2.2. Схема пiдсилювача з спiльним емiтером

С хема цього пiдсилювача зображена на рис. Основною особливiстю схеми з СЕ являється те, що вхiдним струмом у нiй служить не великий струм емiтера, а малий по величинi струм бази. Вихiдним струмом в цiй схемi, як i в схемi з СБ, являється струм колектора. Перемiнна напруга, яка видiляється на резисторi R_к, являється вихiдною напругою.

Робота такого пiдсилювача пояснюється епюрами напруг i струмiв, зображеними на рис.

При U_вх = 0 струми бази i колектора будуть визначатися струмами в початковiй робочiй точцi: I_бо i I_ко , а напруга на колекторi дорiвнює U_кео = Е_к – I_ко R_к.

Пiд час позитивного пiвперiоду вхідної напруги (рис. а) пряма напруга емiтерного переходу зменшується (рис. б), що приводить до зменшення струмiв бази i колектора (рис. в,г) i до збiльшення напруги колекторного переходу (рис. д). При цьому фазовий кут зсуву мiж перемiнною напругою на колекторi (яка зумовлюється перемiнною складовою колекторного струму) i перемiнною вхiдною напругою дорiвнює 180^о , тобто схема з СЕ iнвертує вхiдний сигнал.

П ри вiдповiдному виборi опору навантаження R_к амплiтуда перемінної напруги на виходi (рис. е) такого пiдсилювача U_mвих = I_mк R_к може значно перевищувати амплiтуду вхідної напруги, що свiдчить про можливiсть пiдсилення сигналу.

В данiй схемi, як i в схемi з СБ, необхiдною умовою iснування колекторного струму являється наявнiсть джерела постiйного струму Е_к. Внаслiдок того, що напруга в колi колектора значно перевищує напругу, яка пiдводиться до емiтерного переходу, а струми емiтера i колектора приблизно однаковi, потужнiсть корисного сигнала на виходi схеми (в колекторному колi) виявляється набагато бiльшою, нiж у вхiдному (емiтерному) колi транзистора. При цьому транзистор являється своєрiдним регулятором. Пiд дiєю струму (або напруги) вхiдного сигнала вiн управляє струмом джерела живлення Е_к. Величина i форма колекторного струму залежить не лише вiд амплiтуди i форми вхiдного сигнала, але i вiд вибраного режима роботи транзистора, тобто вiд положення робочої точки на характеристиках транзистора.

Ця схема являється найбiльш розповсюдженою, тому що вона дає найбiльше пiдсилення по потужностi.

Для визначення основних параметрiв схеми з СЕ (як i схеми з СБ) будемо використовувати еквiвалентну схему замiщення, зображену на рис.

Вхiдний опiр для схеми з СЕ

(3.14)

i складає вiд сотень Ом до одиниць кОм.

Отже, вхiдний опiр транзистора в схемi з СЕ значно бiльший, нiж в схемi з СБ. Це очевидно з слiдуючої нерiвностi:

. (3.15)

Вихiдний опiр в схемi з СЕ визначається як

(3.16)

i складає одиницi-десятки кiлоом.

Коефiцiєнт пiдсилення по струму

(3.17)

i складає десятки-сотнi.

Коефiцiєнт пiдсилення по напрузi

(3.18)

Коефiцiєнт пiдсилення по потужностi

. (3.19)

Таким чином, схема з СЕ придатна для пiдсилення струму, напруги i потужностi. Позитивним у цiй схемi являється те, що можливо її живити вiд одного джерела напруги Е_к, тому що на базу i на колектор подаються напруги одного знаку. Саме тому схема з СЕ являється найбiльш поширеною в РЕТ.

Недолiками даної схеми, порiвняно зi схемою з СБ, являються гiршi частотнi i температурнi властивостi. З пiдвищенням частоти пiдсилення в схемi з СЕ знижується в значно бiльшiй степенi, нiж в схемi з СБ. Режим роботи схеми з СЕ дуже сильно залежить вiд температури (вплив температури на хiд ВАХ транзистора в схемi з СБ i СЕ був розглянутий раніше.