
- •Выполнил: ст. Гр. 149
- •Исходные данные
- •1. Введение
- •2.Анализ задания.
- •3. Математические модели компонентов схемы
- •4.Расчёт схемы по постоянному току.
- •5. Идентификация моделей компонентов
- •6. Топологическое описание схемы
- •7.Математическая модель схемы.
- •По известным ммк образующих связи сформулируем вектор токов Iсв.
- •8.Моделирование схемы с применением ппп «MicroCap»
- •9. Заключение
- •10.Библиографический список.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Рязанский Государственный Радиотехнический Университет
Кафедра САПР ВС
Пояснительная записка
к курсовой работе по дисциплине
“Основы электроники и электротехники ”
на тему:
“Каскад с общим эмиттером”
Выполнил: ст. Гр. 149
Нгуен Зунг Ань
Проверил:
Копейкин Ю.А.
Рязань 2012г
Исходные данные
Вариант №29
R1=5,1 кОм
R2=1 кОм
Е=-12В
VT-ГТ109 Б
Uвх(t)=0,2·sint –UPT
fn=200Гц
Т=27С
1. Введение
Значительные изменения во многих областях науки и техники обусловлены развитием электроники. В настоящее время невозможно найти какую-либо отрасль промышленности, в которой не использовались бы электронные приборы или электронные устройства измерительной техники, автоматики и вычислительной техники. Причем тенденция развития такова, что для электронных информационных устройств и устройств автоматики непрерывно увеличивается. Это является результатом развития интегральной технологии, внедрение которой позволило наладить массовый выпуск дешевых, высококачественных, не требующих специальной настройки и наладки микроэлектронных функциональных узлов различного назначения.
Следовательно, развитие технологии в данном направлении перспективная отрасль технологии.
Одно из важнейших направлений современной аналоговой радиоэлектроники связано с построением усилителей электрических сигналов. В данной работе будет выполнен ручной и машинный анализ каскада на транзисторе, включённом по схеме с ОЭ с непосредственной связью.
Программы, выполняющие машинный анализ электрических схем, схожи по своей структуре и работают по алгоритму аналогичному приводимому ниже.
Входной блок – обеспечивает приём информации о конфигурации схемы, типах и параметрах её элементов, характере решаемой задачи и т.д.
Блок математических моделей компонентов содержит библиотеки математических моделей разнообразных компонентов электронных схем, различающиеся точностью и сложностью, при этом для одного и того же элемента может быть использовано несколько моделей.
Блок математического моделирования конфигурации схемы производит описание соединения компонентов схемы между собой.
Блок формирования математической модели схемы осуществляет объединение математических моделей компонентов в соответствии с топологией схемы в общую систему уравнений определённого вида.
Блок анализа математической модели схемы обеспечивает решение полученных уравнений при заданных значениях параметров компонентов и значениях входных сигналов с использованием численных методов.
2.Анализ задания.
В данной курсовой работе требуется рассчитать каскад, включенный по схеме с общим эмиттером. Он выполнен на биполярном транзисторе ГТ109 Б – это германиевый p-n-p транзистор
Электрические параметры приведены в таблице 1.
Наименование |
значения |
Обратный ток коллектора при Uкб |
5 мкА при 5 В |
Обратный ток эмиттера при Uэб |
5 мкА при 5 В |
Режим измерения h-параметров: |
|
напряжение коллектора |
5 В |
ток коллектора |
1 мА |
входное сопротивление |
27 Ом |
коэффициент передачи тока |
35..80 |
коэффициент обратной связи |
0,5.10-3 |
выходная полная проводимость |
3,3 мкСм |
Предельная частота коэффициента передачи |
0,5 МГц |
емкость коллекторного перехода |
30 пФ |
постоянная времени цепи обратной связи |
5000 |
коэффициент шума |
- |
Максимально допустимые параметры: |
|
постоянное напряжение коллектор-база |
10 В |
постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
6 В |
постоянный ток коллектора |
20 мА |
импульсный ток коллектора |
- |
рассеиваемая мощность без теплоотвода |
30 мВт |
максимальная температура окружающей среды |
+ 550С
|
минимальная температура окружающей среды |
- 300 С |
общее тепловое сопротивление транзистора |
- |
Входные и выходные характеристики представлены на рисунках 1-а,б.
Рис 1-а
Рис 1- б