
- •Тема 1. Твердое тело. Кристаллическая решетка. Симметрия и классификация кристаллов. Дефекты в кристаллах.
- •1.1.Твердое тело (конденсированное состояние).
- •1.2. Типы связей в твердом теле. Природа сил взаимодействия в твердом теле. Кристалл.
- •1.3. Геометрия кристаллической решетки. Трансляция. Элементарная ячейка. Элементы симметрии.
- •1.4. Классы симметрии. Решетка Браве.
- •1 .5. Классификация кристаллов по типу связей.
- •1.6.Символические обозначения плоскостей и направлений в кристаллах. Индексы Миллера.
- •1.7. Дефекты в кристаллах.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 2. Элементы зонной теории твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики. Элементы зонной теории. Энергия ферми.
- •2.2.Четыре типа энергетических (зонных) диаграмм твердого тела.
- •3.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •3.3. Энергия Ферми.
- •3.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •3.5. Собственная проводимость полупроводника. Уровень Ферми в собственном полупроводнике. Эффективная масса носителей заряда.
- •3.6. Примесные полупроводники.
- •3.6.1. Примесные уровни.
- •3.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •3.6.3. Полупроводник р-типа.
- •3.6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •3.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников
- •3.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 4. Свойства электронов. Работа выхода электро-нов. Движение электронов в электрических и магнитных полях.
- •4.1. Свойства электронов.
- •4.2. Работа выхода электронов и влияние адсорбционных слоев на работу выхода.
- •4.2.1. Работа выхода электронов
- •4.2.2. Влияние адсорбционных слоев на работу выхода.
- •4.3. Движение электронов в электрических и магнитных полях.
- •4.3.1. Электрон в электрическом поле.
- •4.3.2. Электрон в магнитном поле.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 5. Электронный газ в проводнике. Вырожденный и невырожденный электронный газ. Электропроводность чистых металлов и спла-вов. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
- •5.1. Равновесное состояние электронного газа в проводнике в отсутствие электрического поля.
- •5.2. Электропроводность невырожденного и вырожденного газов.
- •5.2.1. Невырожденный газ.
- •5.2.2. Вырожденный газ.
- •5.3. Зависимость подвижности носителей заряда от темпера-туры.
- •5.3.1. Область высоких температур.
- •5.3.2. Область низких температур.
- •5.4. Электропроводность чистых металлов.
- •5.4.1. Проводимость электронных металлов.
- •5.5. Электропроводность металлических сплавов.
- •5.6. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях. Эффект Ганна.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 6. Эффект Холла.
- •6.1. Эффект Холла.
- •6.1.1. Эффект Холла в полупроводнике.
- •6.1.2. Эффект Холла в полупроводниках с двумя типами носи-телей заряда.
- •Вопросы для повторения:
- •7.1.2. Толщина двойного электрического слоя, возникающего в месте контакта двух металлов.
- •7.2.Контакт электронного и дырочного полупроводников (p–n переход).
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 8. Свойства p-n перехода.
- •8.2. Свойства p-n перехода при наличии внешнего напряжения.
- •8.3. Обратное включение p-n перехода.
- •8.4. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
- •8.5. Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •8.6. Туннельный эффект.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 9. Контакт металл – полупроводник. Гетеропереходы. Поверхностные явления в полупроводнике.
- •9.1. Контакт металл– полупроводник. Переход Шоттки.
- •9.2. Поверхностные явления в полупроводниках.
- •9.3. Гетеропереходы.
- •9.3.1. Идеальный р-n переход
- •9.3.3. Омический переход.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 10. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •10.1. Фотопроводимость в полупроводниках.
- •10.2. Фоторезистивный эффект.
- •10.3. Фотоэффект в р-п переходе.
- •10.4.Электромагнитное излучение в полупроводниках.
- •10.5. Лазеры.
- •10.6. Конструкция и изготовление инжекционных лазеров.
- •10.7. Основные характеристики и параметры лазеров.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 11. Термоэлектрические явления.
- •11.1. Термоэлектрические явления.
- •11.1.1. Эффект Зеебека.
- •11.1.2. Эффект Пельтье.
- •11.1.3. Эффект Томсона.
