46. Трансформатор. Преобразование переменного тока.
Трансформатор – это устройство, служащее для преобразования переменного тока (силу тока и напряжение).
обмотка, которая подключена к источнику, называется первичной, а подключенная к потребителю- вторичной.
N1,N2,U1,U2,J1,J2,Jx, Ф1
Ток Jx проходя по первичной обмотке создает вокруг нее магнитное поле с магнитным потоком Ф1, который наводит во вторичной обмотке индукционный ток J2, т е возникает эдс индукции, в результате явления электромагнитной индукции.
Каждый трансформатор характеризуется коэффициентом трансформации. k
Если k>1, то понижающий,
а если меньше, то повышающий.
Ток J2 породил магнитное поле с потоком Ф2
N1- мощность на первичной обмотке.
ŋ- кпд трансформатора.
38. Индукция и напряженность магнитного поля, создаваемого проводниками различной формы.1) Прямолинейный проводник.
J- ток в прямолинейном проводнике
r
-
расстояние от проводника до точки.
М0 - магнитная постоянная =4п*10-7 (Вб/А*м)
2
)Круговой
ток.
r- радиус витка
3)соленоид
J-сила тока в соленоиде
n-число витков
l-длинна соленоида
Н
-
напряженность магнитного поля(величина
векторная). также является силовой
характеристикой магнитного поля. Н не
учитывает магнитных свойств окружающей
среды. М=1- для воздуха и вакуума.
Н(А/м)
В=М0МН
35. Магнитное поле, как особый вид материи. Графическое изображение магнитных полей. Свойства линий индукции.
Магнитные поля создаются подвижными электрическими зарядами. Магнитное поле существует вокруг любого проводника с электрическим токам, т е по которому проходит эл ток. Магнитные поля изображаются с помощью круговых линий и называются линиями магнитной индукции. Направление силовых линий определяется по правилу Буравчика(правого винта) или по правилу правой руки. Силовые линии магнита выходят из северного полюса, входят в южный. Они не однородны.
В(вектор)- магнитная индукция – силовая характеристика магнитного поля(Тл)(Тесла)
Магнитное поле называется однородным, если в любой его точке силовые линии равны по направлению и величине.
36. Взаимодействие параллельных токов. Магнитная проницаемость среды.
а- расстояние между проводниками.
Сила взаимодействия между параллельными токами возникает потому, что каждый из этих токов находится в магнитном поле другого тока. Величину, выражающую зависимость силы взаимодействия электрических токов от среды, называют магнитной проницаемостью среды. Относительная диэлектрическая проницаемость показывает во сколько раз сила взаимодействия токов в данной среде больше чем в вакууме.
33. Полупроводники чистые и примесные.(p-n типа)
полупроводниками называются материалы, удельное сопротивление которых от 10-6 до 107 Ом*м(Бор, Углерод, Кремний, Фосфор, Сера, Германий, Мышьяк, Селен, Олово, Сурьма, Теллур, Йод) Свойства:
1)при повышении температуры электропроводность увеличивается.
2) при внедрении примесей пров увелич
3) при освящении пров. увел.
Ковалентные связи в Германии и Кремнии очень слабые и при комнатной температуре(18-20гр) разрываются и свободные электроны выходят со своих мест, появляется «дырка». Другой электрон занимает его место, т е происходит собственная дырочная проводимость. Собственною дырочною проводимостью называется электропроводность полупроводника, обусловленную перемещением положительных дырок. Носители тока с большей подвижностью называют основными. Явление изменения сопротивления полупроводника при его освещении называют внутренним фотоэффектом. Полупроводниковые устройства, которые служат для регистрации изменений температуры, называют термисторами. Примесные проводники бывают 2-х видов: донорные и акцепторные. Если к чистому полупроводнику 4-й группы(Германий) прибавить элемент 5-й группы(Мышьяк), то получится донорная проводимость. Проводимость проводника, когда за счет примесей растет число свободных электронов в полупроводнике называют примесной электронной проводимостью. такие полупроводники называются проводниками n-го типа. Акцепторная проводимость получается если к элементу 4-й группы(Германий) смешать с 3-й группой. В результате этого получается избыток дырок и недостаток электронов.(p-типа). Электронно-дырочный переход – это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.