
- •Оглавление
- •1 Введение в функциональную электронику
- •Основные направления развития функциональной микроэлектроники
- •2 Оптоэлектроника и оптоэлектронные устройства
- •2.1 Оптоэлектронные приборы
- •2.1.1 Оптопары
- •2.1.2 Резисторные оптопары
- •2.1.3 Диодные оптопары
- •2.1.4 Транзисторные оптопары
- •2.1.5 Тиристорные оптопары
- •2.1.6 Оптоэлектронные микросхемы
- •2.1.7 Параметры оптопар
- •2.2 Оптическая память
- •2.2.1 Оптические запоминающие устройства
- •2.2.2 Оптические запоминающие среды
- •2.3 Основы интегральной оптики
- •2.4 Устройства и элементная база интегральной оптики
- •2.5 Оптические волокна: их типы и характеристики. Волноводы
- •2.6 Интегрально-оптические схемы
- •3. Функциональная полупроводниковая электроника, приборы с зарядовой связью.
- •3.1. Физические основы
- •3.1.1. Динамические неоднородности в полупроводниках
- •3.1.2. Континуальные среды
- •3.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •3.1.4. Устройства управления динамическими неоднородностями
- •3.1.5. Детекторы динамических неоднородностей
- •3.2. Приборы и устройства функциональной полупроводниковой электроники
- •3.2.1. Аналоговые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.2. Цифровые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.3. Запоминающие устройства на пзс-структурах
- •3.2.4. Биспин-приборы
- •3.2.5. Приборы на волнах пространственного заряда
- •3.2.6. Ганновские приборы
- •4 Функциональная магнитоэлектроника, приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.1. Физические основы функциональной магнитоэлектроники
- •4.1.1. Динамические неоднородности в магнитоэлектронике
- •4.1.2. Континуальные среды
- •4.1.3. Генерация, детектирование и управление динамическими неоднородностями
- •4.2. Приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.2.1. Процессоры сигналов на цмд
- •4.2.2. Процессоры сигналов на мсв
- •4.2.3. Запоминающие устройства на цмд
- •4.2.4. Запоминающие устройства на магнитных вихрях
- •5. Функциональная акустоэлектроника и приборы функциональной акустоэлектроники
- •5.1. Физические основы
- •5.1.1. Динамические неоднородности
- •5.1.2. Континуальные среды
- •5.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •2.1.4. Устройство управления динамическими неоднородностями
- •5.1.5. Детектирование динамических неоднородностей
- •5.2. Приборы функциональной акустоэлектроники
- •2.2.1. Линии задержки
- •5.2.2. Устройства частотной селекции
- •5.2.3. Генераторы на пав
- •5.2.4. Усилители
- •5.3. Нелинейные устройства
- •5.3.1. Физические основы
- •5.3.2. Конвольверы
- •5.3.3. Устройства памяти
- •5.3.4. Фурье-процессоры
- •5.4 Акустоэлектроника в системах связи
- •6. Физические основы квантовой электроники
- •6.1. Спонтанное и вынужденное излучение
- •6.2 Спектральные линии
- •6.3 Поглощение и усиление
- •6.4 Принципы работы лазера
- •6.5 Типы лазеров
- •6.5.1. Лазеры на основе конденсированных сред
- •6.5.1.1. Твердотельные лазеры
- •6.5.1.2. Полупроводниковые лазеры
- •6.5.1.3. Жидкостные лазеры
- •6.5.2 Газовые лазеры
- •6.5.2.1 Лазеры на нейтральных атомах
- •6.5.2.2 Ионные лазеры
- •6.5.2.3 Молекулярные лазеры
- •6.5.2.4 Эксимерные лазеры
- •6.5.2.5 Газодинамические лазеры
- •6.5.3 Химические лазеры
- •6.5.4 Лазеры на парах металла
- •6.5.5 Лазеры на свободных электронах
- •7. Функциональная диэлектрическая электроника
- •7.1. Физические основы
- •7.1.1. Динамические неоднородности
- •7.1.2. Континуальные среды
- •7.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •7.1.4. Другие элементы приборов
- •7.2. Приборы и устройства функциональной диэлектрической электроники
- •7.2.1. Слоистые структуры
- •7.2.2. Устройства памяти
- •7.2.3. Процессоры
- •8 Функциональная молекулярная электроника
- •8.1 Физические основы
- •8.1.1. Динамические неоднородности
- •8.1.2. Континуальные среды
- •8.1.3. Другие элементы приборов
- •8.2. Молекулярные устройства
- •8.3. АВтоволновая электроника
6.5.3 Химические лазеры
Химические лазеры — лазеры, в которых инверсия населенностей создается во время экзотермических химических реакций, приводящей к преобразованию химической энергии в энергию электромагнитного излучения.
