- •Тема 4. Бiполярнi транзистори Лекція 4/1. Будова та основи роботи біполярного транзистора
- •1. Загальнi вiдомостi про транзистори
- •1.1. Класифiкацiя транзисторiв
- •1.2. Система позначення транзисторiв
- •2. Будова I принцип дiї бiполярних транзисторiв
- •2.1. Будова сплавних бiполярних транзисторiв
- •3. Способи включення та режими роботи бiполярного транзистора
- •3.1. Принцип дiї бiполярного транзистора в активному режимi
- •Тема 4. Біполярні транзистори Лекція 4/2. Статичні характеристики біполярного транзистора
- •1. Схеми включення бт
- •1.1. Включення транзистора з спiльним емiтером
- •1.2. Включення транзистора з спiльним колектором
- •2. Статичнi характеристики бiполярних транзисторiв
- •2.1. Вхiднi та вихiднi статичнi характеристики бiполярного транзистора для схеми зі спiльною базою
- •2.1. Вхiднi I вихiднi статичнi характеристики бiполярного транзистора в схемi з спiльним емiтером
- •3. Вплив температури на статичнi характеристики бiполярного транзистора
- •3.1. Температурний дрейф характеристик транзистора в схемi з спiльною базою
- •3.2. Температурний дрейф характеристик транзистора в схемi з спiльним емiтером
- •Тема 4. Біполярні транзистори
- •4/3. Диференцiальнi параметри бiполярного транзистора
- •1. Система малосигнальних h–параметрiв
- •2. Фiзичнi параметри I т–подiбна еквiвалентна схема бiполярного транзистора на низьких частотах. 2.1. Фiзичнi параметри бiполярного транзистора.
- •2.2. Фiзична т–подiбна еквiвалентна схема
- •Тема 4. Біполярні транзистори Лекція 4/3. Динамiчний режим роботи бiполярного транзистора
- •1. Принцип роботи транзисторного пiдсилювача
- •2. Динамічні параметри бiполярного транзистора
- •2.1. Схема з спiльною базою
- •2.2. Схема пiдсилювача з спiльним емiтером
- •2.3. Схема пiдсилювача зі спiльним колектором
- •Тема 4. Біполярні транзистори
- •2. Робота бiполярних транзисторiв на високих частотах
- •Глава 5. Тиристори
- •5.1. Будова I принцип дiї тиристора
- •5.2. Тринiстор
- •5.3. Симетричний тиристор
5.2. Тринiстор
На вiдмiну вiд динiстора тринiстор має ще один вивiд вiд однiєї з базових областей. Наявнiсть базового електрода дозволяє шляхом подачi на нього напруги управляти величиною напруги переключення.
Управляючий
електрод може бути пiдключеним до любої
з баз тринiстора. Зовнiшньо це виразиться
лише в виборi необхiдної полярностi
джерела управляючого електрода (рис.
5.5а, б). При збiльшеннi струму Iб
в колi управляючого електрода зростає
коефiцiєнт передачi струму
вiдповiдного емiтера. Збiльшення приводить
до того, що рiвнicть
виконається при меншому значеннi прямоє
напруги, що приведе до включення
тринiстора при меншому значеннi U
що наглядно видно на ВАХ (рис. 5.6).
Струм i напруга кола управлiння мають невеликi значення, а струм в анодному колi може бути вiд часток ампера до сотень ампер при анодних напругах вiд декiлька десяткiв - сотень вольт до декiлька тисяч вольт. В результатi коефiцiєнт пiдсилення по потужностi в тринiсторах досягає величини 104 ... 105 .
Тринiстори використовуються в iмпульсних схемах зв'язку, радiолокацiї, автоматицi, а також в потужних випрямлячах i iнверторах, в пристроях управлiння електродвигунами i т.i.
Н
а
рис. 5.1 приведенi умовнi графiчнi позначення
тринiсторiв.
Н
а
рис. 5.5 приведені найпростiші схеми
включення тринiстора з управлiнням по
катоду, тому що управляючим електродом
являється базова р-область,
яка знаходиться близько до катода n.
При подачi iмпульса прямоє напруги
через вивiд управляючого електрода на
емiтерний перехiд цього тринiстора вiн
вiдпирається, якщо для цього, звичайно,
достатня напруга джерела Е.
Тринiстори характеризуються тими ж параметрами, що i динiстори, лише з'являються величини, характеризуючi коло управлiння, наприклад, постiйний вiдпираючий струм управляючого електрода I упр вiдкр.
5.3. Симетричний тиристор
Симетричний тиристор, або симiстор, являє собою структуру n-p-n-p-n або p-n-p-n-p. Цi тиристори вiдпираються при любiй полярностi напруги i проводять струм в обидва напрямки. Структура симiстора складається з п'яти областей з типами електропровiдностi, якi чергуються i утворюють чотири р-n-переходи (рис. 5.7а, б).
Якщо
на такий тиристор подати напругу плюсом
до областi
i мiнусом до областi
(рис. 5.7а), то перехiд 1 змiщується в
зворотному напрямi i струм, який тече
через нього, незначний. Робочою частиною
буде являтися
структура, в якiй вiдбуваються процеси,
аналогiчнi процесам в динiсторi.
Якщо
зовнiшня напруга подається плюсом на
область
,
а мiнусом на область
(рис. 5.7б), то в зворотному напрямi
змiщується перехiд 4 i тодi
структура буде являтися робочою
частиною.
Таким чином, симетричний тиристор можна представити у виглядi двох динiсторiв, якi включенi назустрiч один одному i шунтують один одного. Вольт-амперна характеристика симетричного тиристора показана на рис. 5.8, а його умовне графiчне позначення - на рис. 5.1.
