- •Содержание
- •Порядок выполнения работы
- •Технические требования
- •Вариант задания
- •Рекомендации по выполнению работы
- •1 Выбор чувствительного элемента
- •2 Разработка структурной схемы датчика. Расчет обобщенных параметров
- •3 Разработка принципиальной электрической схемы датчика и расчет значений электрических параметров
- •Моделирование устройства на уровне электрической схемы. Построение статической характеристики
- •Выводы по работе
2 Разработка структурной схемы датчика. Расчет обобщенных параметров
Структурная схема разрабатываемого датчика напряженности магнитного поля представлена на рисунке 2. Выходное напряжение датчика магнитного поля (порядок – мВ), пройдя через усилитель сигнала, поступает на преобразователь напряжение – ток.
Рисунок 2 – структурная схема датчика напряженности магнитного поля
Приняв
величину проекции вектора напряженности
магнитного поля за максимальную (т.е.
)
получим следующие соотношения обобщенных
параметров:
Учитывая
заданные диапазоны изменения параметров
и приняв диапазон
,
получим:
Проведем
моделирование структурной схемы
разрабатываемого датчика в среде
Simulink
(рисунок 3, 4):
Р
исунок
3 – структурная схема разрабатываемого
датчика в среде Simulink
Рисунок 4 – результаты моделирования структурной схемы датчика
3 Разработка принципиальной электрической схемы датчика и расчет значений электрических параметров
Принципиальная электрическая схема датчика состоит из следующих элементов: датчик напряженности магнитного поля KMZ10B, преобразователь напряжение – ток AD694, операционный усилитель AD708. Принцип работы датчика заключается в следующем: изменение проекции вектора напряженности магнитного поля вызывает изменение выходного напряжения датчика магнитного поля. Выходной сигнал датчика магнитного поля усиливается и поступает на вход преобразователя напряжение – ток, выход которого является выходным сигналом разрабатываемого датчика.
Принципиальная электрическая схема усилителя сигнала, снимаемого с датчика напряженности магнитного поля, представлена на рисунке 5:
Рисунок 5 – электрическая схема соединения магниторезистивного моста и усилителя
Усилитель построен на базе операционных усилителей DA1..DA3. Пред усилительная схема на базе элементов DA1 и DA2 необходима для уменьшения нагрузки на магниторезистивный мост KMZ10B.
Выходной
сигнал магниторезистивного моста KMZ
составляет 0…8мВ. Для получения напряжения
0..2В на входе преобразователя напряжение
– ток необходимо усилить выходной
сигнал моста в
раз. Тогда:
И
сходя
из исходных данных для проектирования,
рассчитаем параметры пассивных элементов
микросхемы AD694.
Схема преобразователя AD694
представлена на рисунке 6.
Рисунок 6 – схема преобразователя AD694
Исходные данные:
Напряжение
на входе микросхемы примем
Максимальное напряжение на выходе AD694 равно
следовательно,
напряжение питания микросхемы должно
быть не меньше 16+2,5=18,5В.
Так
как
то
вывод 9 микросхемы должен быть подключен
к источнику напряжения более 2,5 В.
Найдем
диапазон изменения тока
Подключим
вывод 4 микросхемы AD694
к источнику напряжения
,
тогда из выражения
получим следующий диапазон изменения U:
Таким
образом, на базе входного дифференциального
ОУ Х7 нужно реализовать преобразователь
напряжения
в напряжение U
со следующим законом преобразования:
В
состав микросхемы AD694
входит высокостабильный источник
напряжения, реализованный на элементах
X11
и Q6.
Если выводы 7 и 8 соединены между собой,
то напряжение на выходе источника будет
равно
Используем этот источник в качестве
опорного напряжения
Масштабные
коэффициенты
рассчитываются исходя из условий:
Условия
выполняются при
Номиналы
сопротивлений
рассчитываются исходя из значений
масштабных коэффициентов:
Проведем
моделирование модели AD694
в среде Microcap
(рисунок 7):
Рисунок 7 – моделирование AD694 в среде Microcap
Как видно из рисунка 7, при максимальном входном напряжении, равном 2В, выходной ток микросхемы равен 16мА.
