
- •Оглавление
- •1 Явление ядерного распада как основа ядерной энергетики
- •1.1 Из каких частиц состоит ядро атома, какие у них свойства – масса, заряд
- •1.2 Назвать 3 основных вида радиоактивных излучений и дать характеристики (заряд, масса, проникающая способность) образующих их частиц.
- •1.3 Закон радиоактивного распада. Период полураспада.
- •1.4 Что называется естественной радиоактивностью, показать и объяснить на примерах
- •1.5 Цепная реакция деления ядра. Критическая масса.
- •1.6 Принцип работы ядерного реактора
- •1.7 Дефект массы. Ядерные и термоядерные реакции
- •2. Тепловые машины и тепловые насосы различных видов. Методы повышения кпд двс в современном автомобилестроении
- •2.1 Первый и второй законы термодинамики
- •2.2 Тепловой двигатель, кпд, примеры
- •2.3 Цикл Карно
- •2.4 Тепловой насос, холодильный и отопительный коэффициенты.
- •2.5 Типы тепловых насосов и области их практического применения
- •2.6. Способы увеличения кпд промышленных тепловых двигателей
- •3. Эффект Пельтье. Термоэлектрические преобразователи. Новые применение, перспективы использования
- •3.1 Эффект Пельтье
- •3.2. Эффект Зеебека
- •3.2 Уравнение теплового баланса термоэлектрического теплового насоса
- •3.3 Устройство и основные характеристики термоэлектрический модуля (тэм)
- •3.4 Преимущества и недостатки термоэлектрического охлаждения
- •3.5 Основные области применения термоэлектрического охлаждения тэм. Перспективы.
- •3.6 Термоэлектрический генератор (тэг). Конструкция, параметры.
- •3.7 Основные области применения тэг.
- •4. Изобретение транзистора как революционный этап развития электроники. Основные положения физики полупроводников. Эволюция твердотельной электроники за последние 20 лет
- •4.1 Дать объяснение понятию полупроводник и показать в чем состоит уникальность свойств полупроводников с точки зрения электроники
- •4.2. Назвать три основные энергетические зоны в полупроводниках. Объяснить их отличительные свойства с точки зрения характера движения электронов.
- •4.3. Понятие собственного полупроводника. Зависимость концентрации носителей от температуры.
- •4.4. Что такое легированный (примесный) полупроводник. Объяснить понятие n и p типов проводимости.
- •4.5 Чем обусловлено появление в области p-n перехода Объемного Пространственного Заряда (опз). Динамика опз при подаче на p-n переход внешнего электрического смещения.
- •4.6 Дать качественное описание Вольт-Амперной Характеристики полупроводникового диода.
- •4.7. Как устроены биполярный и полевой транзисторы. Основное назначение транзистора
- •4.8 Перечислите основные элементы полупроводниковой техники и кратко объясните их назначение
- •4.9. Высокочастотные hemt транзисторы
- •4.10. Виды Интегральных микросхем. Примеры. Закона Мура.
- •4.11. Основные технологические этапы производства интегральных микросхем
- •5. Современные методы хранения информации. Открытие эффекта гигантского магнетосопротивления – революционный этап в развитии магнитной записи данных
- •5.1 В чем заключен принцип магнитной записи данных
- •5.2 Что такое эффект Холла
- •5.3 Что такое обычное магнетосопротивление и каков порядок его величины
- •5.4 В чем заключено огромное практическое значение эффекта Гигантского магнетосопротивления
- •5.5. Назовите основные элементы современного магнитного накопителя данных (‘жесткого диска”)
- •6.1 Как рождается квант света в полупроводниковых приборах.
- •6.2 В чем разница между прямозонными и непрямозонными полупроводниками. Приведите примеры тех и других полупроводников
- •6.3 Принцип работы светодиода
- •6.4 Определение спонтанного и вынужденного излучений
- •6.5. Что такое инверсная заселенность уровней
- •6.6 Что такое накачка (лазера) и какие виды накачек вы знаете
- •1.2.1 Накачка электронным пучком
- •1.2.2 Накачка электрическим разрядом
- •1.2.2.2 Накачка быстрым поперечным электрическим разрядом
- •2.2.3 Накачка электрическим разрядом с предионизацией электронным пучком
- •1.2.2.4 Накачка двойным электрическим разрядом
- •6.7 Принцип работы полупроводникового лазера. Пороговый ток
- •6.8.Виды полупроводниковых лазеров – лазеры на гетерорструктурах, квантовых ямах и квантовых точках.
- •6.9.Области применения п.П. Лазеров и светодиодов
- •6.10.Какой эффект лежит в основе передачи света по оптоволокну. Устройство, виды и параметры современных оптических волокон
- •6.11. Что такое когерентное оптическое излучение.
3. Эффект Пельтье. Термоэлектрические преобразователи. Новые применение, перспективы использования
3.1 Эффект Пельтье
Эффект Пельтье был открыт французом Жаном-Шарлем Пельтье (1785-1845 г.) в 1834 году, когда при проведении одного из экспериментов он пропустил электрический ток через полоску висмута с подключенными к ней медными проводниками. В ходе эксперимента было обнаружено, что одно соединение висмут-медь нагревается, в то время как другое остывает.
