3.1. Температурний дрейф характеристик транзистора в схемi з спiльною базою

Температурний дрейф вихiдних характеристик зумовлений змiною струму колектора при змiнi температури. В схемi з СБ вiдповiдно з рiвнянням (1.11) змiна струму колектора при постiйному струмi емiтера .

Вiдносна змiна струму колектора

. (1.32)

Коефiцiєнт передачi струму емiтера  вiд температури майже не залежить. Внаслiдок цього температурний дрейф вихiдних характеристик за рахунок температурної змiни  незначний.

Друга складова у виразi (1.32) визначає температурний дрейф характеристик, який визивається температурною змiною зворотного струму колектора I_кбо, залежнiсть якого вiд температури описується експоненцiальним законом:

, (1.33)

де – зворотний струм колектора при температурi Т₂;

– зворотний струм колектора при температурi Т₁.

Для практичних розрахункiв можна вважати, що I_кбо збiльшується вдвiчi з ростом температури на 10 С для германiєвих транзисторiв i на 8 С для кремнiєвих транзисторiв. Але вплив цiєї складової в виразi (1.32) на температурний дрейф вихiдних характеристик транзистора виявляється незначним внаслiдок малостi I_кбо вiдносно робочого струму колектора I_к. Звичайно I_кбо /I_к = 10^–3 ... 10^–6.

Т аким чином, вихiднi характеристики транзистора в схемi з СБ мають незначний температурний дрейф.

Значно бiльший дрейф мають вхiднi характеристики. Згiдно з виразом (1.24) вхiдна характеристика описується приблизно рiвнянням:

.

Оскiльки температурна залежнiсть зворотного струму емiтера така ж, як i зворотного струму колектора I_кбо (1.33), то залежнiсть струму емiтера вiд температури має вигляд

. (1.34)

Отже, збiльшення температури супроводжується зростанням струму емiтера, що приводить до пiдйому вхiдних характеристик в область бiльших струмiв. Дослiди показують, що характеристики змiщуються на 1...2 мВ при змiнi температури на один градус.

3.2. Температурний дрейф характеристик транзистора в схемi з спiльним емiтером

Оцiнка впливу температури на струм колектора транзистора в схемi з СЕ при постiйному струмi бази може бути проведена шляхом знаходження повного диференцiалу вiд рiвняння (1.19):

, (1.35)

(dI_б = 0, тому що струм бази повинен бути постiйним).

Але  , тому .

Отже

.

Якщо вважати, що і , то остаточно одержимо

. (1.36)

З цього виразу видно, що температурний дрейф вихiдних характеристик в схемi з СЕ в  раз бiльший, нiж в схемi з СБ. Це являється iстотним недолiком схеми з СЕ.

На рис. показанi вихiднi характеристики транзистора, який включається по схемi з СЕ, знятi при двох температурах.

Вхiднi характеристики транзистора в схемi з СЕ при рiзних температурах показанi на рис.

Збiльшення температури визиває збiльшення струмiв I_кбо i I_{б рек}, якi в колi бази направленi назустрiч один одному. Тому вхiднi характеристики, знятi при рiзних температурах, пересiкаються в областi, яка вiдповiдає малим струмам бази.