1.2. Система позначення транзисторiв

Система позначення транзисторiв складається з шести або семи елементiв.

Перший елемент позначення – лiтера або цифра, якi визначають початковий напiвпровiдниковий матерiал, з якого виготовлений транзистор: Г або 1 – германiй або сполуки германiю, К або 2 – кремнiй або сполуки кремнiю, А або 3 – арсенiд галiя. Лiтера в першому елементi позначає транзистор загального призначення, а цифра – спецiального призначення.

Транзистори	Низької частоти	Середньої частоти	Високої частоти
Малопотужні	1	2	3
Середньої потужності	4	5	6
Потужні	7	8	9

Другий елемент позначення – лiтера, яка визначає пiдклас приладу: Т – бiполярний транзистор, П – польовий транзистор.

Третiй елемент позначення – цифра вiд 1 до 9, яка визначає призначення транзисторiв згiдно таблицi 1.1.

Четвертий, п'ятий (i шостий для семиелементної системи) елементи визначають порядковий номер розробки технологiчного типу транзистора i позначаються вiд 01 (001) до 99 (999).

Шостий (сьомий) елемент визначає роздiлення технологiчного типу на параметричнi групи i позначається лiтерами росiйського алфавiту вiд А до Я.

Умовне позначення площинних бiполярних транзисторiв, якi розробленi до 1964 р. i якi використовуються на теперiшнiй час, складається iз двох чи трьох елементiв.

Перший елемент позначення – лiтера П, яка позначає бiполярний транзистор.

Другий елемент позначення – число (номер), який вказує на область застосування транзистора.

Третiй елемент позначення – лiтера, яка вказує на рiзновиднiсть транзистора.

Приклади позначення транзисторiв:

ГТ605А – германiївий БТ середньої потужностi, високої частоти, призначений для пристроїв широкого застосування, номер розробки 05, група А.

2Т144А – кремнiєвий БТ малої потужностi, низької частоти, призначений для пристроїв спецiального застосування, номер розробки 44, група А.

2. Будова I принцип дiї бiполярних транзисторiв

2.1. Будова сплавних бiполярних транзисторiв

Бiполярний транзистор являє собою монокристал напiвпровiдника з двома взаємодiючими р-n-переходами. На рис. схематично показана будова бiполярних транзисторiв р-n-р i n-р-n типiв i їх умовне графiчне позначення.

Р обота транзисторiв р-n-р i n-р-n типiв аналогiчна, рiзниця заключається лише в полярностi джерел зовнiшнiх напруг i в напрямку протiкання струмiв через електроди. Саме тому в подальшому будуть розглядатися лише транзистори р-n-р типу. Всi висновки, одержанi для цих транзисторiв, будуть справедливi i для транзисторiв n-р-n типу.

С ередня область транзистора називається базою, р-область, яка вiддiлена вiд бази р-n-переходом меншої площi, називається емiтером, а р-область з бiльшою площею р-n-перехода називається колектором. Характеристики i параметри бiполярних транзисторiв визначаються використаним в них матерiалом i технологiєю виготовлення. Малопотужнi низькочастотнi бiполярнi германiєвi транзистори можуть бути виготовлені методом сплавлення, який заключається в наступному. До пластини германію n-типа з малим питомим опором з двох сторiн притискують два шматочки iндiю. Потiм всю структуру розмiщують в печi, в якiй утворюють вакуум порядку 0,0133 Па, i пiдвищують температуру. Iндiй плавиться, розчиняється в деякiй областi германiєвої пластинки i пiд дiєю поверхневого натягу набуває форму сферичного сегменту.

Площа розплавленого iндiю визначає активну площу електронно – дiркового переходу. Потiм температура пiдвищується настiльки, що вiдбувається розчинення прилеглих дiлянок германiєвої пластинки n-типу в рiдкому iндiї. Пiсля цього здiйcнюється охолодження всiєї структури з постiйною швидкiстю. При цьому розплавленi ранiше частинки починають кристалiзуватись в тверду фазу, тобто здiйснюється процес рекристалiзацiї. Областi, якi рекристалiзувалися, за рахунок наявностi атомiв трьохвалентного iндiю на вiдмiну вiд германiєвої пластинки мають протилежний тип електропровiдностi (р-тип). Таким чином, по краям германiєвої пластинки n-типу утворюються двi областi з протилежним типом електропровiдностi (р-типу), якi вiдокремленi вiд пластинки n-типу двома рiзкими р-n-переходами. Одна з цих областей, як правило менша за розмiрами, являється емiтером, а iнша – колектором. Середня область, яка утворюється початковим германiєм n-типу, виконує роль бази. Частину бази, яка знаходиться безпосередньо мiж емiтером i колектором i через яку проходять носiї, називають активною. До областей емiтера i колектора паяють нiкелевi пластинки, якi утворюють невипрямляючi контакти з iндiєм i якi служать виводами емiтера i колектора. Щоб одержати вивiд бази, пластинку германiя паяють до кристалотримача, який з'єднується з герметизованим металiчним корпусом. Частину бази, яка розмiщена мiж емiтером i виводами бази, називають пасивною. До корпуса приварюють гнучкий вивiд бази, а виводи емiтера i колектора зварюють з гнучкими металiчними стержнями, якi iзольованi вiд дна металiчного корпуса скляними вставками.

При виготовленнi транзистора добиваються, щоб концентрацiї дiрок в областях емiтера i колектора значно перевищували концентрацiю електронiв в базi, а ширина активної областi бази ω була менша дифузiйної довжини дiрок L_р.