
- •1. Виды излучений, их характеристики.
- •2. Люминисценция, её виды, люминисценция в твёрдом теле.
- •3. Процесс поглощения и спонтанного излучения в твёрдом теле. (Нарисовать спонтанное и вынужденное излучение) Вынужденное – лазер, спонтанное – светодиод.
- •4. Отрицательный коэффициент поглощения и отрицательная температура.
- •5. Вынужденное излучение.
- •6. Инверсия населенности. Методы образования инверсии населенности.
- •7. Светодиоды.
- •8. Полупроводниковый лазер.
- •9. Твердотельный лазер на кристалле рубина.
- •10. Лазерная система на молекулах аммиака.
- •11. Газовые и молекулярные лазеры.
- •12. Пороговые условия и возможности перестройки частоты лазера с разными типами резонаторов.
- •13. Нелинейные явления в оптическом диапазоне.
- •14. Физические основы построения модуляторов.
- •15. Магнитооптический модулятор.
- •16. Электрооптический модулятор.
- •17. Акусто-оптический модулятор.
- •18. Внешний фотоэффект. Типы фотокатодов.
- •19. Вакуумные и газонаполненные диоды.
- •20. Фотоэлектрический усилитель.
- •21. Внутренний фотоэффект.
- •22. Фото-резисторы, транзисторы, диоды.
- •23. Классификация п.П. Структур.
- •24. Технологии изготовления сверхрешеток.
- •25. Волоконно-оптические линии связи.
- •Волноводные моды плоского световода.
- •Волны типа е
12. Пороговые условия и возможности перестройки частоты лазера с разными типами резонаторов.
Селективные резонаторы
С.Р. – это резонатор с чётко выраженными минимума и максимумами
> , F > 0 – усиление
< , F < 0 – ослабление
= , F = 0 – критич. сл.
Неселективный резонатор (дисперсионный) , , F от частоты зависят слабо
Для обеспечения перестройки необходимо вносить в резонатор дифракционные решётки, фильтры, оптические клинья и т.д.
На этапе генерации лазерного излучения можем менять его характеристики путём воздействия:
а) изменение параметров резонаторов
б) воздействием на саму лазерную систему
13. Нелинейные явления в оптическом диапазоне.
1. Просветление среды.
2. Затемнение среды.
3. ”Выпрямление ” среды (по частотам)
-вектор
поляризации
где
Р – поляризайия =
-
при больших полях
-
по законам линейной оптики
5. Эфект самофокусировки.
При мощности порядка 90кВт пучок диаметра 0.5 см при прохождении через среду сжимается до 30 мкм.
6. Нарушение кр. границы фотоэффекта.
При
мощном излучении проявляется эффект
двойного фотонного поглощения
7. а) Вынужденное комбинационное рассеивание.
На
материал падает частота н
(накачки) и
видно что в спектре появляются новые
частоты
1, 2, 3 – собственные колебания среды (кол – я диполе, молекул и т.д.)
б)Вынужденное рассеивание Мельдннштама – Брюллюэна.
С помощью пьезоелектрика запускаем низкочастотное колебание (в кристалле) и при входной частоте н на выходе будет н+n
8.Параметрическая генерация света.
Действия на вращающийся кристалл 3 – мя волнами
Eн0 >> E10 >> E20
то на выходе увидим что частота изменилась 1 < вых < 2
14. Физические основы построения модуляторов.
1875г.—эф. Кера. Возникновение оптической анизотропии под действием внешнего эл. поля в изотропном веществе. Объясняется оптической анизотропией молекул модулирующей среды. В отсутствии эл. поля анизотропные молекулы ориентированны хаотично. Эл. поле вызывает их ориентацию.
В веществе без дип. мом., внешнее поле его индуцирует.
Различают ориентационный и поляризационный эф. Кера.
Время релаксации ориентационного τ =10-9 с
Время релаксации поляризационного τ =10-12—10-13 с
Эф. Кера является квадратичным.
Световая волна пройдя ячейку Кера распадается на две линейно поляризованные волны.
Волны в среде распространяются с разными скоростями.
∆n=ne-n0=Rkξ2
Полоса прозрачности. Определяет спектральный диапазон излучения проходящего через модулятор без заметного ослабления.
∆f =fв -fн fн<< fв ∆f ≈ fв
Время
срабатывания
15. Магнитооптический модулятор.
1)Активная среда. 2)Катушка. 3)Поляризатор. 4) Анализатор. 5)Линзы.
Fгр не более 104 Гц
Для управления требуются большие напряжённости магнитного поля.
Если χ0 изменяетс в пределах χmax— χmin
e→∞ m→1
16. Электрооптический модулятор.
Рассмотрим случай, когда электроды не препятствуют прохождению оптического пучка, а фазовая задержка, являющаяся произведением напряженности поля на длину кристалла, может увеличиваться при использовании более длинных.кристаллов. В случае продольного типа модуляции фазовая задержка пропорциональна E2l=V и не зависит от длины кристалла l. Свет распространяется вдоль оси у', вектор его поляризации находится в плоскости х' — z под углом 45° к оси z. Найдем фазовую задержку, если поле приложено вдоль оси z:
Г=Фz–Фx’=l[(n0–ne)–n03r63(V/d)/2]/c
где d—размер кристалла вдоль направления приложенного поля. Г содержит член, не зависящий от приложенного напряжения.
Схема
поперечного электрооптического
амплитудного модулятора, использующего
КН2РО4 (KDP) кристалл, в котором
поле приложено перпендикулярно
направлению распространения волны