Основы кристаллографии и дефекты кристаллического строения

51. Запишите виды точечных дефектов и дайте их определение.

52. Дайте определение кристаллической структуры.

53. Дайте определение дислокации.

54. Назовите основные свойства кристаллических тел и поясните, на чем они основаны.

55. Дайте определение коэффициента компактности упаковки. Укажите, чему он равен для типичных металлических решеток.

56. Дайте понятие критического скалывающего напряжения.

57. Объясните, почему аморфные вещества рассматривают как переохлажденные жидкости.

58. Зарисуйте тетраэдрические и октаэдрические пустоты в решетке ГП.

59. Объясните механизм скольжения краевой дислокации.

60. Перечислите основные свойства кристаллических тел, связанные с их строением, и дайте их определения.

61. Зарисуйте тетраэдрические и октаэдрические пустоты в решетке ГЦК.

62. Объясните, почему скольжение дислокации называют консервативным движением.

63. Дайте определение закона постоянства гранных углов.

64. Зарисуйте тетраэдрические и октаэдрические пустоты в решетке ОЦК.

65. Укажите условие скольжения краевой дислокации.

66. Что такое “ряд” в кристаллической решетке”?

67. Объясните, что такое “ядро дефекта” и как изменяются поля напряжений вокруг вакансии и вокруг межузельного атома.

68. Приведите примеры движения из быта или живой природы, аналогичные скольжению краевой дислокации.

69. Объясните, какую величину принимают за параметр ряда (или элементарную трансляцию).

70. Объясните, с чем связана основная доля энергии образования точечного дефекта.

71. Дайте определение механизма переползания краевой дислокации.

72. Объясните что такое элементарная ячейка вещества.

73. Запишите формулу, по которой рассчитывают изменение свободной энергии в кристалле при введении вакансий.

74. Объясните, какие факторы влияют на скольжение краевой дислокации.

75. Что называют “метрикой” кристаллического вещества?

76. Объясните, почему невозможно точно рассчитать равновесную концентрацию точечных дефектов.

77. Объясните, какие факторы влияют на переползание краевой дислокации.

78. Объясните, почему по “метрике” можно идентифицировать вещество.

79. Определите в чем отличие равновесной и неравновесной концентрации точечных дефектов.

80. Объясните варианты положительного и отрицательного переползания краевой дислокации

81. Зарисуйте элементарный параллелепипед и укажите стандартные обозначения осей координат, элементарных углов и элементарных трансляций.

82. Дайте понятие энергии активации миграции точечных дефектов.

83. Объясните, почему переползание относят к диффузионному процессу.

84.Дайте определение символа узла.

85. Объясните механизм миграции гантельной конфигурации межузельного атома в ГЦК решетке.

86. Объясните, от чего зависит скорость переползания краевой дислокации

87. Объясните механизм образования вакансий по механизму Шоттки.

88. Дайте определение механизма переползания краевой дислокации.

89. Что называют атмосферой Сузуки.

90. Объясните что такое элементарная ячейка вещества.

91. Запишите формулу, по которой рассчитывают изменение свободной энергии в кристалле при введении вакансий.

92. Объясните, какие факторы влияют на скольжение краевой дислокации.

93. Поясните, какие плоскости входят в семейство структурно-эквивалентных плоскостей (как различаются их индексы) в кубической ячейке.

94. Объясните механизм образования вакансий по механизму Френкеля.

95. Объясните, как расположены атомы в ядре краевой дислокации.

96. Дайте определение символа направления, его записи.

97. Сравните по величине энергии миграции вакансии, дивакансии.

98. Объясните, как расположены атомы в ядре винтовой дислокации

99. Какие направления входят в семейство структурно-эквивалентных направлений (как различаются, их индексы для кубической ячейки).

100. Объясните неподвижность тетраэдрического вакансионного комплекса.

101. Укажите различие правой винтовой дислокации и левой.

102. Объясните, почему в гексагональной сингонии используют 4-х индексовую систему.

103. Определите в чем отличие равновесной и неравновесной концентрации точечных дефектов.

104. Укажите отличия положительной и отрицательной краевой дислокации.

105. Укажите, какие индексы можно менять в семействе структурно-эквивалентных плоскостей в гексагональной ячейке.

106. Укажите, какой из комплексов более подвижен “вакансия – примесный атом” или “атом растворенного элемента – вакансия”?

107. Укажите, как расположена линия винтовой дислокации по отношению к направлению касательного напряжения.

108. Дайте определение кристаллического вещества.

109. Укажите, как делятся дефекты кристаллической решетки по геометрическим признакам.

110. Объясните механизм скольжения винтовой дислокации.

111. Дайте определение символа направления, его записи.

112. Сравните по величине энергии миграции вакансии, дивакансии.

113. Объясните, как расположены атомы в ядре винтовой дислокации.

114. Какие направления входят в семейство структурно-эквивалентных направлений (как различаются, их индексы для кубической ячейки).

115. Объясните неподвижность тетраэдрического вакансионного комплекса.

116. Укажите различие правой винтовой дислокации и левой.

117. Объясните, почему в гексагональной сингонии используют 4-х индексовую систему.

118. Определите в чем отличие равновесной и неравновесной концентрации точечных дефектов.

119. Укажите отличия положительной и отрицательной краевой дислокации.

120. Укажите, какие индексы можно менять в семействе структурно-эквивалентных плоскостей в гексагональной ячейке.

121. Укажите, какой из комплексов более подвижен “вакансия – примесный атом” или “атом растворенного элемента – вакансия”?

122. Укажите, как расположена линия винтовой дислокации по отношению к направлению касательного напряжения.

123. Дайте определение кристаллического вещества.

124. Укажите, как делятся дефекты кристаллической решетки по геометрическим признакам.

125. Объясните механизм скольжения винтовой дислокации.