33. Симметричные тиристоры (симисторы).

Симметричные тиристоры (симисторы).

Симметричный тиристор – это триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий электрод включается как в прямом, так и в обратном направлении.

Структура симметричного тиристора состоит из пяти областей с чередующимся типом электропроводности, которые образуют четыре p-n- перехода. Крайние переходы зашунтированы объёмными сопротивлениями прилегающих областей p-типа.

34.Основные параметры тиристоров.

Основные параметры тиристоров.

Напряжение включения – это минимальное прямое анодное напряжение, при котором тиристор переходит из закрытого в открытое состояние при разомкнутой управляющей цепи.

Ток включения – это значение прямого анодного тока, протекающего через тиристор, выше которого тиристор переходит в открытое состояние при разомкнутой цепи управляющего выхода.

Ток удержания – это значение прямого тока, протекающего через тиристор, при разомкнутой управляющей цепи, ниже которого тиристор выключается.

Напряжение в открытом состоянии – падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии.

Максимально допустимый ток в открытом состоянии – максимальное значение тока в открытом состоянии, при котором обеспечивается заданная надежность тиристора.

Обратное напряжение – напряжение при котором тиристор может работать длительное время без нарушения его работоспособности.

Обратный ток – наибольшее значение обратного тока, протекающего через тиристор при обратном напряжении.

Отпирающий ток управления – наименьший ток в цепи управляющего электрода, необходимый для включения тиристора.

Время задержки – время до момента, когда анодный ток через тиристор возрастает до величины 0,1 от установившегося значения.

Время включения – время с момента передачи отпирающего импульса до момента, когда ток через тиристор возрастает до 0,9 своего установившегося значения.

Время выключения – минимальное время в течение которого к тиристору прикладывается запирающее напряжение.

35.Однопереходные транзисторы.

Однопереходные транзисторы.

Однопереходный транзистор – это трёхэлектродный полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами базовой области, предназначенными для переключения и генерирования электрических импульсов за счёт модуляции сопротивления базы в результате инжекции через p-n-переход неосновных носителей заряда.

База однопереходного транзистора выполнена из полупроводника n-типа, электронная область – из полупроводника p-типа. Эмиттерная область должна быть более низкоомной, чем базовая. В этом случае при прямом включении p-n-перехода прямой ток через него будет иметь в основном лишь дырочную составляющую. Дырки инжектируются в базу, где они являются неосновными носителями. Для компенсации этого объёмного заряда через один из невыпрямляющих контактов в базу вводят основные носители.

При этом происходит уменьшение сопротивления базы и увеличение тока в цепи нагрузки. При подаче напряжения Uб2 и Uб1на базовые выводы вдоль базы будет протекать ток Iб2 , создающий продольное падение напряжения между базовыми выводами.

– закрытом, которое характеризуется большими сопротивлениями между различными выводами транзистора;

– открытом (состоянии насыщения), которое характеризуется малыми сопротивлениями между выводами транзистора.