
- •Тема 4. Бiполярнi транзистори Лекція 4/1. Будова та основи роботи біполярного транзистора
- •1. Загальнi вiдомостi про транзистори
- •1.1. Класифiкацiя транзисторiв
- •1.2. Система позначення транзисторiв
- •2. Будова I принцип дiї бiполярних транзисторiв
- •2.1. Будова сплавних бiполярних транзисторiв
- •3. Способи включення та режими роботи бiполярного транзистора
- •3.1. Принцип дiї бiполярного транзистора в активному режимi
- •Тема 4. Біполярні транзистори Лекція 4/2. Статичні характеристики біполярного транзистора
- •1. Схеми включення бт
- •1.1. Включення транзистора з спiльним емiтером
- •1.2. Включення транзистора з спiльним колектором
- •2. Статичнi характеристики бiполярних транзисторiв
- •2.1. Вхiднi та вихiднi статичнi характеристики бiполярного транзистора для схеми зі спiльною базою
- •2.1. Вхiднi I вихiднi статичнi характеристики бiполярного транзистора в схемi з спiльним емiтером
- •3. Вплив температури на статичнi характеристики бiполярного транзистора
- •3.1. Температурний дрейф характеристик транзистора в схемi з спiльною базою
- •3.2. Температурний дрейф характеристик транзистора в схемi з спiльним емiтером
- •Тема 4. Біполярні транзистори
- •4/3. Диференцiальнi параметри бiполярного транзистора
- •1. Система малосигнальних h–параметрiв
- •2. Фiзичнi параметри I т–подiбна еквiвалентна схема бiполярного транзистора на низьких частотах. 2.1. Фiзичнi параметри бiполярного транзистора.
- •2.2. Фiзична т–подiбна еквiвалентна схема
- •Тема 4. Біполярні транзистори Лекція 4/3. Динамiчний режим роботи бiполярного транзистора
- •1. Принцип роботи транзисторного пiдсилювача
- •2. Динамічні параметри бiполярного транзистора
- •2.1. Схема з спiльною базою
- •2.2. Схема пiдсилювача з спiльним емiтером
- •2.3. Схема пiдсилювача зі спiльним колектором
- •Тема 4. Біполярні транзистори
- •2. Робота бiполярних транзисторiв на високих частотах
- •Глава 5. Тиристори
- •5.1. Будова I принцип дiї тиристора
- •5.2. Тринiстор
- •5.3. Симетричний тиристор
2.3. Схема пiдсилювача зі спiльним колектором
Н
айпростiша
схема пiдсилювача при включеннi транзистора
з спiльним колектором (СК) представлена
на рис. В цiй схемi дiйсно колектор
являється спiльною точкою входу i виходу,
тому що джерела живлення Еб
i Ек
завжди шунтованi конденсаторами
значної ємностi i для перемiнного струму
можуть вважатися короткозамкненими.
При цьому вхiдний сигнал подається
на базу вiдносно колектора. Вхiдним
струмом являється струм бази, а вихiдним
- струм емiтера.
Робота
пiдсилювача при включеннi транзистора
з спiльним колектором пояснюється
епюрами струмiв i напруг, якi представленi
на рис. При дослiдженнi полярностi
перемiнних напруг можна встановити, що
фазовий зсув мiж Uвих
i Uвх
вiдсутнiй. Дiйсно, наприклад, нехай в
момент часу
подається
позитивний пiвперiод Uвх,
як показано на рис. б. Тодi зменшуються
напруга Uбе
(рис.
б), струм бази Iб
(рис. в) i струм емiтера Iе
(рис.
г). При цьому падiння напруги на колекторному
переходi збiльшується (рис. д), а на
резисторi навантаження Rе
зменшується
(рис. е). Отже, на виходi схеми одержимо
позитивний пiвперiод вихідної напруги
(рис. ж).
Таким чином, вихiдна напруга збiгається з вхiдною i, як буде показано нижче, майже дорiвнює їй. Iнакше кажучи, вхiдна напруга повторює вихiдну. Саме тому даний каскад звичайно називають емiтерним повторювачем. Емiтерним тому, що резистор на вантаження включається у вивiд емiтера i вихiдна напруга знiмається з емiтера вiдносно корпуса).
Щоб визначити параметри схеми з СК, скористаємося еквiвалентною схемою замiщення.
В
еквiвалентнiй схемi
.
(3.20)
Вхiдний опiр
(3.21)
Вихiдний опiр в схемi з СК Rвих залежить вiд вибраного режиму роботи (вiд величини струму емiтера Iе) i для типового режиму роботи (струм емiтера одиницi-десятки мА) складає одиницi - десятки Ом.
Коефiцiєнт пiдсилення по струму
.
(3.22)
К
оефiцiєнт
пiдсилення по струму, очевидно, приблизно
дорiвнює
в
схемі зі СЕ,
тобто декiлька десяткiв.
Особливiстю схеми з СК являється те, що вихiдна напруга повнiстю передається знову на вхiд, тобто iснує дуже сильний негативний зворотний зв'язок. Неважко бачити, що вхiдна напруга при цьому дорiвнює сумi перемiнної напруги база - емiтер Uбе i вихідної напруги
Uвх
=
Uбе
+
Uвих.
(3.23)
Тодi коефiцiєнт пiдсилення по напрузi виявляється близьким до одиницi i завжди менший її:
.
(3.24)
Отже, каскад з СК для пiдсилення сигналiв по напрузi непридатний.
Коефiцiєнт
пiдсилення по потужностi,
очевидно, приблизно дорiвнює
,
тобто декiлька десяткiв:
.
(3.25)
Найважливiшi параметри основних схем включення транзистора представленi в таблицi
Параметр |
Схема з СБ |
Схема з СЕ |
Схема з СК |
Кі |
0,95 - 0998 |
Десятки - сотни |
Десятки - сотни |
Кu |
Десятки - сотни |
Десятки - сотни |
Менше одиниці |
Кр |
Десятки - сотни |
Сотні-десятки тисяч |
Десятки - сотни |
Rвх |
Одиниці-десятки ОМ |
Сотні ОМ-одиниці кОМ |
Десятки- сотні кОМ |
Rвих |
Одиниці-десятки кОм |
Одиниці-десятки кОм |
Одиниці-десятки ОМ |
Фазовий зсув між Uвх та Uвих |
0
|
1800 |
0 |
Внаслiдок того, що каскад з СК має дуже великий вхiдний опiр i незначний вихiдний опiр, вiн використовується головним чином для узгодження опорiв мiж окремими каскадами багатокаскадного пiдсилювача або мiж високоомним виходом пiдсилювача i низькоомним навантаженням (наприклад, кабель, динамiк i т.i.).