
- •1. Электропроводность п/п.
- •3. Прямое и обратное смещение p-n перехода.
- •4. Вольтамперная характеристика.
- •5. Основные параметры p-n перехода.
- •6. Пробой p-n перехода.
- •7. Методы изготовления p-n перехода.
- •8. Выпрямительный диод.
- •9. Стабилитрон.
- •10. Варикап.
- •11. Туннельный диод. Обращенный диод.
- •12. Контакт металл-п/п. Диод Шоттки.
- •13. Классификация транзисторов.
- •14. Устройство транзистора.
- •15. Принцип действия транзистора.
- •16. Токи в транзисторе.
- •17. Модуляция базы.
- •18. Схема включения транзистора с об, оэ и ок.
- •19. Основные параметры транзисторов: а) физические; б) h-параметры.
- •20. Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.
- •21. Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).
- •22. Униполярные транзисторы с управляющим p-n переходом.
- •23. Униполярные транзисторы с изолированным затвором.
- •24. Тиристор, Динистор.
- •25. Однопереходный транзистор.
- •26. Светодиод.
- •27. Фотодиод, вах.
- •28. Оптроны.
- •29. Особенности упт: причины дрейфа и способы его уменьшения.
- •30(31). Дифф. Усилитель. Режимы работы ду.
- •32. Дифф. Усилитель с гст.
- •33. Дифф. Усилитель с динам. Нагрузкой (с зеркалом токов).
- •3 4. Операц. Усилитель. Общие сведения.
- •35. Операц. Усилитель. Основные параметры.
- •36. Операц. Усилитель, структ. И принцип. Схемы.
- •37. Операц. Усилитель, внешние цепи.
- •38. Операц. Усилитель с отриц. Обратной связью.
- •3 9. Инвертирующий усилитель.
- •40. Неинвертирующий усилитель.
- •46. Триггер Шмидта.
- •47(48). Генераторы сигналов. Rc-генератор синусоид. Колебаний.
- •49. Мультивибратор.
- •5 0. Глин.
- •51. Основные логические операции и логические элементы.
- •54. Ттл с простым инвертором.
- •55. Ттл со сложным инвертором.
- •56(57). Эсл. Переключатель тока.
- •59(60). Схема не на мдп с (не)линейной нагрузкой.
- •61. Схема не на кмдп
- •62. Схема или-не на мдп и кмдп
- •63. Схема и-не на мдп и кмдп
- •64. Мультиплексор
- •65. Демультиплексор
- •66. Дешифратор
- •67. Шифратор
- •68. Триггеры классификация
- •69. Rs триггер
- •74. Регистр сдвига
- •75. Счетчики суммирующие.
- •76. Счетчики вычитающие.
- •77. Десятичный счетчик.
- •1. Электропроводность п/п
22. Униполярные транзисторы с управляющим p-n переходом.
В
транзисторе проводящий канал изолирован
от затвора p-n
переходами, смещенными в обратном
направлении. По каналу между электродами
стока и истока протекает ток основных
носителей. Истоком (И) называется
электрод, от которого начинают движение
(истекают) основные носители заряда в
канале. Электрод, к которому движутся
(стекают) носители заряда, называется
стоком (С). Управляющее напряжение
прикладывается к третьему электроду
– затвору (З). Принцип работы транзистора
с управляющим р-п переходом основан
на изменении сопротивления канала за
счет изменения под действием обратного
напряжения ширины области р-п
перехода, обедненной носителями заряда.
При увеличении
Uзи
увеличивается р-п
переход в сторону канала, поперечное
сечение канала уменьшается, уменьшается
ток стока. При большом напряжении
затвора Uзи
канал смыкается, ток стремится к нулю.
Это напряжение Uзи
между затвором и истоком называется
напряжением отсечки Uзо.
Преимущества: высокое входное
сопротивление, малые шумы, простота
изготовления, отсутствие в открытом
состоянии остаточного напряжения между
стоком и истоком открытого транзистора.
23. Униполярные транзисторы с изолированным затвором.
Э
лектрод
затвора изолирован от п/п области канала
слоем диэлектрика. Эти транзисторы
имеют структуру металл-диэлектрик-полупроводник
(МДП-транзисторами). Сопротивление
канала изменяется за счет изменения
концентрации подвижных носителей в
поверхностном (подзатворном) слое п/п
под действием внешнего электрического
поля. Поле создается напряжением,
которое прикладывается к затвору.
Затвор – это металлический электрод,
который отделен от поверхности п/п
слоем тонкой диэлектрической пленки.
Наличие пленки позволяет подавать на
затвор либо положительное, либо
отрицательное напряжение. Ток через
затвор в обоих случаях отсутствует.
Транзисторы подразделяется на два
класса: а) со встроенным (проводящим)
каналом; б) с индуцированным (непроводящим)
каналом.
24. Тиристор, Динистор.
Т
иристор.
Прибор имеет
дополнительный вывод от управляющего
электрода, от n1
или
р2 – обычно от тонкой базы n1
(α ≈1). Поэтому возможно управление
моментом включения прибора. Достоинством
тиристора является возможность
управления моментом его включения.
Применяются тиристоры в импульсных
схемах, усилителях, генераторах,
выпрямителях и др. Обычные триодные
тиристоры не запираются с помощью
управляющей цепи, необходимо уменьшить
ток в тиристоре до тока удерживающего
или до тока выключения. Динистор.
На рисунке приведена структура динистора.
При увеличении U
до
Uвкл
на П2 развивается ударная ионизация и
лавинный пробой, образуются новые пары
носителей. Полем П2 электроны отбрасываются
в n1-базу,
а дырки в р2-базу. Концентрация основных
носителей в базах увеличивается.
Электроны в n1-базе,
подходя к левому ЭП ‑ П1, нейтрализуют
положительный заряд ионов, уменьшая
потенциальный барьер. Это увеличивает
поток дырок из р1 в n1,
затем через П2. Аналогичные процессы
происходят с правым П3
переходом.
Увеличивается поток электронов. Процесс
развивается лавинообразно.