
- •Вопрос 1.Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов.
- •I.Вакуумная электроника:
- •II.Твердотельная электроника:
- •III.Квантовая электроника:
- •2. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток.
- •Вопрос 3 Собственные полупроводники
- •Вопрос 4. Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинетическая энергия электронов.
- •Вопрос 5. Квазиимпульс и эффективные массы носителей заряда. Междолинный переход носителей заряда, зависимость энергии электрона от импульса.
- •Вопрос 6 .Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
- •Вопрос7 Зонная диаграмма неоднородного п/п.
- •Вопрос 8.Механизмы рекомбинации.
- •Вопрос 9.Законы распределения равновесных носителей заряда в энергетических зонах. Распределение Ферми-Дирака.
- •Вопрос 11. Дрейфовое движение носителей заряда.
- •Вопрос 12. Диффузионное движение носителей заряда
- •Вопрос 15. Виды электронно-дырочных переходов.
- •Вопрос 16.Анализ равновесного p-n перехода. Высота потенц. Барьера, зав-ть от температуры и концентрации.
- •Вопрос 17.Анализ электронно-дырочного перехода в неравновесном состоянии
- •Вопрос 18. Математическая модель идеализированного p-n перехода.
- •Вопрос 19.
- •Вопрос 20 вах реального электронно-дырочного перехода
- •Вопрос 21. Обратная ветвь вах реального перехода
- •Вопрос 22
- •Вопрос 29
- •Вопрос 30
- •Вопрос 31 Фотопроводимость.
- •33. Термоэлектрический эффект Зеебека. Причины возникновения термо-эдс.
- •34. Термоэлектрический эффект Пельтье.
- •35.Гальваномагнитные явления
- •Вопрос 36
- •Вопрос 37. Особенности квантово-размерных структур. Квантовые переходы.
- •Вопрос 38.
- •Вопрос 39. Принципы усиления электромагнитного поля в квантовых системах
- •Вопрос 40 Физические основы эмиссионной электроники.
- •Вопрос 41
- •Вопрос 42
- •Вопрос 43 Автоэлектронная эмиссия
- •Вопрос 44. Электрический разряд в газе. Упругие и не упругие взаимодействия.
- •Вопрос 45. Стационарный газовый разряд: тихий тлеющий, дуговой. Нестационарные газовые разряды.
- •Вопрос 46. Понятие о плазме, основные свойства плазмы . Степень ионизации и квазенейтральности в плазме,дебаевский радиус экранизирования
- •Вопрос 47.Температура плазмы. Изотермическая и неизотермическая плазма. Колебание в плазме.
Вопрос 1.Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов.
ФОЭ - научное направление в электронике, в котором изучаются взаимодействия электронов и других заряженных частиц, квантов излучения с электромагнитными полями в вакууме, различных средах (газы, жидкости, твердые тела, плазмы) и у границы их раздела.
Электроника включает три направления: вакуумная, твердотельная, квантовая.
I.Вакуумная электроника:
Изучаются взаимодействия потоков свободных электронов с электрическими и магнитными полями в вакууме; основные предметы исследования: электронная эмиссия; формирование и управлении потоками электронов; катодолюминесценция.
На их базе создаются приборы:
диоды, триоды, тетроды, СВЧ, фотоэлектронные приборы.
Особенности процессов:
- при взаимодействии электронов с электромагнитными полями в вакууме нет столкновений со связанными атомами, а вероятность столкновения с остаточными газами мала, следовательно, потери энергии малы, КПД процессов достигает 90%;
- остаточная энергия электронных потоков рассеивается на электродах с большой поверхности, которые могут интенсивно отражаться, что позволяет получать мощности в несколько МВт.
II.Твердотельная электроника:
Изучаются процессы в твердых телах (полупроводниках, диэлектриках, магнитных материалах, пьезоэлектриках) для преобразования электромагнитной энергии в широком диапазоне частот от постоянного тока до СВЧ.
Основные направления:
1) полупроводниковая электроника – исследуются эффекты взаимодействия электронов с электромагнитными полями в п/п;
2) акустоэлектроника – исследуются эффекты взаимодействия высокочастотных акустических волн с электронами проводимости;
3) оптоэлектроника – исследуются эффекты взаимодействия волн оптического диапазона с электронами в твердых телах;
4) магнитоэлектроника – магнитные явления в твердых телах.
Приборы:
диоды, транзисторы, приборы с заряд.связью, интегральные микросхемы.
Особенности процессов:
1.Одновременное существование двух типов подвижных носителей заряда.
2. Сильная зависимость типа и величины электропроводности от концентрации и типа атомов примесей.
3. Возникновение на границе двух п/п с различными типами электропроводности потенциальных барьеров.
4. Сильная чувствительность свойств п/п к воздействию света, электр. и магнитных полей и т.д.
5. Туннельные переходы электронов через потенциальный барьер.
6. Лавинные размножения НЗ в сильных электрических полях.
III.Квантовая электроника:
Изучаются методы генерации и усиления электромагнитных колебаний на основе эффекта вынужденного излучения атомов.
Приборы: квантовые генераторы (лазеры), усилители.
Особенности устройств:
Высокая стабильность частоты колебаний.
Низкий уровень шумов.
Большая мощность в импульсе излучения.
Развитие элементной базы, этапы:
Дискретная электроника на ЭВП;
Дискретная электроника на п/п приборах;
Интегральная электроника на микросхемах (в том числе и функциональная электроника);
Наноэлектроника.
Врпрос 2.