
- •Содержание
- •Введение
- •Лабораторная работа № 1 Влияние плазмы тлеющего разряда на электрические свойства тонких пленок.
- •Теоретическое введение
- •Порядок выполнения
- •Лабораторная работа № 2
- •1. Эллипсометрия.
- •2. Метод Крамерса-Кронига
- •Практическая часть
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа № 3 Прочностные и энергетические характеристики металлических пленок, полученных при различных технологических режимах
- •Теоретическое введение
- •1) Механические методы:
- •Порядок выполнения:
- •Порядок выполнения работы
- •Порядок выполнения
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа № 6 Влияние лазерного отжига на лучевую стойкость диэлектрических пленок
- •Теоретическое введение
- •Порядок выполнения
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №7 Метод измерения удельного сопротивления тонких пленок
- •Теоретическое введение Двухзондовый метод измерения
- •Неоднородность в распределении удельного сопротивления
- •Четырёхзондовый метод измерения.
- •Линейное расположение зондов
- •Расположение зондов по вершинам квадрата
- •Электрическая схема и методика измерения
- •Применение четрехзондового метода к образцам простой геометрической формы
- •Двухслойная структура
- •Тонкий слой
- •Порядок выполнения
- •Контрольные вопросы:
- •240019. Г. Гомель, ул. Советская, 104
- •240019. Г. Гомель, ул. Советская, 104
Линейное расположение зондов
Сформулируем предположения, на которых основан четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления: 1) зонда расположены на плоской поверхности однородного изотропного образца полубесконечного объема; 2) зонда имеют контакты с поверхностью образца в точках, которые расположены вдоль прямой линии; 3) инжекция носителей заряда в объем образца отсутствует.
По принципу суперпозиции электрический потенциал в любой точке образца равен сумме потенциалов, создаваемых в этой точке током каждого зонда. При этом потенциал имеет положительный знак для тока, втекающего в образец (зонд I) и отрицательный знак для тока, вытекающего из образца (зонд 4). для системы зондов, расстояние между которыми s1, s2, s3, потенциалы измерительных зондов 2 и 3
Разность потенциалов
(4)
Согласно (4), удельное сопротивление образца
Если расстояния между зондами одинаковы, т.е. s1= s2,=s3=s, то
(5)
Используя другие комбинации включения токовых и потенциальных зондов, можно получить аналогичные выражения для удельного сопротивления, которые отличаются от (5) значениями числовых коэффициентов, приведенными в табл.1.
Таблица I
№ n/n
|
Зонды
|
Ток
|
Зонды
|
Напряжение
|
Числовой коэффициент |
1 2 3 4 5 6 |
1–4 1–2 1–3 2–3 2–4 3–4 |
I14 I12 I13 I23 I24 I34 |
2–3 3–4 2–4 1–4 1–3 1–2 |
U23 U34 U24 U14 U13 U12 |
2 6 3 2 3 6 |
Как следует из табл.1, предпочтительны комбинации включения зондов 1 и 4, так как они обеспечивают максимальное регистрируемое напряжение.
Расположение зондов по вершинам квадрата
Линейное расположение зондов на поверхности полупроводникового образца не является единственно возможным. Можно, например, использовать систему четырех зондов, расположенных по вершинам квадрата. В этом случае ток протекает через зонды, образующие одну из сторон квадрата, например через зонды 1 и 2 , а напряжение измеряют на другой паре зондов 3 и 4. Используя соотношение (2), легко рассчитать что при таком расположении зондов удельное сопротивление
Расположение зондов по вершинам квадрата обеспечивает снижение случайных ошибок в два раза. Это достигается за счет выполнения измерений при пропускании тока последовательно через каждую пару соседних зондов, изменения полярности приложенного напряжения и последующего вычисления среднего значения удельного сопротивления по результатам восьми измерений. С помощью современной электронной измерительной аппаратуры такие измерения легко могут быть автоматизированы.