4. Моделирование устройства на уровне электрической схемы. Построение статической характеристики

Электрическая схема для моделирования датчика напряженности магнитного поля в среде Microcap представлена на рисунке 8.

Р исунок 8 – электрическая схема для моделирования датчика в среде Microcap

Проведем моделирование при минимальном и максимальном входных воздействиях в схеме:

1. п роекция вектора напряженности магнитного поля (рисунок 9):

Рисунок 9 – моделирование схемы при максимальном входном воздействии

2. п роекция вектора напряженности магнитного поля (рисунок 10):

Рисунок 10 – моделирование схемы при минимальном входном воздействии

Построим статическую характеристику датчика напряженности магнитного поля (рисунок 11):

Рисунок 11 – статическая характеристика датчика напряженности магнитного поля

4. Выводы по работе

В ходе выполнения лабораторной работы №5-6 были получены навыки в проектировании датчиков напряженности магнитного поля и в использовании магниторезистивных мостов типа KMZ. Спроектированный датчик удовлетворяет всем требованиям технического задания, а именно:

• Исходя из полученной статической характеристики, выходной ток датчика прямо пропорционален проекции вектора напряженности магнитного поля;

• Диапазон изменения проекции вектора напряженности магнитного поля от 0 до ;

• При значении проекции вектора напряженности магнитного поля равном 0 и выходной ток датчика в номинальном режиме работы равен и соответственно;

• Активное сопротивление нагрузки не превышает .

Для выполнения всех требований технического задания использованы рекомендованные микросхемы.