
- •Вопрос 1.Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов.
- •I.Вакуумная электроника:
- •II.Твердотельная электроника:
- •III.Квантовая электроника:
- •2. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток.
- •Вопрос 3 Собственные полупроводники
- •Вопрос 4. Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинетическая энергия электронов.
- •Вопрос 5. Квазиимпульс и эффективные массы носителей заряда. Междолинный переход носителей заряда, зависимость энергии электрона от импульса.
- •Вопрос 6 .Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
- •Вопрос7 Зонная диаграмма неоднородного п/п.
- •Вопрос 8.Механизмы рекомбинации.
- •Вопрос 9.Законы распределения равновесных носителей заряда в энергетических зонах. Распределение Ферми-Дирака.
- •Вопрос 11. Дрейфовое движение носителей заряда.
- •Вопрос 12. Диффузионное движение носителей заряда
- •Вопрос 15. Виды электронно-дырочных переходов.
- •Вопрос 16.Анализ равновесного p-n перехода. Высота потенц. Барьера, зав-ть от температуры и концентрации.
- •Вопрос 17.Анализ электронно-дырочного перехода в неравновесном состоянии
- •Вопрос 18. Математическая модель идеализированного p-n перехода.
- •Вопрос 19.
- •Вопрос 20 вах реального электронно-дырочного перехода
- •Вопрос 21. Обратная ветвь вах реального перехода
- •Вопрос 22
- •Вопрос 29
- •Вопрос 30
- •Вопрос 31 Фотопроводимость.
- •33. Термоэлектрический эффект Зеебека. Причины возникновения термо-эдс.
- •34. Термоэлектрический эффект Пельтье.
- •35.Гальваномагнитные явления
- •Вопрос 36
- •Вопрос 37. Особенности квантово-размерных структур. Квантовые переходы.
- •Вопрос 38.
- •Вопрос 39. Принципы усиления электромагнитного поля в квантовых системах
- •Вопрос 40 Физические основы эмиссионной электроники.
- •Вопрос 41
- •Вопрос 42
- •Вопрос 43 Автоэлектронная эмиссия
- •Вопрос 44. Электрический разряд в газе. Упругие и не упругие взаимодействия.
- •Вопрос 45. Стационарный газовый разряд: тихий тлеющий, дуговой. Нестационарные газовые разряды.
- •Вопрос 46. Понятие о плазме, основные свойства плазмы . Степень ионизации и квазенейтральности в плазме,дебаевский радиус экранизирования
- •Вопрос 47.Температура плазмы. Изотермическая и неизотермическая плазма. Колебание в плазме.
Вопрос 6 .Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
Уравнение (1.14) справедливо только для равновесных носителей заряда, то есть в отсутствие внешних воздействий.
(1.16)
Пусть полупроводник легирован донорами с концентрацией ND. При комнатной температуре в большинстве полупроводников все доноры ионизованы, так как энергии активации доноров составляют всего несколько сотых электронвольта. Тогда для донорного полупроводника (рис. 1.7)
(1.17)
Концентрацию дырок в донорном полупроводнике найдем из (1.16):
1.18)
На рисунке 1.7 приведена зонная диаграмма полупроводника n-типа, показывающая положение энергетических уровней донорной примеси ED и схематическое соотношение концентраций основных n0 и неосновных p0 носителей.
Рис. 1.7. Зонная диаграмма полупроводника n-типа
Соответственно если полупроводник легирован акцепторами с концентрацией NA, то концентрации основных p0 и неосновных n0 носителей будут
(1.19)
На рисунке 1.8 приведена зонная диаграмма полупроводника p-типа, показывающая положение энергетических уровней акцепторной примеси EA и схематическое соотношение концентраций основных p0 и неосновных n0 носителей.
Рис. 1.8. Зонная диаграмма полупроводника p-типа
Зонная диаграмма однородного п/п при наличии внешнего поля.
В виду электронейтральности примеси
распределено равномерно =>химический
потенциал равен const, а это
значит от уровня Ферми до краев разрешенной
зоны будет const.
=>что
приводит к grad ур. Ферми.
Внешнее поле вызывает протекание
электрического тока при замкнутой
цепи.
Вопрос7 Зонная диаграмма неоднородного п/п.
Неоднородные п/п – в котором примеси распределены неравномерно по объемам. Неоднородное распределение примеси в виде grad концентрации создается технологическим путем.
Рассмотрим
п/п п-типа .в рабочем диапазоне все
примеси ионизированы и Ne=Nd,
тогда ур-ие записывается в виде
.следовательно
разность
с
уменьшением концентрации уменьшается
,поскольку в равновесной системе ур.
Ферми =const,
то энергетические зоны
приобретают наклон,т.е. изменение
электростатического потенциала. В
неоднородном п/п имеется внутр. электр.
поле, в котором возможен дрейфовые
носители ,т.к. цепь разомкнута то дрейфовые
потоки направлены навстречу
.
Зонные структуры примесных п/п.
Рассмотрим донорную примесь. Введем 5 мышьяк.
Донор-это примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень, занятый в невозбужденном состоянии электрон и способный в возбужденном состоянии передать электрон в запрещенную зону.
-
энергия ионизации доноров.
Энергия ионизации доноров-
min
энергия , которую нужно сообщить электрону
находящимся на уровне донора, чтобы
переместить его в зону проводимости,
т.к.
,
то при комнатной температуре число
свободных электронов, воъникших в
результате ионизации доноров примеси
значительно больше электроны появляются
в следствии тепловой генер-ции.
Энергия
ионизации акцепторов - min
энергия,которую нужно сообщить электрону
для перевода его на акцепторный уровень.
.
Ловушки. Сущест-ют примеси ,у которых эн.уровни расположены в середине запрещ.зоны=>обеспечивается генерация и рекомбинация носителей. Такие уровни назыв-ся генерационно-комбинационным центром,их наличие влияет на время жизни. Сущест –ют примеси эн.уровни ,у которых расположены в верхней ли бо в нижней четверти запрещенной части. В отличии от генерационно-комбинационных центров они захватывают носителей из ближней зоны только на время, затем отдают в ту же зону откуда взяли- эти уровни на некоторое время “вводят из игры” носителей, что сказывается на время жизни носителей такие ловушки назыв – ловушки захвата.
Если концентрация ловушки велика и время нахождения носителей в ловушке велико, то эффективное время жизни будет отлич-ся от норм-ого,т.к. носитель в течении некоторого времени не сможет рекомбинировать.