9. Стабилитрон.

Стабилитроны − это кремниевые плоскостные диоды с нормированным напряжением пробоя и резким возрастанием обратного тока в точке пробоя. Напряжение на нем сохраняется с определенной точностью при изменении проходящего через него тока в заданном диапазоне. Принцип действия диода основан на использовании лавинного пробоя. За счет высокой концентрации примесей и узкого перехода лавинный пробой наступает при низких обратных напряжениях. Т.к. рассеиваемая мощность мала, лавинный пробой не переходит в тепловой.

П ри увеличении Е линия нагрузки сдвинется параллельно влево, рабочая точка (точка пересечения линии нагрузки с ВАХ) смещается вниз, т.е. ток через стабилитрон увеличится. Излишек напряжения падает на балластном сопротивлении R_б, а напряжение на стабилитроне и, следовательно, на нагрузке останется тем же.

Для стабилизации низких напряжений до 1 В используется прямая ветвь ВАХ кремниевого диода, называемого стабистором.

10. Варикап.

П ринцип действия варикапа основан на зависимости барьерной емкости р-n перехода от приложенного обратного напряжения. Варикап представляет собой управляемую емкость. Варикапы также называются параметрическими диодами и варакторами. Ёмкость варикапа обратно пропорциональна приложенному обратному напряжению. Варикапы изгот. из кремния и используются в кач-ве элементов с электрически управляемой ёмкостью.

11. Туннельный диод. Обращенный диод.

Туннельные диоды. В основу работы положен туннельный эффект. Диод построен на основе вырожденных п/п. Концентрация примесей 10²¹ см^-3, поэтому диод имеет очень узкий р-n переход.

В АХ имеет участок отрицательного сопротивления (аб). Туннельный эффект имеет место при обратном и небольшом прямом напряжениях, пока дно зоны проводимости ниже потолка валентной зоны (участок г0аб). На участке бв – диффузия. Туннельные диоды изготавливаются из германия, кремния и арсенида галлия. Применяются для усиления, генерации, преобразования сигнала.

О бращенные диоды. Обращенные диоды – это диоды с концентрацией примесей (10¹⁹см^-3) меньше, чем у туннельных. Энергетические уровни не перекрываются, уровень Ферми совпадает с потолком валентной зоны р-области и дном зоны проводимости n-области, и туннельный эффект сохраняется только при обратном напряжении. В ВАХ на участке 0г имеет место туннельный эффект, а на участке 0бв – диффузия.

Используются диоды в схемах для индикации и детектирования слабых сигналов, в переключательных схемах, детекторах.

12. Контакт металл-п/п. Диод Шоттки.

В основе работы диода Шоттки используется выпрямляющий контакт, металл-п/п, который изготавливается из качественного кремния с молибденом, нихромом, золотом, платиной или алюминием. Диод Шоттки работает на основных носителях, отсутствует инжекция неосновных носителей, диффузионная емкость около нуля, выше быстродействие, так как оно определяется только барьерной емкостью. Эти особенности определяют эффективность применения диодов Шоттки в высокочастотных аналоговых и цифровых схемах.

13. Классификация транзисторов.

Транзисторами называются п/п приборы, способные усиливать электрическую мощность, имеющие три или более выводов, один или более p-n переходов. Они предназначены для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. В зависимости от того, носители одного или обоих типов участвуют в образовании тока, различают униполярные и биполярные транзисторы соответственно. Классификация транзисторов:

а) по устройству и принципу действия;

б) по максимально допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе:

– малой мощности – менее 0,3 Вт;

– средней мощности – 0,3…3 Вт;

– большой мощности – более 3 Вт;

в) по граничной частоте в каждой из указанных групп по мощности:

– низкочастотные – менее 3 МГц;

– среднечастотные – 3…30 МГц;

– высокочастотные – 30…300 МГц;

– сверхвысокочастотные– более 300 МГц;