Сам ученый в полной мере не понимал сущность открытого им явления - истинный смысл явления был объяснён позже (в 1838 г.) другим ученым – знаменитым русским физиком Эмилием Христиановичем Ленцем.
В своём опыте Ленц экспериментировал с каплей воды, помещённой на стыке двух проводников - висмута и сурьмы. При пропускании тока в одном направлении капля воды замерзала, а при изменении направления тока - таяла. Тем самым было установлено, что при прохождении тока через контакт двух проводников в одном направлении тепло выделяется, в другом - поглощается. Данное явление было названо эффектом Пельтье.
Эффект Пельтье́ — процесс выделения или поглощения тепла при прохождении электрического тока через контакт двух разнородных проводников. Величина выделяемого тепла и его знак зависят от вида контактирующих веществ, силы тока и времени прохождения тока, то есть количество выделяемого тепла пропорционально количеству прошедшего через контакт заряда:
dQ12 = P12Idt = − dQ21
Причина возникновения явления Пельтье заключается в следующем. На контакте двух веществ имеется контактная разность потенциалов, которая создаёт внутреннее контактное поле. Если через контакт идёт ток, то это поле будет либо способствовать прохождению тока, либо препятствовать. Если ток идёт против контактного поля, то внешний источник должен затратить дополнительную энергию, которая выделяется в контакте, что приведёт к его нагреву. Если же ток идёт по направлению контактного поля, то он может поддерживаться этим полем, которое и совершает работу по перемещению зарядов. Необходимая для этого энергия отбирается у вещества, что приводит к охлаждению его в месте контакта.
Уже в 20 веке было выяснено, что эффект Пельтье значительно сильнее проявляется при соединении полупроводников разных типов. В зависимости от направления протекания электрического тока через p-n- и n-p- переходы вследствие взаимодействия зарядов, представленных электронами (n) и отверстиями (p), а также их рекомбинации, энергия либо поглощается, либо выделяется, в связи с чем поглощается или выделяется тепло. Объединение большого количества пар полупроводников p- и n-типа позволяет создавать охлаждающие элементы – термоэлектрические модули Пельтье сравнительно большой мощности.
3.2. Эффект Зеебека
Эффект Зеебека состоит в том, что в электрической цепи, составленной из разных проводников (М1 и М2), возникает термоэдс, если места контактов (А, B) поддерживаются при разных температурах. Если цепь замкнута, то в ней течет электрический ток (так называемый термоток IT), причем изменение знака у разности температур спаев сопровождается изменением направления термотока (рис. 1).
Возникновение термоиндуцированного тока в двух спаянных проводниках при различных температурах контактов
Рис. 1
Цепь, которая состоит только из двух различных проводников называется термоэлементом или термопарой.
Величина возникающей термоэдс зависит только от материала проводников и температур горячего (T1) и холодного (T2) контактов.
В небольшом интервале температур термоэдс E можно считать пропорциональной разности температур:
E = α12(T2 − T1), где α12 — термоэлектрическая способность пары (или коэффициент термоэдс)
В простейшем случае коэффициент термоэдс определяется только материалами проводников, однако строго говоря, он зависит и от температуры и в некоторых случаях с изменением температуры α12 меняет знак.
Более корректное выражение для термоэдс:
Объяснение эффекта
Возникновение эффекта Зеебека вызвано несколькими составляющими.
Различная зависимость средней энергии электронов от температуры в различных веществах
Если вдоль проводника существует градиент температур, то электроны на горячем конце приобретают более высокие энергии и скорости, чем на холодном; в полупроводниках в дополнение к этому концентрация электронов проводимости растет с температурой. В результате возникает поток электронов от горячего конца к холодному и на холодном конце накапливается отрицательный заряд, а на горячем остаётся нескомпенсированный положительный заряд. Процесс накопления заряда продолжается до тех пор, пока возникшая разность потенциалов не вызовет поток электронов в обратном направлении, равный первичному, благодаря чему установится равновесие. ЭДС, возникновение которой описывается данным механизмом, называется объёмной ЭДС.
Различная зависимость от температуры контактной разности потенциалов
Контактная разность потенциалов вызвана отличием энергий Ферми у контактирующих различных проводников. При создании контакта уровни Ферми становятся одинаковыми, и возникает контактная разность потенциалов, равная
,
где F — энергия Ферми, e — заряд
электрона.
На контакте тем самым существует электрическое поле, локализованное в тонком приконтактном слое. Если составить замкнутую цепь из двух металлов, то U возникает на обоих контактах. Электрическое поле будет направлено одинаковым образом в обоих контактах — от большего F к меньшему. Это значит, что если совершить обход по замкнутому контуру, то в одном контакте обход будет происходить по полю, а в другом — против поля. Циркуляция вектора Е тем самым будет равна нулю.
Если температура одного из контактов изменится на dT, то, поскольку энергия Ферми зависит от температуры, U также изменится. Но если изменилась внутренняя контактная разность потенциалов, то изменилось электрическое поле в одном из контактов, и поэтому циркуляция вектора Е будет отлична от нуля, то есть появляется ЭДС в замкнутой цепи.
Данная ЭДС называется контактная-эдс.
Если оба контакта термоэлемента находятся при одной и той же температуре, то и контактная, и объёмная термоэдс исчезают.