- •11.2. Применение термоэлектричества.
- •11.2.1. Применение металлических термобатарей и термопар.
- •11.2.2. Полупроводниковые термоэлектрические приборы.
- •11.2.3. Холодильники и тепловые насосы.
- •11.2.4. Термоэлектрическое охлаждающее устройство (тоу).
- •11.2.5. Использование принципа полупроводникового теплового насоса.
- •Вопросы для повторения:
- •12.1.2. Несамостоятельный разряд.
- •12.1.3. Самостоятельный разряд.
- •12.1.4. Типы самостоятельного разряда.
- •12.2. Понятие о плазме.
- •12.3. Электрический ток в вакууме.
- •12.3.1. Вакуум. Термоэлектронная эмиссия.
- •12.3.2. Электронные лампы.
- •12.4. Электронные пучки. Электронно-лучевая трубка.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Приложение Приложение n 1.
- •Приложение n 2.
- •Глоссарий
1.7. Дефекты в кристаллах.
Атомы в кристаллах располагаются в местах, которые соответствуют их равновесным положениям. Однако это не означает, что они находятся в покое. Как в газах и жидкостях, атомы твердого тела находятся в беспрерывном тепловом движении, но характер его отличается от рассмотренных ранее движений молекул газов или жидкостей. Движения атомов в твердом теле имеют характер малых колебаний около положения равновесия, и эти движения определяют температуру твердого тела.
В реальных кристаллах в той или иной мере нарушается правильность в расположении атомов. Уже сами тепловые движения нарушают регулярность кристаллической структуры. С изменением температуры изменяется и степень нарушения периодичности решетки за счет тепловых движений атомов. Такие нарушения существуют всегда, и они служат фоном для всех других явлений, происходящих в кристаллах. Этим в первую очередь объясняется зависимость свойств кристаллов от температуры. Все другие нарушения периодичности решетки, которые не сводятся к тепловым движениям, называются дефектами.
Все дефекты оказывают весьма существенное влияние на свойства кристаллов. Наиболее важными дефектами являются следующие:
Дефекты типа Шоттки. В реальных кристаллах некоторые узлы кри-сталлической решетки, в которых должны находиться атомы, оказываются незанятыми. Такие вакансии (отсутствие атома в узле решетки) вызывают смещение соседних атомов относительно их нормального положения, что приводит к нарушению строгой регулярности решетки вблизи вакансии. (Рис.1.7.1)
Дефекты по Френкелю, Они возникают в том случае, когда атом покидает свое место в узле кристаллической решетки и размещается в междоузлии в окружении атомов, расположенных на своих законных местах. Возникают сразу два дефекта (пара Френкеля), так как пустой узел и атом в междоузлии в равной мере нарушают правильность решетки (Рис.1.7.2).
Дислокации. Этот вид дефектов возникает в случае, когда между атомными плоскостями вклинивается неполная дополнительная атомная плоскость. Если дефекты по Шоттки и Френелю являются точечными, то дислокации представляют собой линейные дефекты, так как наибольшие искажения кристаллической решетки наблюдаются вдоль края липшей атомной плоскости (Рис.1.7.3).
Примеси. Некоторые места в узлах кристаллической структуры могут быть заняты посторонними атомами.
-Раствор внедрения (Рис.1.7.4);
-Раствор замещения (Рис.1.7.5).
Такие химические примеси оказывают очень сильное влияние на электрические свойства полупроводников и используются как инструмент регулирования электрических характеристик.
Существуют и другие виды дефектов, а также разновидности названных.
Вопросы для повторения:
Дать определение твердого тела.
Разделите твердые тела на пять классов в зависимости от типа связей между атомами.
Какова природа сил взаимодействия между атомами в кристалле.
Какое твердое тело мы называем кристаллом.
Дайте определение трансляционной группы и элементарной ячейки.
Перечислите элементы симметрии.
Что называется классом симметрии?
Перечислите по памяти 7 сингоний. Какая из них обладает наивысшей симметрией.
Опишите особенности сил взаимодействия в кристаллах :
c ван-дер-ваальсовскими связями
с ковалентной связью
с водородной связью
с ионной связью
с металлической связью