Различают три вида химических реакций, на основе которых созданы химические лазеры: - фотодиссоциация или распад молекул под действием света;
- диссоциация молекул при электрическом разряде в газе;
- взаимодействие молекул, атомов и соединений.
Химический лазер с использованием реакции фторирования водорода представлен на Рисунок - 6.22.
Молекулярный азот N2 нагревают в камере до Т= 2000 К и одновременно в реактивную камеру вводят газообразный гексафторид серы (SF6). В процессе смешения с горячим азотом происходит диссоциация с образованием атомов фтора. Смесь продувается со сверхзвуковой скоростью через сопла Лаваля. Одновременно вводится водород Н2. В результате взаимодействия фтора и водорода образуется колебательно-возбужденные молекулы фтористого водорода (HF)*, которые проникают через оптический резонатор из параллельных зеркал. В оптическом резонаторе возбуждается когерентное излучение на длинах волн 2,6 3,6 мкм. Мощность непрерывной генерации достигает десятки киловатт при КПД ~ 10%.
Фотодиссационные лазеры содержат в качестве активной среды результат распада, например, по схеме
где J* — возбужденный атом иода.
Йодный фотодиссационный лазер работает на длине волны λ = 1,31 мкм с энергией в импульсе до 100 Дж.
Существуют и другие типы лазеров с использованием различных типов химических реакций. Разрабатываются лазеры, работающие в видимом и ультрафиолетовом диапазоне длин волн.
6.5.4 Лазеры на парах металла
Лазеры на парах металлов — газовые лазеры, активная среда которых является парами металла.
В настоящее время генерация газовых лазеров осуществляется на переходах атомов и атомарных ионов более 50 элементов, из них половина на переходах атомов или ионов металлов.
Разрядная трубка с металлом помещается в трубчатую печь. Для поддержания разряда в ненагреваемых частях трубки используется буферный инертный газ, например, гелий (Рисунок - 6.23). В некоторых конструкциях буферный газ используется в процессе создания инверсной заселенности уровней, например, в гелий-кадмиевом лазере. Вместо термического нагрева иногда используют явление катафореза или движения дисперсионных частиц под действием электрического поля. Это явление объясняется существованием на границе двойного электрического слоя.
Рисунок - 6.23. Схема лазера на парах металла: 1 — нагреватель; 2 — резонаторная трубка; 3 — электроды; 4 — зеркала резонатора
Одной из перспективных конструкций является лазер на парах меди. В активной системе лазера на парах меди при переходах с резонансного уровня на метастабильный возникает уникально высокий коэффициент усиления. Эти лазеры могут работать в режиме сверхсветимости, при котором использование оптического резонатора необязательно. Такая возможность позволяет использовать лазер на парах меди в качестве когерентных усилителей света, способных за один переход активной среды на несколько порядков усилить яркость световых пучков, формирующих изображение или какую-нибудь оптическую информацию. Лазер на парах меди генерирует в зеленой части спектра λ=0,510 мкм. Возможна генерация также на желтой линии λ=0,578 мкм. Накачка активной среды в лазерах на парах металлов осуществляется газовым разрядом, оптическим путем, процессом перезарядки, в процессе рекомбинации двукратно заряженных ионов.