
- •2. Социо-, Био-, Инфо-, Когно-, Нано- - Что это ?
- •31. Шлифовка и полировка поверхностей подложек.
- •Нанотехнология. Варианты основных определений.
- •32. Защита планарных поверхностей.
- •33. Методы фотолитографии.
- •5. Зарождение и развитие нанотехнологии. Их перспективы.
- •34. Способы легирования материалов.
- •6. Финансово - экономические аспекты состояния и развития нанотехнологии.
- •35. Нанесение металлических плёнок.
- •7. Социальные и гуманитарные характеристики нанотехнологии.
- •8. Специфика наномира. Размерные эффекты.
- •37. Геттероэпитаксиальные структуры. Свч схемы для различных применений.
- •9. Роль свободных поверхностей.
- •38. Корпусирование микросхем.
- •Зарождение и рост наночастиц.
- •39. Технологические методы наноэлектроники как базовые для других наносистем.
- •Размерные эффекты.
- •Описание
- •40. Информационные технологии и их опора на наноэлектронику.
- •Самоорганизация и самосборка.
- •41. Энергетика. Солнечная энергетика как следствие развития наноэлектроники.
- •13. Технологии «сверху вниз» и «снизу вверх».
- •42. Нанокомпозитные и другие материалы для авиационной и космической техники.
- •Электронная микроскопия.
- •Атомно - силовая и туннельная микроскопия.
- •44. Геосферные и биосферные войны. Солдат ближайшего будущего.
- •Пьезоэффект и пьезодвигатели.
- •45. Нанотехнологии в атомной отрасли.
- •16. Многоликие зондовые методы микроскопии (до этого есть про разные микроскопы)
- •46. Наномедицина.
- •18. Спектроскопические методы.
- •47. Нанобиотехнологии.
- •19. Наночастицы и нанопорошки.
- •48. Нано в сельском хозяйстве.
- •20. Аллотропные формы углерода.
- •49. Умный дом.
- •55. Наноэтика.
- •27. Базовые материалы современной и перспективной наноэлектроники.
- •56. Образование в области нанотехнологии. Гуманитаризация технического образования.
8. Специфика наномира. Размерные эффекты.
37. Геттероэпитаксиальные структуры. Свч схемы для различных применений.
Лекция: Эпитаксиальным наращиванием или эпитаксией называют процесс ориентированного наращивания слоя вещества на исходный монокристалл – подложку.
Лекция: Поверхность подложки, на которой вырастает эпитаксиальный слой, имеет определенный потенциальный рельеф, соответствующий расположению узлов ее кристаллической решетки.
Попав в более глубокую потенциальную яму, например встретив ступеньку при миграции на поверхности, атом устанавливает прочную связь с соседними атомами кристалла.
К этому атому присоединяются другие атомы, и в конечном счете происходит достраивание кристаллической плоскости.
!ВИКИ:
Широко распространено получение полупроводниковых материалов в виде монокристаллических пленок на разного рода монокристаллических подложках. Такие пленки называют эпитаксиальными, а процессы их получения — эпитаксиальным наращиванием. Если эпитаксиальная пленка наращивается на подложку того же вещества, то получаемые структуры называют гомоэпитаксиальными; при наращивании на подложку из другого материала — гетероэпитаксиальными. Возможности получения тонких и сверхтонких однослойных и многослойных структур разнообразной геометрии с широкой вариацией состава и электрофизических свойств по толщине и поверхности наращиваемого слоя, с резкими границами р-n-переходов и гетеропереходов обусловливают широкое использование методов эпитаксиального наращивания в микроэлектронике и интегральной оптике, в практике создания больших и быстродействующих интегральных схем, а также оптоэлектронных приборов
Лекция: Примеры использования СВЧ элементной базы в системах специального назначения:
Легкие бортовые локаторы обзора на активных фазированных антеннах решетках (АФАР)
Сканеры систем безопасности в аэропортах и таможне в ТГц диапазоне
Широкополосные системы связи и радиолокации
Приемо-передающие модули СВЧ для АФАР самолетов
Сканеры для выявления скрытого оружия
ВИКИ:
Микроволно́вое излуче́ние, сверхвысокочасто́тное излуче́ние (СВЧ-излучение) — электромагнитное излучение, включающее в себя дециметровый, сантиметровый и миллиметровый диапазон радиоволн (длина волны от 1 м — частота 300 МГц до 1 мм — 300 ГГц). Однако границы между инфракрасным, терагерцовым, микроволновым излучением и ультравысокочастотными радиоволнами приблизительны и могут определяться по-разному.
Микроволновое излучение большой интенсивности используется для бесконтактного нагрева тел (как в бытовых, так и в промышленных микроволновых печах для термообработки металлов), основным элементом в которых служит магнетрон, а также для радиолокации.
Микроволновое излучение малой интенсивности используется в средствах связи, преимущественно портативных — рациях, сотовых телефонах (кроме первых поколений), устройствах Bluetooth, WiFi и WiMAX.
Билет 9.
и 38
9. Роль свободных поверхностей.
Какая-то статья про наноматериалы (кусок).
ОСОБЕННОСТИ СВОЙСТВ НАНОМАТЕРИАЛОВ
У поверхностных атомов задействованы не все связи с соседними атомами. Для атомов, находящихся на выступах поверхности, ненасыщенность связей еще выше. В результате в приповерхностном слое возникают сильные искажения кристаллической решетки и даже может происходить смена типа решетки. Другим аспектом является тот факт, что свободная поверхность является местом сосредоточения (стока) кристаллических дефектов. При малых размерах частиц их концентрация заметно возрастает за счет выхода большинства структурных дефектов на поверхность и очистке материала наночастицы от дефектов структуры и химических примесей. Установлено, что процессы деформации и разрушения протекают, в первую очередь, в тонком приповерхностном слое с опережением по сравнению с внутренними объемами металлического материала, что во многом определяет механические свойства (прочность, пластичность).