
- •Тема 1. Твердое тело. Кристаллическая решетка. Симметрия и классификация кристаллов. Дефекты в кристаллах.
- •1.1.Твердое тело (конденсированное состояние).
- •1.2. Типы связей в твердом теле. Природа сил взаимодействия в твердом теле. Кристалл.
- •1.3. Геометрия кристаллической решетки. Трансляция. Элементарная ячейка. Элементы симметрии.
- •1.4. Классы симметрии. Решетка Браве.
- •1 .5. Классификация кристаллов по типу связей.
- •1.6.Символические обозначения плоскостей и направлений в кристаллах. Индексы Миллера.
- •1.7. Дефекты в кристаллах.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 2. Элементы зонной теории твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики. Элементы зонной теории. Энергия ферми.
- •2.2.Четыре типа энергетических (зонных) диаграмм твердого тела.
- •3.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •3.3. Энергия Ферми.
- •3.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •3.5. Собственная проводимость полупроводника. Уровень Ферми в собственном полупроводнике. Эффективная масса носителей заряда.
- •3.6. Примесные полупроводники.
- •3.6.1. Примесные уровни.
- •3.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •3.6.3. Полупроводник р-типа.
- •3.6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •3.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников
- •3.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 4. Свойства электронов. Работа выхода электро-нов. Движение электронов в электрических и магнитных полях.
- •4.1. Свойства электронов.
- •4.2. Работа выхода электронов и влияние адсорбционных слоев на работу выхода.
- •4.2.1. Работа выхода электронов
- •4.2.2. Влияние адсорбционных слоев на работу выхода.
- •4.3. Движение электронов в электрических и магнитных полях.
- •4.3.1. Электрон в электрическом поле.
- •4.3.2. Электрон в магнитном поле.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 5. Электронный газ в проводнике. Вырожденный и невырожденный электронный газ. Электропроводность чистых металлов и спла-вов. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
- •5.1. Равновесное состояние электронного газа в проводнике в отсутствие электрического поля.
- •5.2. Электропроводность невырожденного и вырожденного газов.
- •5.2.1. Невырожденный газ.
- •5.2.2. Вырожденный газ.
- •5.3. Зависимость подвижности носителей заряда от темпера-туры.
- •5.3.1. Область высоких температур.
- •5.3.2. Область низких температур.
- •5.4. Электропроводность чистых металлов.
- •5.4.1. Проводимость электронных металлов.
- •5.5. Электропроводность металлических сплавов.
- •5.6. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях. Эффект Ганна.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 6. Эффект Холла.
- •6.1. Эффект Холла.
- •6.1.1. Эффект Холла в полупроводнике.
- •6.1.2. Эффект Холла в полупроводниках с двумя типами носи-телей заряда.
- •Вопросы для повторения:
- •7.1.2. Толщина двойного электрического слоя, возникающего в месте контакта двух металлов.
- •7.2.Контакт электронного и дырочного полупроводников (p–n переход).
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 8. Свойства p-n перехода.
- •8.2. Свойства p-n перехода при наличии внешнего напряжения.
- •8.3. Обратное включение p-n перехода.
- •8.4. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
- •8.5. Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •8.6. Туннельный эффект.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 9. Контакт металл – полупроводник. Гетеропереходы. Поверхностные явления в полупроводнике.
- •9.1. Контакт металл– полупроводник. Переход Шоттки.
- •9.2. Поверхностные явления в полупроводниках.
- •9.3. Гетеропереходы.
- •9.3.1. Идеальный р-n переход
- •9.3.3. Омический переход.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 10. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •10.1. Фотопроводимость в полупроводниках.
- •10.2. Фоторезистивный эффект.
- •10.3. Фотоэффект в р-п переходе.
- •10.4.Электромагнитное излучение в полупроводниках.
- •10.5. Лазеры.
- •10.6. Конструкция и изготовление инжекционных лазеров.
- •10.7. Основные характеристики и параметры лазеров.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 11. Термоэлектрические явления.
- •11.1. Термоэлектрические явления.
- •11.1.1. Эффект Зеебека.
