16. Токи в транзисторе.

П о 1 з-ну Кирхгофа для транзистора ток эмиттера равен сумме тока базы и тока коллектора: I_э= I_б +I_к, где

I_э= I_эр +I_эрек +I_кн  – ток эмиттера;

I_б= I_эр +I_эрек -I_к0 – ток базы. Этот ток составляет не более 1% от тока эмиттера; I_к0 – тепловой ток коллекторного перехода. Ток коллектора равен I_к= I_к0+ I_кн , где I_кн= αI_э.

О тсюда I_к= αI_э+ I_к0. Таким образом, в схемах с транзистором имеются две цепи: входная, в которую включается источник усиливаемых колебаний, и выходная, в которую включается нагрузочное сопротивление. Ток эмиттера I_э здесь является управляющим током, ток коллектора I_к – управляемым, а ток базы I_б – их разностью.

17. Модуляция базы.

Модуляция толщины  базы w представляет собой зависимость толщины базы w от напряжения на коллекторе U_k, w=f(U_k). Так как ширина эмиттерного перехода мала, изменения U_эб не влияют на ее значение. Коллекторный же переход из-за обратного смещения большой и сосредоточен в базе. При изменении U_кб изменяется ширина коллекторного перехода и, следовательно, толщина базы w тоже.

18. Схема включения транзистора с об, оэ и ок.

В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим между источником сигнала на входе и выходной цепью транзистора, существуют три основные схемы включения транзистора в электрическую цепь: с общей базой (ОБ, а), с общим эмиттером (ОЭ, б), с общим коллектором (ОК, в).

19. Основные параметры транзисторов: а) физические; б) h-параметры.

Физические: входные и выходные характеристики транзистора. Дают полное описание основных параметров данного транзистора, включая K_I , K_U ,K_P ,R_BX ,R_BbIX и φ.

h-параметры: удобны для использования, т.к. при любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырехполюсника, на входе которого действует напряжение U₁ и протекает ток I₁, а на выходе – напряжение U₂ и ток I₂.

20. Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.

Парам.	ОЭ	ОБ	ОК
KI	β – 10-100 ед.	α<1, α 0,99	γ= β+1 10 – 100 ед.
KU	10-100 ед.	10 – 100 тыс.	К 1
KP	100-10 тыс. ед	10 – 100	10 – 100
RBX	100-1000 Ом	1 – 100 Ом	10 – 100 кОм
RBbIX	1-10 кОм	100 – 1000 кОм	100 Ом
φ	π	0	0

21. Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).

В ходная: зависимость входного тока I_б от напряжения U_бэ, I_б =f(U_бэ) при заданном напряжении U_кэ (а). При U_кэ =0 тепловой ток I_к0 в цепи коллектора отсутствует и зависимость I_б =f(U_бэ) соответствует ВАХ р-n–перехода,  включенного в прямом направлении. При U_кэ>0 в цепи коллектора появляется ток -I_к0, направленный навстречу току I_б. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток I_б= I_к0, приложив соответствующее напряжение U_бэ.

В ыходная: зависимость I_к = f(U_кэ) при заданном токе I_б (б). Если I_б=0, в цепи коллектора протекает только тепловой ток, т.к. в этом случае инжекция электронов из эмиттера в базу отсутствует. При U_кэ=0 ток в цепи коллектора не проходит, это объясняется тем, что напряжения U_бэ и U_кэ направлены встречно друг другу, т.е. потенциал коллектора выше потенциала базы, и коллекторный переход оказывается при этом закрыт.

Характеристики прямой передачи тока приведены на рисунке: а) кривые составляют значительно больший угол наклона; б) снижение времени жизни неосновных носителей в базе с ростом уровня инжекции; в) смещение характеристик в зависимости от U_кэ есть следствие модуляции ширины базы и соответственно роста тока коллектора при уменьшении .