- •1. Определение, режимы работы и общие параметры электронных приборов
- •2. Электропроводность материалов. Понятие электрохимического потенциала (уровня Ферми).
- •3. Собственная и примесная электропроводность полупроводниковых материалов. Типы электрических переходов.
- •4. Равновесное состояние p-n перехода. Контактная разность потенциалов.
- •5.Прямое и обратное смещение p-n перехода.
- •6. Вольтамперная характеристика (вах) p-n перехода. Основные свойства p-n перехода
- •7.Устройство, принцип действия и классификация полупроводниковых диодов. Система условных обозначений диодов.
- •8.Выпрямительные диоды и стабилитроны.
- •9. Варикапы и импульсные диоды
- •10.Диоды с накоплением заряда (днз) и диоды с барьером Шоттки.
- •11 Туннельные и обращённые диоды
- •Определение и устройство биполярного транзистора. Классификация биполярных транзисторов. Система обозначений транзисторов.
- •13. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора
- •14.Принцип работы биполярного транзистора. Токи в биполярном транзисторе.
- •15.Формальная модель биполярного транзистора. Основные системы параметров транзистора.
- •16.Статические вах биполярного транзистора. Влияние температуры на вах транзистора.
- •18.Моделирование биполярного транзистора в режиме большого сигнала
- •19. Малосигнальная модель транзистора. Физические параметры биполярного транзистора.
- •20.Эквивалентные схемы замещения биполярного транзистора
- •21. Работа биполярного транзистора в режиме усиления
- •22.Импульсный режим работы биполярного транзистора
- •23. Основные параметры транзистора. Частотные свойства биполярного транзистора. Применение биполярного транзистора.
- •24.Определение и классификация полевых транзисторов. Устройство и обозначение полевых транзисторов.
- •25. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •26. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы).
- •27. Статические вах полевых транзисторов. Влияние температуры на вах полевых транзисторов
- •28.Полевой транзистор как линейный четырехполюсник. Работа полевого транзистора в режиме усиления.
- •29.Основные параметры полевых транзисторов. Частотные свойства полевых транзисторов.
- •30. Определение и классификация переключающих электронных приборов.
- •31. Устройство и обозначение тиристоров.
- •32.Диодные и триодные тиристоры.
- •33. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •34.Основные параметры тиристоров.
- •36.Основные понятия оптоэлектроники
- •37.Источники оптического излучения. Светодиоды.
- •38.Приемники оптического излучения. Фоторезисторы.
- •39.Фотодиоды и фототранзисторы
- •40.Классификация аналоговых электронных устройств.
- •41.Основные параметры аналоговых электронных устройств.
- •42.Основные характеристики аналоговых электронных устройств.
- •43.Понятие рабочей точки усилительного каскада и нагрузочной прямой.
- •44.Способы задания рабочей точки транзистора в усилительных каскадах.
- •45.Способы стабилизации рабочей точки транзистора в усилительных каскадах.
- •46.Режимы работы усилительных каскадов.
- •47.Обратные связи в усилительных каскадах.
- •48. Основные виды усилительных каскадов.
- •50 Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах
- •51 Электронные ключи на полевых транзисторах;
- •52.Алгебра логики и ее основные законы.
- •53. Основные логические элементы цифровых интегральных схем.
- •54.Диодно-транзисторная логика (дтл).
- •55.Транзисторно-транзисторная логика (ттл).
- •56.Эмиттерно-связанная логика (эсл).
- •57.Интегральная инжекционная логика.
- •58.Логические элементы на мдп транзисторах.
- •59.Основные параметры цифровых интегральных схем и система обозначений цифровых интегральных схем.
44.Способы задания рабочей точки транзистора в усилительных каскадах.
Соответствующая режиму покоя точка на ВАХ транзистора называется рабочей точкой.
Существует 2 способа задания режима по постоянному току:
– фиксированным током базы;
– фиксированным напряжением база-эмиттер.
C фиксированным током базы
Схема с фиксированным напряжением база-эмиттер
45.Способы стабилизации рабочей точки транзистора в усилительных каскадах.
46.Режимы работы усилительных каскадов.
