19. Основные параметры транзисторов: а) физические; б) h-параметры.

Физические: входные и выходные характеристики транзистора. Дают полное описание основных параметров данного транзистора, включая K_I , K_U ,K_P ,R_BX ,R_BbIX и φ.

h-параметры: удобны для использования, т.к. при любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырехполюсника, на входе которого действует напряжение U₁ и протекает ток I₁, а на выходе – напряжение U₂ и ток I₂.

20. Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.

Параметры	ОЭ	ОБ	ОК
KI	β – 10-100 ед.	α<1, α 0,99	γ= β+1 10 – 100 ед.
KU	10-100 ед.	10 – 100 тыс.	К 1
KP	100-10 тыс. ед	10 – 100	10 – 100
RBX	100-1000 Ом	1 – 100 Ом	10 – 100 кОм
RBbIX	1-10 кОм	100 – 1000 кОм	100 Ом
φ	π	0	0

21. Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).

В ходная: зависимость входного тока I_б от напряжения U_бэ, I_б =f(U_бэ) при заданном напряжении U_кэ (а). При U_кэ =0 тепловой ток I_к0 в цепи коллектора отсутствует и зависимость I_б =f(U_бэ) соответствует ВАХ р-n–перехода,  включенного в прямом направлении. При U_кэ>0 в цепи коллектора появляется ток -I_к0, направленный навстречу току I_б. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток I_б= I_к0, приложив соответствующее напряжение U_бэ.

В ыходная: зависимость I_к = f(U_кэ) при заданном токе I_б (б). Если I_б=0, в цепи коллектора протекает только тепловой ток, т.к. в этом случае инжекция электронов из эмиттера в базу отсутствует. При U_кэ=0 ток в цепи коллектора не проходит, это объясняется тем, что напряжения U_бэ и U_кэ направлены встречно друг другу, т.е. потенциал коллектора выше потенциала базы, и коллекторный переход оказывается при этом закрыт.

Х арактеристики прямой передачи тока приведены на рисунке:

а) кривые составляют значительно больший угол наклона; б) снижение времени жизни неосновных носителей в базе с ростом уровня инжекции; в) смещение характеристик в зависимости от U_кэ есть следствие модуляции ширины базы и соответственно роста тока коллектора при уменьшении .

22. Униполярные транзисторы с управляющим p-n переходом.

В транзисторе проводящий канал изолирован от затвора p-n переходами, смещенными в обратном направлении. По каналу между электродами стока и истока протекает ток основных носителей. Истоком (И)  называется электрод, от которого начинают движение (истекают) основные носители заряда в канале. Электрод, к которому движутся (стекают) носители заряда, называется стоком (С). Управляющее напряжение прикладывается к третьему электроду – затвору (З). Принцип работы транзистора с управляющим р-п  переходом основан на изменении сопротивления канала за счет изменения под действием обратного напряжения ширины области р-п  перехода, обедненной носителями заряда. При увеличении U_зи увеличивается р-п переход в сторону канала, поперечное сечение канала уменьшается, уменьшается ток стока. При большом напряжении затвора U_зи канал смыкается, ток стремится к нулю. Это напряжение U_зи между затвором и истоком называется напряжением отсечки U_зо. Преимущества: высокое входное сопротивление, малые шумы, простота изготовления, отсутствие в открытом состоянии остаточного напряжения между стоком и истоком открытого транзистора.