
- •Часть 1. Тема 1: Основные положения спектроскопии
- •1.1. Основные квантовые законы (постулаты Бора)
- •1.2. Уровни энергии и переходы между ними.
- •1.2.1. Спектр атома водорода
- •1.3. Спектры поглощения, испускания и рассеивания
- •1.3.1. Оптическое возбуждение
- •1.3.2. Комбинационное рассеивание
- •1.3.3. Электрические способы возбуждения
- •1.4. Деление спектроскопии по свойствам излучения
- •1.4.1. Предмет и задачи спектроскопии
- •1.4.2. Деление спектроскопии по свойствам электромагнитного излучения
- •1.5. Деление спектроскопии по свойствам атомных систем
- •1.6. Типы уровней атомов и молекул
- •Тема 2: Спектроскопические методы анализа
- •2.1. Классификация типов спектрального анализа.
- •2.2. Деление спектроскопии по методам: некоторые особенности проведения анализа
- •2.3. Деление спектрального анализа по решаемым задачам: некоторые особенности проведения
- •2.3.1. Элементный спектральный анализ
- •2.3.2. Изотопный спектральный анализ.
- •2.3.3. Молекулярный спектральный анализ
- •Абсорбционный анализ по спектрам поглощения
- •Эмиссионный молекулярный спектральный анализ
- •2.3.4. Анализ структурных элементов сложных молекулярных соединений
- •1. Структурный анализ в уф и видимой областях
- •2. Спектральный структурный анализ в ик области
- •3. Структурный анализ по спектрам комбинационного рассеивания
- •2.4. Общие схемы проведения спектрального анализа
- •2 .4.1. Эмиссионный спектральный анализ
- •2.4.2. Абсорбционный спектральный анализ
- •2.5. Основные характеристики и области применения спектрального анализа
- •Часть 2: Атомная спектроскопия. Тема 3. Уровни энергии и спектры атома водорода и водородоподобных ионов.
- •3.1. Квантовые числа одноэлектронного атома и степень вырождения его уровней.
- •3.2. Невырожденные и вырожденные уровни энергии. Вырождение уровней одноэлектронного атома.
- •3.3. Правила отбора для одноэлектронных атомов.
- •3.4. Тонкая структура уровней энергии и спектральных линий.
- •3.5. Зависимость спектров одноэлектронных атомов от заряда и массы ядра.
- •3.6. Характеристика стационарных состояний одноэлектронного атома.
- •Тема 4. Электронные оболочки атомов и периодическая система элементов.
- •4.1. Квантовые числа электронов в сложном атоме и принцип Паули.
- •4.2. Электронные слои и оболочки и их заполнение.
- •4.3. Зависимость энергии электронов от орбитального кв. Числа.
- •4.4. Свойства элементов с заполненными и незаполненными оболочками.
- •4.5. Типы спектров различных элементов.
- •Тема 5: Основы общей систематики сложных спектров.
- •5.1. Сложение орбитальных и спиновых моментов и типы связи.
- •5.2. Общая характеристика нормальной связи.
- •Тема 6: Рентгеновские спектры.
- •6.1 Общая характеристика рентгеновских спектров поглощения и испускания.
- •6.2. Внутренняя конверсия рентгеновского излучения.
- •Тема 7: Явление Зеемана и магнитный резонанс.
- •7.1. Расщепление уровней энергии в магнитном поле.
- •7.2. Общая картина зеемановского расщепления спектральных линий.
- •Тема 8. Явление Штарка.
- •8.1. Общая характеристика явления Штарка.
- •8.2. Явление Штарка для атомов в общем случае.
- •Часть 4. Молекулярный спектральный анализ Тема 9: ик-спектрометрия и уф-спектрофотометрия
- •9.1. Строение молекулы
- •9.2. Молекулярные спектры
- •9.3. Вращательные спектры
- •9.4 Колебательные спектры
- •9.5 Электронные спектры
- •9.6 Аппаратура ик-спектроскопии.
- •2) Кюветное отделение.
