
- •1. Электропроводность п/п.
- •3. Прямое и обратное смещение p-n перехода.
- •4. Вольтамперная характеристика.
- •5. Основные параметры p-n перехода.
- •6. Пробой p-n перехода.
- •7. Методы изготовления p-n перехода.
- •8. Выпрямительный диод.
- •9. Стабилитрон.
- •10. Варикап.
- •11. Туннельный диод. Обращенный диод.
- •12. Контакт металл-п/п. Диод Шоттки.
- •13. Классификация транзисторов.
- •14. Устройство транзистора.
- •15. Принцип действия транзистора.
- •16. Токи в транзисторе.
- •17. Модуляция базы.
- •18. Схема включения транзистора с об, оэ и ок.
- •19. Основные параметры транзисторов: а) физические; б) h-параметры.
- •20. Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.
- •21. Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).
- •22. Униполярные транзисторы с управляющим p-n переходом.
- •23. Униполярные транзисторы с изолированным затвором.
- •24. Тиристор, Динистор.
- •25. Однопереходный транзистор.
- •26. Светодиод.
- •27. Фотодиод, вах.
- •28. Оптроны.
- •29. Особенности упт: причины дрейфа и способы его уменьшения.
- •30(31). Дифф. Усилитель. Режимы работы ду.
- •32. Дифф. Усилитель с гст.
- •33. Дифф. Усилитель с динам. Нагрузкой (с зеркалом токов).
- •3 4. Операц. Усилитель. Общие сведения.
- •35. Операц. Усилитель. Основные параметры.
- •36. Операц. Усилитель, структ. И принцип. Схемы.
- •37. Операц. Усилитель, внешние цепи.
- •38. Операц. Усилитель с отриц. Обратной связью.
- •3 9. Инвертирующий усилитель.
- •40. Неинвертирующий усилитель.
- •46. Триггер Шмидта.
- •47(48). Генераторы сигналов. Rc-генератор синусоид. Колебаний.
- •49. Мультивибратор.
- •5 0. Глин.
- •51. Основные логические операции и логические элементы.
- •54. Ттл с простым инвертором.
- •55. Ттл со сложным инвертором.
- •56(57). Эсл. Переключатель тока.
- •59(60). Схема не на мдп с (не)линейной нагрузкой.
- •61. Схема не на кмдп
- •62. Схема или-не на мдп и кмдп
- •63. Схема и-не на мдп и кмдп
- •64. Мультиплексор
- •65. Демультиплексор
- •66. Дешифратор
- •67. Шифратор
- •68. Триггеры классификация
- •69. Rs триггер
- •74. Регистр сдвига
- •75. Счетчики суммирующие.
- •76. Счетчики вычитающие.
- •77. Десятичный счетчик.
- •1. Электропроводность п/п
51. Основные логические операции и логические элементы.
Элект. схемы, реализующие элементарные логические операции, называются логическими элементами (ЛЭ). Существуют 3 простейшие логические операции НЕ, ИЛИ, И:
а) операция НЕ
- логическое
отрицание, инверсия
(F
равно не А)
ЛЭ,
выполняющий операцию НЕ,
называется инвертором;
б) операция ИЛИ
‑ логическое
сложение, дизъюнкция. F=А
В,
либо F=А+В
(F
есть А
или В).
ЛЭ,
выполняющий операцию ИЛИ,
называется сборкой или дизъюнктором;
в) операция “И”-
логическое умножение или конъюнкция.
F=A
B
(F
есть А
и В);
F=A
B.
Логический элемент, выполняющий операцию
И,
называется схемой совпадения, или
конъюнктором.
Этот набор элементов И, НЕ, ИЛИ называется основным базисом или основной функционально полной системой элементов. Т.е. с помощью только этих элементов можно создать любую логическую схему.
54. Ттл с простым инвертором.
Это
интегральный прибор, объединяющий
функции диодных логических схем и
транзисторного усилителя. МЭТ
имеет
несколько эмиттеров, расположенных
так, что прямое взаимодействие между
ними исключается. Базовый элемент ТТЛ
так же, как и ДТЛ
выполняет логическую операцию И-НЕ.
При низком уровне сигнала (логический
0) хотя бы на одном из входов МЭТ
последний находится в состоянии
насыщения, а VT1
закрыт. На выходе схемы присутствует
высокий уровень напряжения (логическая
единица). При высоком уровне сигнала
на всех входах МЭТ
работает в активном инверсном режиме
(эмиттерный переход смещен в обратном
направлении, а коллекторный – в прямом),
VT1
находится в состоянии насыщения. На
выходе схемы низкий уровень сигнала,
т.е. ноль.
55. Ттл со сложным инвертором.
Е
сли
хотя бы на одном из входов низкий уровень
напряжения U0ВХ
эмиттерный переход МЭТ
отпирается и течет ток: от +ЕК,
через R1,
переход
база-эмиттер на землю. Коллекторный
переход МЭТ
смещен в обратном направлении (МЭТ
в активном режиме). Ток базы IБ1
= 0,
следовательно, транзистор VT1
запирается. На коллекторе VT1
высокий уровень напряжения UК1
= ЕК.
На эмиттере VT1
напряжение
UЭ1
= 0.
Транзистор VТ2
отпирается током через резистор R2.
Так как UБ3
= UЭ1
= 0,
то транзистор VT3
заперт и
UВЫХ=
U1ВЫХ.
Если же на всех входах ТТЛ
высокий уровень U1,
эмиттерные переходы МЭТ
запираются, потенциал базы увеличивается,
коллекторный переход МЭТ
смещается
в прямом направлении. МЭТ
работает в активно-инверсном режиме.
Транзисторы VТ1
и VТ3
открыты и насыщены. Транзистор VТ2
и диод VD
заперты. На
выходе ТТЛ
низкий уровень UВЫХ
= U0
= 0. Следовательно,
ТТЛ выполняет
операцию И-НЕ,
т.е. является элементом Шеффера.
56(57). Эсл. Переключатель тока.
О
собенность
ЭСЛ
заключается в том, что схема логического
элемента строится на основе интегрального
ДУ
в ключевом режиме (токовый ключ),
выполненный на двух транзисторах,
которые могут переключать ток и при
этом никогда не входят в режим насыщения.
На базу одного из
транзисторов, например, VTоп,
подано некоторое постоянное опорное
напряжение Uоп.
.
Изменение напряжения, подаваемого на
вход UВХ
ниже или выше Uоп,
приводит к перераспределению постоянного
тока эмиттера Iэ,
заданного токостабилизирующим резистором
Rэ, между транзисторами VT1
и VTоп.
При этом транзисторы не входят в режим
насыщения, и, следовательно, в ключе
принципиально отсутствует интервал
рассасывания их неосновных носителей.