59(60). Схема не на мдп с (не)линейной нагрузкой.

С хема инвертора на МДП. Транзистор VT₁ работает в ключевом режиме, VT₂ – всегда в активном. VT₂ является нелинейной нагрузкой. При запертом VT₁ транзистор VT₂ ‑ в активном режиме, ближе к насыщению, при насыщенном VT₁ транзистор VT₂ – в активном, ближе к отсечке. При подаче на вход х низкого уровня напряжения VT₁ запирается, VT₂ близок к насыщению, на выходе ключа высокий уровень напряжения. При подаче на вход х высокого уровня напряжения VT₁ отпирается, VT₂ близок к отсечке, на выходе ключа низкий уровень напряжения. Выполняется операция ;

61. Схема не на кмдп

При подаче на вход напряжения высокого уровня VT₁ открывается, а VT₂ закрывается. На выходе у станавливается напряжение низкого уровня. При подаче на вход напряжения низкого уровня VT₁ закрыт, а VT₂ открыт. Напряжение источника питания через открытый VT₂ подается на выход каскада — это напряжение высокого уровня. Т.о., данный ключевой каскад реализует логическую функцию НЕ.

62. Схема или-не на мдп и кмдп

а ) МДП, двухвходовой схеме ИЛИ-НЕ входные транзисторы VT₁ и VT₂ соединены параллельно. Если хотя бы на один из входов подан высокий уровень напряжения, соответствующий транзистор отпирается, и на выходе схемы будет низкий уровень. И только при подаче на все входы схемы низкого уровня транзисторы VT₁ и VT₂ запрутся, и на выходе появится высокий уровень. Выполняется операция ;

б ) КМДП, если на оба входа поданы сигналы низкого уровня, то транзисторы VT₃ и VT₄ будут открыты, так как имеют канал с проводимостью р-типа, а транзисторы VT₁ и VT₂ — закрыты, так как имеют канал с проводимостью n-типа. Таким образом, на выходе установится напряжение высокого уровня (логическая единица). При подаче напряжения высокого уровня хотя бы на один из входов соответствующий транзистор VT₃ или VT₄ закроется, т.е. ток через них не течет, а транзистор VT₁ или VT₂ соответственно откроется. На выходе установится напряжение низкого уровня (логический ноль). Видно, что данная схема реализует логическую функцию ИЛИ—НЕ.

63. Схема и-не на мдп и кмдп

а ) МДП, в двухвходовой схеме И-НЕ входные транзисторы VT₁ и VT₂ соединены последовательно. Если хотя бы на один из входов подан низкий уровень напряжения, соответствующий т ранзистор запирается, ток через входные транзисторы не течет, и на выходе схемы будет высокий уровень. И только при подаче на все входы схемы высокого уровня транзисторы VT₁ и VT₂ откроются, течет ток, и на выходе будет низкий уровень. Выполняется операция .

б ) Устройство базового элемента И—НЕ как бы обратно устройству элемента ИЛИ—НЕ: параллельно соединены транзисторы с каналами р-типа, а последовательно — с каналами п-типа (см. рисунок 3.19). Работа данной схемы абсолютно идентична работе элемента ИЛИ—НЕ с тем исключением, что напряжение низкого уровня на выходе устанавливается только при одновременной подаче на оба входа элемента напряжения высокого уровня, а во всех остальных случаях на выходе будет присутствовать напряжение высокого уровня.