54. Ттл с простым инвертором.

Это интегральный прибор, объединяющий функции диодных логических схем и транзисторного усилителя. МЭТ имеет несколько эмиттеров, расположенных так, что прямое взаимодействие между ними исключается. Базовый элемент ТТЛ так же, как и ДТЛ выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала (логический 0) хотя бы на одном из входов МЭТ последний находится в состоянии насыщения, а VT₁ закрыт. На выходе схемы присутствует высокий уровень напряжения (логическая единица). При высоком уровне сигнала на всех входах МЭТ работает в активном инверсном режиме (эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный – в прямом), VT₁ находится в состоянии насыщения. На выходе схемы низкий уровень сигнала, т.е. ноль.

55. Ттл со сложным инвертором.

Е сли хотя бы на одном из входов низкий уровень напряжения U⁰_ВХ эмиттерный переход МЭТ отпирается и течет ток: от +Е_К, через R_1, переход база-эмиттер на землю. Коллекторный переход МЭТ смещен в обратном направлении (МЭТ в активном режиме). Ток базы I_Б1 = 0, следовательно, транзистор VT₁ запирается. На коллекторе VT₁ высокий уровень напряжения U_К1 = Е_К. На эмиттере VT₁ напряжение U_Э1 = 0. Транзистор VТ₂ отпирается током через резистор R₂. Так как U_Б3 = U_Э1 = 0, то транзистор VT₃ заперт и U_ВЫХ= U¹_ВЫХ. Если же на всех входах ТТЛ высокий уровень U¹, эмиттерные переходы МЭТ запираются, потенциал базы увеличивается, коллекторный переход МЭТ смещается в прямом направлении. МЭТ работает в активно-инверсном режиме. Транзисторы VТ₁ и VТ₃ открыты и насыщены. Транзистор VТ₂ и диод VD заперты. На выходе ТТЛ низкий уровень U_ВЫХ = U⁰ = 0. Следовательно, ТТЛ выполняет операцию И-НЕ, т.е. является элементом Шеффера.

56(57). Эсл. Переключатель тока.

О собенность ЭСЛ заключается в том, что схема логического элемента строится на основе интегрального ДУ в ключевом режиме (токовый ключ), выполненный на двух транзисторах, которые могут переключать ток и при этом никогда не входят в режим насыщения.

На базу одного из транзисторов, например, VT_оп, подано некоторое постоянное опорное напряжение U_оп. . Изменение напряжения, подаваемого на вход U_ВХ ниже или выше U_оп, приводит к перераспределению постоянного тока эмиттера Iэ, заданного токостабилизирующим резистором Rэ, между транзисторами VT₁ и VT_оп. При этом транзисторы не входят в режим насыщения, и, следовательно, в ключе принципиально отсутствует интервал рассасывания их неосновных носителей.

59(60). Схема не на мдп с (не)линейной нагрузкой.

С хема инвертора на МДП. Транзистор VT₁ работает в ключевом режиме, VT₂ – всегда в активном. VT₂ является нелинейной нагрузкой. При запертом VT₁ транзистор VT₂ ‑ в активном режиме, ближе к насыщению, при насыщенном VT₁ транзистор VT₂ – в активном, ближе к отсечке. При подаче на вход х низкого уровня напряжения VT₁ запирается, VT₂ близок к насыщению, на выходе ключа высокий уровень напряжения. При подаче на вход х высокого уровня напряжения VT₁ отпирается, VT₂ близок к отсечке, на выходе ключа низкий уровень напряжения. Выполняется операция ;