54. Элементы теории доменов. Ферромагнетики, сегнетоэлектрики
Ферромагнетики — вещества (как правило, в твёрдом кристаллическом или аморфном состоянии), в которых ниже определённой критическойтемпературы (точки Кюри) устанавливается дальний ферромагнитный порядок магнитных моментов атомов или ионов (в неметаллических кристаллах) или моментов коллективизированных электронов (в металлических кристаллах).
Сегнетоэле́ктрики (названы по первому материалу, в котором был открыт сегнетоэлектрический эффект — сегнетова соль) — твёрдые диэлектрики(некоторые ионные кристаллы и пьезоэлектрики), обладающие в определённом интервале температур собственным электрическим дипольным моментом, который может быть переориентирован за счёт приложения внешнего электрического поля. Сегнетоэлектрические материалы обладаютгистерезисом по отношению к электрическому дипольному моменту.
60. Уравнение непрерывности;
В теории волн уравнение непрерывности выражает собой закон сохранения энергии в элементарном объеме, в котором распространяются волны любой природы. Его дифференциальная форма
где 
—
вектор плотности потока энергии в точке
с координатами 
в
момент времени
, 
—
плотность энергии.
66. Работа выхода. Контактная разность потенциалов;Работа выхода — разница между минимальной энергией (обычно измеряемой в электрон-вольтах), которую необходимо сообщить электрону для его «непосредственного» удаления из объёма твёрдого тела, и энергией Ферми
Контактная разность потенциалов — это разность потенциалов, возникающая при соприкосновении двух различных проводников, находящихся при одинаковой температуре.
67. Контакт металл-металл.Вольт установил, что при контакте двух металлов возникает контактная разность потенциалов.
Вольт установил ряд вольта K, Na, Al, Zn…Cu, Ag, Au,
Pt, Pd – в этом ряду предыдущий металл заряжается положительно по отношению к последующему и чем дальше в ряду находится элемент, тем контактная разность потенциалов больше
Причины возникновения контактной разности потенциалов:
а) различие в работах выхода;
б) различие в концентрации носителей в контактирующих металлах
68. Контакт металл-полупроводник и полупроводников различной проводимости;
Контакты между полупроводником и металлом широко используются для формирования внешних выводов от полупроводниковых приборов (невыпрямляющие контакты) и создание быстродействующих диодов и транзисторов (выпрямляющие контакты). Тип контакта полупроводник - металл (п/п - Ме) определяется работой выхода электронов из металла в полупроводник, типом проводимости полупроводника и концентрацией примесей в нем. Сопутствующими факторами являются знак и плотность поверхностного заряда на границе раздела.
70.Электронно-дырочный переход. Классификация р-n переходов p-n-Перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двухполупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
74. Влияние температуры на свойства р-n перехода; С изменением температуры меняется ход прямой и обратной ветвей ВАХ перехода. При увеличении температуры возрастает количество неосновных носителей в кристалле полупроводника и поэтому растет обратный ток перехода. Теперь о прямой ветви ВАХ. Прямая ветвь с ростом температуры сдвигается влево и становится более крутой. Это объясняется ростом обратного тока Iобр и уменьшением собственного сопротивления, что, в свою очередь, уменьшает падение напряжения на базе, а напряжение на переходе растет при неизменном напряжении на выводах.
76. ВАХ р-n перехода. Омический контакт двух полупроводников Если работа выхода из металла меньше чем из полупроводника. То это Омический переход. Там запирающий слой не появляется. Электроны там переходят из металла в полупроводник, а в металле свободных электронов очень много и изменение их количества ничтожно. Поэтому переход не изменяет своей проводимости.
С помощью него делают контакты, именно он самый надёжный.
Требования к Омическому переходу:
1) быстродействие (различие в работах выхода должно
быть мало),
2) малое сопротивление перехода,
3) должен быть линейным