23. Униполярные транзисторы с изолированным затвором.

Электрод затвора изолирован от п/п области канала слоем диэлектрика. Эти транзисторы имеют структуру металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторами). Сопротивление канала изменяется за счет изменения концентрации подвижных носителей в поверхностном (подзатворном) слое п/п под действием внешнего электрического поля. Поле создается напряжением, которое прикладывается к затвору. Затвор – это металлический электрод, который отделен от поверхности п/п слоем тонкой диэлектрической пленки. Наличие пленки позволяет подавать на затвор либо положительное, либо отрицательное напряжение. Ток через затвор в обоих случаях отсутствует. Транзисторы подразделяется на два класса: а) со встроенным (проводящим) каналом; б) с индуцированным (непроводящим) каналом.

24. Тиристор, Динистор.

Т иристор. Прибор имеет дополнительный вывод от управляющего электрода, от n1 или р2 – обычно от тонкой базы n1 (α ≈1). Поэтому возможно управление моментом включения прибора. Достоинством тиристора является возможность управления моментом его включения. Применяются тиристоры в импульсных схемах, усилителях, генераторах, выпрямителях и др. Обычные триодные тиристоры не запираются с помощью управляющей цепи, необходимо уменьшить ток в тиристоре до тока удерживающего или до тока выключения. Динистор. На рисунке приведена структура динистора. При увеличении U до Uвкл на П2 развивается ударная ионизация и лавинный пробой, образуются новые пары носителей. Полем П2 электроны отбрасываются в n1-базу, а дырки в р2-базу. Концентрация основных носителей в базах увеличивается. Электроны в n1-базе, подходя к левому ЭП ‑ П1, нейтрализуют положительный заряд ионов, уменьшая потенциальный барьер. Это увеличивает поток дырок из р1 в n1, затем через П2. Аналогичные процессы происходят с правым П3 переходом. Увеличивается поток электронов. Процесс развивается лавинообразно.

25. Однопереходный транзистор.

Однопереходный транзистор ‑ это п/п прибор с одним р-n переходом и тремя выводами. Также называется двухбазовым диодом, т.к. он имеет один р-n переход и два базовых вывода, но это менее точное название. Представляет собой кристалл n-типа (база), в котором создается эмиттерная область р-типа. Однопереходный транзистор напоминает по структуре полевой транзистор с управляющим p-n переходом, но принцип действия другой. Здесь база не является каналом, меняющим свое сопротивление за счет изменения площади поперечного сечения.

26. Светодиод.

Светодиоды – пучки тончайших нитей из прозрачного стекла, по которым свет распространяется, в рез-те многократного внутреннего отражения от стенок. Через стекловолокно толщиной примерно несколько микрон может быть передано более ста оптических сигналов с незначительными потерями. Если волокна изготовлены с примесью определенных химических элементов, то они могут усиливать световой сигнал.

Основные хар-ки светодиодов: а) диаграмма направленности – определяется конструкцией и оптическими св-вами материала; б) спектральная хар-ка – завис. яркости от длины волны; в) яркостная хар-ка – завис. яркости от тока диода; г) ВАХ.