- •3) Фотометр
- •4) Монохроматор
- •9.7 Аппаратура уф – спектроскопии
- •4)Кюветное отделение
- •Тема 10. Качественный и количественный молекулярный анализ.
- •D зависит только от числа поглощающих частиц на пути светового пучка и от их свойств.
- •5.1. Качественный молекулярный анализ
- •5.2. Количественный молекулярный анализ
- •3 Эмиссионный спектральный анализ.
4.4. Свойства элементов с заполненными и незаполненными оболочками.
Физические и химические свойства элементов определяются слабо связанными электронами во внешних оболочках. Элементы с аналогичными конфигурациями внешних электронов, отличающимися только главными кв. числами при тех же орбитальных числах, обладают схожими свойствами и относятся к той же химической группе.
Так, для Щелочных
металлов характерно наличие одного
внешнего s-
электрона: у Li
– 2s
электрон, у Na
– 3s…
Для элементов III-ей
группы – 3 внешних электрона:
:
B
– 2sІ2p;
Al
– 3sІ3p…
Число внешних электронов определяет максимальную валентность элемента.
Особой устойчивостью
обладают элементы с заполненными
внутренними оболочками, у которых
отсутствуют слабо связанные внешние
электроны – это инертные газы с
конфигурациями электронов последней
заполненной оболочки
.
Эти элементы химически неактивны.
С точки зрения спектроскопических свойств важную роль играет отличие заполненных и незаполненных оболочек.
Утверждение 1. Для заполненной оболочки (или совокупности таких оболочек) значения орбитального, спинового и полного моментов количества движения=нулю, и ей соответствует один невырожденный уровень энергии; т.е. L=0, S=0, J=0 (4.6)
С точки зрения наглядных представлений можно сказать, что для заполненной оболочки происходит полная компенсация орбитальных и спиновых моментов отдельных электронов.
Состояние (4.6)
обозначается
.
S – указывает на значения L=0;
Индекс 1 – даёт мультиплетность χ=2S+1 – число возможных ориентаций полного спинового момента, равного в данном случае 1.
Индекс 0 – указывает значение J=0.
Утверждение 2. Для неполностью заполненной оболочки (или совокупности таких оболочек) получается ряд возможных значений, характеризующих её моментов количества движения, и ей соответствует ряд уровней энергии.
Это объясняется тем, что полной компенсации орбитальных и спиновых моментов электронов уже не происходит. Они могут складываться различным образом, и получится ряд состояний.
Вследствие взаимодействия моментов эти состояния будут обладать различной энергией, т.е. получается ряд уровней энергии.
Определение: основными характеристиками уровней энергии является чётность уровней и значения квантового числа J, определяющего значения полного механического момента атома.
I Чётность всех уровней и соответствующих им состояний определённой электронной конфигурации одинакова. Так можно говорить о чётных и о нечётных конфигурациях.
Правило:
если конфигурация содержит чётное число электронов с нечётным , то она является чётной;
если конфигурация содержит нечётное число электронов с нечётным , то она является нечётной;
конфигурации, содержащие только электроны с чётным всегда чётные. [нечётные : p, f…; чётные : s, d…]
Все конфигурации, состоящие только из заполненных оболочек, являются чётными, т.к. содержат всегда чётное число электронов любого рода.
Конфигурации с незаполненными оболочками могут быть как чётными, так и нечётными, причём их чётность определяется только электронами в незаполненных оболочках.
Например, кремний:
-
чётная конфигурация, как содержащая
чётное число нечётных р – электронов
в незаполненной оболочке 3р.
фосфор:
-
нечётная конфигурация, т.к. содержит
нечётное число нечётных р – электронов
в оболочке 3р.
Уровни нечётных конфигураций принято в атомной спектроскопии обозначать индексом “О” справа сверху от символа уровня, а уровни чётных конфигураций пищутся без индекса.
II Квантовое число J для уровней конфигурации с незаполненными оболочками всегда принимает ряд значений, причём при чётном числе электронов в атоме все значения J будут целыми, а при нечётном числе электронов – полуцелыми.