В зависимости от значений протекающего постоянного тока и падения напряжения на переходах транзисторе, а также амплитуды входного сигнала существуют следующие основные режимы работы усилительного каскада:
– режим класса А; режим класса В; режим класса АВ;режим класса С; режим класса D;
В режиме класса А положение рабочей точки на выходной ВАХ выбирается таким образом, чтобы она не заходила в нелинейную (начальную) область коллекторных характеристик и в область отсечки коллекторного тока.
На входной ВАХ рабочая точка выбирается так, чтобы входной сигнал полностью помещался на линейном участке, а значение тока покоя располагалось на середине этого линейного участка.
Амплитуды переменных составляющих входного и выходного токов не могут превышать токи покоя.
Поскольку такой режим обусловлен работой транзистора на практически линейных участках своих ВАХ, это обуславливает минимальные нелинейные искажения сигнала - .
В тоже время, поскольку при работе транзистора через его переходы протекают большие постоянные составляющие токов, такой режим характеризуется малым КПД (меньше 40 %).
Режим класса А применяется в тех случаях, когда необходимы минимальные нелинейные искажения, а полезная мощность и КПД не являются решающими.
Э
то
каскады предварительного усиления и
маломощные выходные каскады.
В режиме класса В положение рабочей точки на ВАХ выбирается таким образом, чтобы ток покоя был равен нулю.
Транзистор в этом случае открыт лишь в течение половины периода входного сигнала и выходной ток имеет форму импульса с углом отсечки = 90°.
Углом отсечки называют половину времени периода входного сигнала, в течение которой транзистор открыт и через него протекает ток.
Из-за нелинейности начальных участков характеристик транзисторов форма выходного тока (особенно при малых его значениях) существенно отличается от формы входного тока, в связи с этим такой режим характеризуется большими нелинейными искажениями сигнала - .
Небольшая мощность, потребляемая каскадом, позволяет получить высокое КПД усилителя в пределах 60…70 %.
Режим класса В используется преимущественно в мощных двухтактных каскадах усиления, в чистом виде его используют сравнительно редко.
Чаще
в качестве рабочего режима используют
промежуточный
режим АВ.
В режиме класса АВ положение рабочей точки на ВАХ выбирается таким образом, чтобы ток покоя был равным 5…15 % от максимального тока.
При отсутствии входного сигнала (в режиме покоя) транзистор немного приоткрыт, выходной ток протекает в течение времени большего половины длительности входного сигнала и имеет форму импульса с углом отсечки > 90° (порядка 120…130°).
Такой режим используется для уменьшения нелинейных искажений усиливаемого сигнала, которые возникают из-за нелинейных начальных участков ВАХ транзисторов.
При работе двухтактных каскадов в режиме АВ происходит перекрытие положительной и отрицательной полуволн тока плеч двухтактного каскада, что приводит к компенсации искажений, полученных за счет нелинейности начальных участков ВАХ транзистора .
К
ПД
каскадов, работающих в таком режиме,
выше, чем каскадов в классе А( ), но
меньше чем в классе В за счет наличия
малого тока покоя.
В режиме класса С положение рабочей точки на ВАХ выбирается таким образом, чтобы ток через транзистор протекал в течение времени меньшего половины длительности входного сигнала.
Выходной ток при этом имеет форму импульса с углом отсечки < 90°, а ток покоя равен нулю.
В связи с большими нелинейными искажениями такой режим не используется в усилителях звукового диапазона частот, а используется в мощных двухтактных каскадах усилителей мощности радиочастот, нагруженных на резонансный контур и обеспечивающих в нагрузке ток первой гармоники.
В режиме класса D транзистор находится только в двух состояниях: закрытое и открытое.
В закрытом состоянии через транзистор протекает небольшой обратный ток, его электрическое сопротивление велико, падение напряжения на нем примерно равно напряжению источника питания.
В открытом состоянии через транзистор протекает большой ток, его электрическое сопротивление очень мало, падение напряжения на нем также мало. В связи с этим потери в транзисторе в таком режиме ничтожно малы и КПД каскада приближается к 100 %.
