Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
КБЗ_ТЗІ_лаб5.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
1.25 Mб
Скачать

5.2. Отримання вхідних та вихідних вольт-амперних характеристик біполярного транзистора для увімкнення зі спільною базою

Синтезуємо схему, подану на рис.6,а. Вибираємо джерела живлення, необхідні для реалізації схеми, типу Current Source і Voltage Source і задаємо потрібні значення струму (250 мА) і напруги (10 В).

Для побудови ВАХ вибираємо в основному меню Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току і встановлюємо опції і параметри.

Для побудови вхідної характеристики транзистора, увімкненого у схему зі СБ, IЕ=f(UБЕ), якщо UKБ =const, необхідно встановити параметри (рис. 8,а). Для отримання сім’ї вихідних характеристик IK=f(UKЕ), якщо IБ=const, необхідно встановити параметри (рис. 8,б).

а)

б)

Рис.8. Вікна Анализ/передаточные характ. по постоянному току для побудови вхідних (а) вихідних (б) ВАХ біполярного транзистора для схеми увімкнення зі СБ

5.3. Отримання вхідних вольт-амперних характеристик біполярного транзистора для увімкнення зі спільним емітером

Синтезуємо схему, подану на рис.6,б. Вибираємо джерела живлення, необхідні для реалізації схеми, типу Current Source і Voltage Source і задаємо потрібні значення струму (5 мА) і напруги (10 В).

Для побудови ВАХ вибираємо в основному меню Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току і встановлюємо опції і параметри.

Для побудови вхідної характеристики транзистора, увімкненого у схему зі СЕ, IБ=f(UБЕ), якщо UKЕ=const необхідно встановити параметри (рис.9,а), а для побудови вихідних характеристику IK=f(UKЕ), якщо IБ=const – параметри, подані на рис.9,б.

(а)

(б)

Рис.9. Вікно Анализ/передаточные характ. по постоянному току для побудови вхідних (а) та вхідних (б) ВАХ біполярного транзистора для схеми увімкнення зі СЕ

5.4. Визначення h-параметрів біполярного транзистора для схем увімкнення зі спільною базою та спільним емітером.

Для визначення hБ-параметрів транзистора використовують метод характеристичного трикутника (рис.10, 11). Визначення h-параметрів біполярного транзистора проводиться на прикладі схеми увімкнення зі спільною базою.

На вхідних характеристиках транзистора будують характеристичний трикутник аbс (рис.10), з якого знаходимо h11Б  вхідний опір транзистора у схемі зі спільною базою:

при UKБ=сonst,

де , а

Отже,

З цього ж трикутника визначаємо h12Б  коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора у схемі зі спільною базою при :

,

де , а

Підставляємо значення і у вираз для h12Б і отримуємо

Параметри h21Б і h22Б визначають за вихідними характеристиками, які зображені на рис.11. Побудувавши характеристичний трикутник fnk знаходимо h21Б  коефіцієнт підсилення транзистора за струмом у схемі зі спільною базою.

при

де ; а

З цього ж характеристичного трикутника fnk на вихідній характеристиці визначаємо h22Б  вихідну провідність транзистора у схемі зі спільною базою

при

де а

6. Вимоги до оформлення звіту

Звіт повинен містити:

1. Назву та мету роботи.

2. Постановку задачі дослідження.

3. Умовні графічні позначення біполярних транзисторів п-р-п- та р-п-р -типів.

4. Створені електричні схеми для дослідження ВАХ біполярних транзисторів для схем увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером.

5. Вхідні та вихідні ВАХ біполярного транзистора для схеми увімкнення зі спільною базою.

6. Вхідні та вихідні ВАХ біполярного транзистора для схеми увімкнення зі спільним емітером .

7. h-параметри біполярних транзисторів для схем увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером.

8. Висновки про особливості ВАХ біполярних транзисторів для схем увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером.

9. Порівняння h-параметрів біполярних транзисторів для схем увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером .

Контрольні запитання та завдання

  1. Розповісти про побудову біполярних транзисторів, їх умовне позначення.

  2. Яке співвідношення між напругами та струмами в біполярному транзисторі.

  3. Як визначаються коефіцієнти передачі струму емітера та передачі струму бази та який взаємозв’язок є між ними.

  4. Вкажіть на основні особливості схем увімкнення транзистора у схемі зі спільною базою та зіспільним емітером.

  5. Яку залежність відображають вхідна та вихідна характеристики транзистopa у схемі зі спільним емітером?

  6. Як впливає значення напруги між колектором і емітером на положення вхідної статичної характеристики транзистора?

  7. Як впливає значення струму бази на положення вихідної статичної характеристики транзистора?

  8. Яку залежність відображають вхідна та вихідна характеристики транзистора у схемі зі спільною базою?

  9. Як впливає значення напруги між базою і колектором на хід вхідної статичної характеристики транзистора?

  10. Охарактеризуйте кожен з h-параметрів транзистора Вкажіть розмірність h-параметрів, поясніть їхній фізичний зміст.

  11. Яким чином можна визначити h-параметри за статичними характеристиками транзистора?

  12. Порівняти h-параметри біполярного транзистора для схем увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером

  13. Назвіть власні параметри транзистора.