Уго микросхемы памяти.
Разрядность памяти – разрядность ячейки памяти, т.е. разрядность минимальной адресуемой единицы памяти..
Слово памяти – адресуемая единица.
Количество слов = 2^n входов.
Цикл чтения/записи ПП запоминающего ус-ва.
Память
имеет 3 режима работы: запись чтение и
хранение.
Временные диаграммы чтения записи:
На них показаны времена выборки относительно адреса tA и выбора tcs, длительности импульсов tw различных сигналов и цикла адреса tSY(A), задержка tDZ перехода выхода из активного состояния в состояние отключено, времена предустановки tSU и удержания tH с указанием сигналов, для которых они отсчитываются. Приведено время восстановления trec(WR), отсчитываемое как необходимая пауза между повторениями активных интервалов сигнала WR.
Для
построения ЗУ произвольной емкости
применяют: 
- Увеличение разрядности микросхем
- Увеличение адресности ЗУ
Микросхемы памяти. Общая структура микросхемы памяти с произвольной выборкой. Временная диаграмма цикла чтения.
Ячейки памяти составляют двумерный массив, т.е. матрицу и те из них, что находятся на одной строке условно называются строкой, а те, что друг под другом - условно столбцом и образуют зону хранения. Функция выборки обеспечивается дешифраторами.
Усилители записи/чтения необходимы для преобразования уровня сигнала в понятный для других устройств вид.
Регистр адреса содержит адрес ячейки к которой нужно получить доступ, при этом часть регистра – это адрес строки а вторая часть – адрес столбца.
Временные параметры:
tW – длительность сигнала
tREC– интервал между сигналами
tSU – время установления одного сигнала относительно другого, определяется как интервал времени между началами двух сигналов на разных входах микросхемы
tV– время сохранения одного сигнала после другого, определяется как интервал времени между окончаниями двух сигналов на разных входах микросхемы
tCY – время цикла определяется интервалом времени между началами (окончаниями) сигналов на адресных или одном из управляющих входов, в течении которого микросхема выполняет функцию записи(tCYW) или считывания (tCYR).
Обратимся
к временной диаграмме и кратко опишем
работу микросхемы статического ОЗУ с
использованием временных параметров.
При записи информации вначале подают
адресный код A1,
A2,
..., A7затем
сигнал записи WR/RD
= 1 и бит информации на вход DI.
Доступ к накопителю открывает сигнал
,
который должен быть установлен навходе
CS
спустя время tSU(A‑CS)относительно
сигналов кода адреса. Длительность
сигнала
определяют параметрыtW(CS),
а длительность интервала между сигналами
параметромtREC(CS).
Сигналы кода адреса необходимо сохранять
на время tV(CS‑A)после
снятия сигнала
.
В течении всего цикла записи tCYWвыход микросхемы находится в Z-состоянии. Для статических ОЗУ длительность цикла записи определяется как сумма длительности сигнала и интервала между сигналами tCYW = tW(CS) + tSU(A‑CS).
Реализация фал на микросхеме памяти.
ППЗУ с организацией 2mxn по поступающему на его вход m-разрядному адресу выдает n-разрядное выходное слово, хранящееся в ячейке с данным адресом. Такое ЗУ воспроизводит систему переключательных функций, число которых равно разрядности выходного слова. Действительно, на каждом выходе может быть воспроизведена любая переключательная функция m -аргументов, а совокупность выходов даст n различных функций.
DI
– входные данные.
DO – выходные данные
A – адрес
W – запись/чтение
Cs – выборка кристалла (chip select) – эквивалентен E (Enable)
Реализация функции в СДНФ определяет большие затраты элементов памяти, однако цена элемента памяти значительно ниже цены логического элемента, поэтому даже при избыточности числа элементов памяти в несколько раз (в сравнении с числом логических элементов, необходимых для воспроизведения функции традиционным методом) реализация на ППЗУ может оказаться выгодной. Особенности ППЗУ указывают на целесообразность его использования для реализации в первую очередь функций, не поддающихся существенной минимизации. При этом время выполнения операции — время считывания данных из ЗУ.