- •11.1.2. Эффект Пельтье.
- •11.1.3. Эффект Томсона.
- •11.2. Применение термоэлектричества.
- •11.2.1. Применение металлических термобатарей и термопар.
- •11.2.2. Полупроводниковые термоэлектрические приборы.
- •11.2.3. Холодильники и тепловые насосы.
- •11.2.4. Термоэлектрическое охлаждающее устройство (тоу).
- •11.2.5. Использование принципа полупроводникового теплового насоса.
- •Вопросы для повторения:
- •12.1.2. Несамостоятельный разряд.
- •12.1.3. Самостоятельный разряд.
- •12.1.4. Типы самостоятельного разряда.
- •12.2. Понятие о плазме.
- •12.3. Электрический ток в вакууме.
- •12.3.1. Вакуум. Термоэлектронная эмиссия.
- •12.3.2. Электронные лампы.
- •12.4. Электронные пучки. Электронно-лучевая трубка.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Приложение Приложение n 1.
- •Приложение n 2.
- •Глоссарий
1.4. Классы симметрии. Решетка Браве.
Классы симметрии. Различные кристаллы могут обладать несколькими элементами симметрии. Очевидно, что, чем большим числом элементов симметрии обладает тело, тем оно симметричнее. Шар, обладающий бесконечным числом осей симметрии, плоскостей симметрии и центром симметрии, является наиболее симметричным телом. В кристаллографии показано, что существуют всего 32 возможные комбинации элементов симметрии. Каждая из таких возможных комбинаций называется классом симметрии. В природе существуют только кристаллы, относящиеся к одному из 32 классов симметрии. Например, кристаллы, обладающие одной осью симметрии, образуют пять классов симметрии из 32-х, соответствующих пяти порядкам этих осей, включая и ось первого порядка, когда симметрии нет.
Четыре класса образуют кристаллы, обладающие кроме указанной оси симметрии еще и перпендикулярными к ней осями второго порядка. Отдельный класс симметрии образуют кристаллы, обладающие только центром симметрии, и т.д.
В кристаллографии принято объединять 32 класса симметрии в 7 систем симметрии или 7 сингоний, которые носят следующие названия в порядке возрастания симметрии:
триклинная система, включающая два класса симметрии,
тригональная система, объединяющая семь классов,
моноклинная система, куда входят три класса.
гексагональная система - пять классов,
ромбическая, также с тремя классами,
тетрагональная система с семью классами,
кубическая система., наиболее симметричная, включающая пять классов.
Э
лементарная
ячейка триклинной
сингонии
показана на рис.1.4.1.
Решетка такого типа обладает низшей
симметрией.
Стороны параллелепипеда образованы
разными ортами
вектора трансляции. Углы между ортами
также разные.
Тригоналъной решетке (рис.1.4.2) соответст-вует ячейка, образованная равными по модулю векторами, углы между которыми также равны друг другу.
Моноклинная решетка (рис.1.4.3) состоит из ячеек, образованных тремя разными вектора-ми, один из которых образует прямой угол с двумя другими.
Г
ексагональная
решетка
(рис. 1.4.4) состоит из элементарных ячеек,
стороны которых образованы
двумя одинаковыми векторами, угол между
которыми равен 60° и третьим вектором,
перпендикулярным к двум другим и неравным
им по модулю.
В ромбической решетке (рис. 1.4.5) элементарная ячейка образована неравны-ми друг другу векторами, углы между которыми – прямые. В ячейке тетра-гональной решетки (рис.1.4.6) углы между векторами сохраняются прямыми, но только два вектора равны друг другу по модулю, и, наконец, в кубической решетке элементарная ячейка (рис.1.4.7) образована тремя равными по модулю векторами, ортогональными друг другу.
Следует отметить, что в кристалле частицы вещества (атомы, ионы или молекулы) могут располагаться не только в узлах кристаллической решетки, но и в центре граней (гране-центрированная решетка) или в середине диагональной плоскости, проходящей через вершины (объемно-центрированная решетка), С учетом такого расположения частиц можно сформировать 14 трехмерных решеток, названных решетками Браве.