- •102.1. Процессы поглощения и спонтанного излучения.
- •102.2. Люминесценция. Различные люминесценции в твердых телах.
- •102.3. Вынужденное излучение в твердом теле.
- •102.4. Отрицательный коэффициент поглощения и отрицательная температура.
- •102.5. Инверсия населенности. Методы образования инверсии населенности.
- •103.1. Светодиоды.
- •103.2. Полупроводниковый лазер на p-n-переходе.
- •103.3. Твердотельный лазер на кристалле рубина.
- •103.4. Газзовые и молекулярные лазеры.
- •103.5. Пороговые условия и возможности перестройки частоты лазера с разными типами резонаторов.
- •104.Нелинейные явления в оптическом диапазоене.
- •105.1Физические основы построения модуляторов.
- •105.2. Магнитооптический модулятор.
- •105.3. Электрооптический модулятор.
- •105.4. Акусто-оптический модулятор.
- •106.1. Внешний фотоэффект. Типы фотокатодов.
- •106.2.Ваккумные и газонаполненные диоды.
- •106.3. Фотоэлектрический усилитель.
- •107.1. Внутренний фотоэффект.
- •107.2. Фото-резисторы, транзисторы, диоды.
- •107.4. Оптроны. Практическое применение.
- •108.1. Классификация п.П. Структур.
- •108.2. Технологии изготовления сверхрешеток.
- •108.3. Практическое применение сверхрешеток.
107.4. Оптроны. Практическое применение.
Оптронами называют такие оптоэлектронные приборы, в которых имеются источник и приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической и электрической связи между ними, конструктивно связанные друг с другом.
Принцип действия оптронов любого вида основан на следующем: В излучателе энергия электрического сигнала преобразуется в световую, в фотоприемнике, наоборот, световой сигнал вызывает электрический отклик. Электрический сигнал на излучатель может поступать как от внешнего источника, так и по цепи электрической связи от фотоприемника. Световой сигнал на фотоприемник может поступать также как извне, так и по цепи оптической связи от излучателя.
Практически распространение получили лишь оптроны, у которых имеется прямая оптическая связь от излучателя к фотоприемнику и, как правило, исключены все виды электрической связи между этими элементами. Выделяют две группы приборов. Оптопара представляет собой оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприёмного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом.
. Основные достоинства:
- возможность обеспечения идеальной электрической (гальванической) развязки между входом и выходом
- возможность реализации бесконтактного оптического управления электронными объектами и обусловленные этим разнообразие и гибкость конструкторских решений управляющих цепей;
- однонаправленность распространения информации по оптическому каналу, отсутствие обратной реакции приемника на излучатель;
- широкая частотная полоса пропускания оптрона
- возможность создания функциональных микроэлектронных устройств с фотоприемниками,
невосприимчивость оптических каналов связи к воздействию электромагнитных полей,
Оптронам присущи и определенные недостатки:
- значительная потребляемая мощность
- относительно высокий уровень собственных шумов,
В качестве элементов гальванической развязки оптроны применяются: для связи блоков аппаратуры, для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок и т.д.
Другая важнейшая область применения оптронов - оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями.
Создание «длинных» оптронов (приборов с протяженным гибким волоконнооптическим световодом) открыло совершенно новое направление применения изделий оптронной техники - связь на коротких расстояниях.
Различные оптроны (диодные, резисторные, транзисторные) находят применение, и в чисто радиотехнических схемах модуляции, автоматической регулировки усиления.
Достаточно специфическим является использование оптронов в энергетических целях.
108.1. Классификация п.П. Структур.
Композиционные сверхрешетки типа I
Разрывы зон на гетерограницах служат потенциальными барьерами для электронов и дырок и тем самым создают периодический сверхрешеточный потенциал в зоне проводимости и в валентной зоне. Композиционные сверхрешетки типа II
Характерные черты композиционных сверхрешеток типа II определяются взаимным расположением краев зон исходных полупроводников на гетерогранице. Политипные сверхрешетки
Политипные сверхрешетки могут быть созданы, если дополнить систему InAs—GaSb третьим веществом — AlSb.
Легированная сверхрешетка
Термином «легированная сверхрешетка» принято называть периодическую последовательность слоев одного и того же полупроводника, легированных двумя различными способами. ие можно сделать практически полным.
Легированные композиционные свепхрешетки
В обычных композиционных сверхрешетках полупроводниковые слои не легированы, благодаря чему квантовые ямы можно считать прямоугольными
