Министерство информационных технологий и связи РФ

Федеральное агентство связи

УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ»

Кафедра общепрофессиональных дисциплин технических специальностей

Стабилизатор напряжения

Курсовая работа по дисциплине "Электроника"

Пояснительная записка

210312 000 000 876 ПЗ

Вариант № 12

Руководитель		В.И.Паутов
канд. техн. наук, доцент
Студент группы ВЕ-01б		Меликоров Д. В.

Екатеринбург 2011

СОДЕРЖАНИЕ

Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1 Методические указания по проектированию стабилизатора . . . . . . . . . 4

1.1 Структурная схема стабилизатора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

1.2 Выбор транзистора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.3 Выбор стабилитрона . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

1.4 Источник стабильного тока . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

1.5 Расчет параметров стабилизатора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.6 Защита нагрузки от перенапряжения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

1.7 Индикация состояния стабилизатора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .11 Заключение……………………… ……………………………………. 13

Литература . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Приложения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . .

ВВЕДЕНИЕ

Целью выполнения курсовой работы является закрепление знаний, полученных при изучении теоретической части дисциплины в частности, применения полупроводниковых диодов и транзисторов, усвоить навыки самостоятельной работы по разработке и анализу схем аппаратуры связи, использования справочной и специализированной литературой.

В данной курсовой работе были использованы следующие термины: транзистор, стабилитрон, а также я считаю необходимым рассмотреть механизмы, лежащие в работе стабилитора. Вышеперечисленные понятия и механизмы рассмотрены мною ниже:

Транзи́стор (англ. transistor) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п

Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).

В основе работы стабилитрона лежат два механизма:

• Лавинный пробой p-n перехода

• Туннельный пробой p-n перехода (Эффект Зенера в англоязычной литературе)

Стабилизаторы, рассматриваемые в курсовой работе, широко используются в зарядных устройствах, в качестве источников питания маломощных радиоэлектронных устройств.