровня Ферми от концентрации акцепторов в германии относительно вершины валентной зоны при температуре Т = 300 К для следующих значений концентрации атомов в 1 см³: 10¹⁴, 10¹⁵, 10¹⁶, 10¹⁷, 10¹⁸.

При какой концентрации примеси уровень Ферми совпадет с вершиной валентной зоны?

2. Изобразите эквивалентную схему диода для малого сигнала. Объясните физическую природу каждого элемента эквивалентной схемы. Какие элементы эквивалентной схемы можно исключить при обратном смещении диода? Какие элементы эквивалентной схемы можно исключить при работе диода на низких частотах?

3. Изобразите простейшую Т-образную эквивалентную схему биполярного транзистора для схемы с общей базой для низкочастотного и высокочастотного сигналов. В чем состоит различие этих эквивалентных схем?