ЛЕКЦИЯ

"Дискретные транзисторы".

1. Классификация систем условных обозначений.

2. Влияние режимов работы биполярного транзистора (БТ) на его параметры.

3. Шумовые свойства транзисторов.

4. Особенности транзисторов различного назначения.

5. Эксплуатационные характеристики транзисторов.

6. Защита транзисторов от внешних воздействий.

1. Классификация систем условных обозначений.

• По материалу:

1-й элемент

1-Г – германиевые (Ge)

2-К – кремниевые (Si)

3-А – арсенид галия (AsGa)

2 – й элемент

Т – биполярные

П – полевые

• По мощности: 3-й элемент

  	малой Рк<0.3Вт	Рк<=1.5Вт	Рк>1.5Вт
  НЧ	1	4	7
  СЧ	2	5	8
  ВЧ и СВЧ	3	6	9

• По частоте:

НЧ	fгр<=3МГц
СЧ	fгр<30МГц
ВЧ и СВЧ	fгр>30МГц

4-й элемент: 2 или 3 цифры – помер разработки

5-й элемент: буква – классификация по конкретным параметрам (технологический разброс) – это К_у, К_т, U_max.

Для наборов матриц транзисторов может ставиться буква "С".

Для СВЧ транзисторов в одном корпусе стоит в конце буква "П".

Если в конце стоит дефис и цифра:

-1 – бескорпусный с гибкими выводами без кристаллодержателя;

-2 – с гибкими выводами с кристаллодержателем;

-3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя;

-4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе;

-5 – с контактными площадками без кристаллодержателя;

-6 – с контактными площадками на кристаллодержателе;

• Транзисторы малой мощности делят на группы:

- для УНЧ и УВЧ;

• малошумящие переключательные, работающие в режимах насыщения и ненасыщения;

• малотоковые прерыватели.

• Транзисторы высокой мощности делят на:

- усилительные;

- генераторные;

• переключательные.

• По технологическому признаку транзисторы делят:

- сплавные;

- диффузионно-сплавные;

- диффузионные;

- планарные;

- эпитаксиально-планарные (повысилось U_К пробивное, r_к, С_к, более слабой стала зависимость  от I_э)

- мезатранзисторы:

 используют на ВЧ и СВЧ

• ионно-легированные структуры для СВЧ транзисторов (слой не более 1 мкм), r_б меньше чем у других и очень тонкая оболочка базы менее 1 мкм, что повысило рабочую частоту f.

2. Влияние режимов работы бт на его параметры.

1. Зависимость: =f(I_э).

2. 1 обл.: с  I_э  - уменьшается влияние рекомбинации в эмиттерном переходе.

3 обл.: - область больших токов – высокий уровень инжекции, уменьшение сопротивления базы,  коэффициента инжекции эмиттера, оттеснение тока эмиттера на края эмиттера и уменьшение плотности тока в центре.

2 обл.: - область неравномерного распределения потенциала в эмиттере (в центре меньше, чем по краям), => (оттеснение I_э на край и уменьшение плотности). Происходит физическое увеличение толщины базы. Увеличение области заряда к коллектору.

2.Зависимость: =f(U_кэ).

При росте U_кэ увеличивается переход коллектор – база (К-Б) в сторону базы и база уменьшается и коэффициент инжекции  растет.

3. Зависимость: =f(Т).

Уменьшается инжекция дырок из базы в эмиттер.

4 . Влияние тока эмиттера I_э на граничную частоту f_гр. f_гр=f(I_э)

В области малых токов при I_э происходит r_э=>I_э.

I_э=R_эС_эб (или I_э => r_э => I_э=r_эС_э)

В области больших токов толщина базы  (эффект Кирка) и возрастает время пролета носителей через базу и f_гр.

5. Зависимость  и  от f (частоты).

6 дБ – изменения в 2 раза

20 дБ – изменения в 10 раз

на f_гр - =1.

f_{генерации транзистора} - это частота, где К_р=1.

; r_к=r_бС_к.