 
        
        - •Лабораторная работа №4 Изучение опто- и светодиодов. Снятие температурной зависимости вах p-n перехода.
- •1 Взаимодействие оптического излучения с твердым телом
- •Основные параметры процесса поглощения излучения в полупроводниках.
- •1.2. Основные механизмы поглощения излучения
- •2 Фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах.
- •2.1 Основные понятия и параметры
- •2.2 Фотопроводимость полупроводников. Собственная и примесная фотопроводимость
- •Коэффициент усиления фотопроводимости.
- •2.3 Квазиуровни Ферми в полупроводнике
- •2.4 Фотоэдс в однородных полупроводниках (фотоэдс Дембера)
- •2.5 Фотоэдс в неоднородных полупроводниках (объемная фотоэдс)
- •2.6 Фотоэлектромагнитный эффект
- •2.8 Барьерная фотоэдс
- •3. Источники излучения оптоэлектроники
- •3.2. Светодиоды
- •Экспериментальная часть
- •2.2 Снятие вах диода при комнатной температуре, обратное включение. (По усмотрению преподавателя.)
3. Источники излучения оптоэлектроники
Приборы, в которых осуществляется преобразование электрической энергии в световую, относятся к излучающим. К оптическому диапазону спектра в общем случае относятся электромагнитные волны, длина которых составляет от 1 до 106 нм. Реально в оптоэлектронике используется обычно более узкий диапазон длин волн, включающий видимую и ближние инфракрасную и ультрафиолетовую области спектра. Рассмотрим основные типы излучающих твердотельных приборов.
3.1. Физические основы взаимодействия излучения с веществом
Существует три возможных процесса взаимодействия квантовых систем и электромагнитного излучения (спонтанное излечение кванта, поглощение и вынужденное излечение кванта),, которые схематически показаны на рис. 17.
| 
			 | 
| Рисунок 17. Квантовые переходы при взаимодействии с фотоном: а) – спонтанный переход с испусканием фотона; б) – вынужденный переход с поглощением фотона; в) – вынужеденный переход с испусканием фотона. | 
Рассмотрим переходы частицы из одного состояния в другое с выделением или поглощением энергии электромагнитного поля. Возбужденная частица в произвольный момент времени может самопроизвольно перейти в более низкое энергетическое состояние, излучив при этом квант света. Такое излучение называется спонтанным.
Другим оптическим процессом является поглощение излучения частицей, переходящей в результате этого в возбужденное состояние.
При взаимодействии возбужденной частицы с фотоном возможен переход частицы в состояние с меньшей энергией - при этом излучается дополнительный фотон. Этот процесс носит название вынужденного или стимулированного излучения.
3.2. Светодиоды
Светодиод является полупроводниковым излучающим прибором с одним или несколькими n-р-переходами, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения. Излучение возникает в результате рекомбинации инжектированных носителей в одной из областей, прилегающих к n-р-переходу. Рекомбинация происходит при переходе носителей с верхних уровней на нижние. Последние могут быть прямыми (без изменения импульса) и непрямыми (с изменением импульса). Межзонные и энергетические переходы из зоны проводимости в заполненную зону дают эффективное излучение, если переходы прямые. При непрямых переходах излучательная рекомбинация может эффективно осуществляться через примесные центры в два этапа: сначала локализация носителя на примесном центре, а затем его рекомбинация со свободным носителем другого знака.
Длина волны излучаемого света зависит от ширины запрещенной полосы полупроводника, поэтому для получения излучения в видимой области используются широкозонные полупроводники. К ним относятся арсенид галлия, фосфид галлия, карбид кремния, многокомпонентные полупроводниковые соединения, например GaAlAs и другие.
Основным параметром светодиодов является внутренняя квантовая эффективность (отношение числа фотонов к количеству инжектированных в базу носителей) и внешняя эффективность (отношение потока фотонов из светодиода к потоку носителей заряда в нем). Внешняя эффективность в значительной мере определяется технологией и с ростом ее уровня может быть значительно увеличена. Мощность оптического излучения светодиода может быть найдена из уравнения:
 ,
,
где Р - излучаемая мощность, I/e - поток инжектированных носителей через переход, ηe - КПД вывода излучения, ηs - КПД светового излучения. Произведение ηeηs представляет собой внешнюю квантовую эффективность. Для светодиодов с поверхностными излучателями она составляет около 3%, а для приборов с торцевыми излучателями 0,5-1%.
Наибольшие сложности возникают при получении коротковолнового излучения из-за технологических проблем создания n-р-переходов в соответствующих полупроводниках. Поэтому излучатели с синим цветом свечения часто выполняются в виде МДП-структур на основе нитрида галлия, карбида кремния, сульфидов и селенидов цинка и кадмия. Некоторые данные по внешней эффективности светодиодов на различных материалах сведены в таблице 4.
Одним из способов получения коротковолнового излучения может быть включение диода Шотки в обратном направлении. В начальном участке лавинного пробоя происходит ударная ионизация с образованием электронов и дырок, рекомбинация которых может давать излучение в синей области спектра.
Таблица 4.
Материалы и параметры светодиодов
| Материал | Примесь или состав | Цвет свечения | Максимум , нм | hвн | 
| GaAs | Si | ИК | 950 | 12 -50 | 
| GaAs | Zn | ИК | 900 | 12 -50 | 
| GaP | ZnO | красный | 690 | 7 | 
| GaP | N | зеленый | 550 | 0.7 | 
| GaAs1-ХРx | x = 0.39 | красный | 660 | 0.5 | 
| GaAs1-ХРx | x = 0.5 - 0.75 | янтарный | 610 | 0.04 | 
| Ga1-ХAlxAs | x = 0.05 - 0.1 | ИК | 800 | 12 | 
| Ga1-ХAlxAs | x = 0.3 | красный | 675 | 1.3 | 
| In1-ХGaxР | x = 0.58 | красный | 659 | 0.2 | 
| 
 | 
 | янтарный | 617 | 0.1 | 
| In1-ХGaxР | x = 0.6 | желто- | 570 | 
 | 
| GaN | 
 | зеленый синий | 410 | 0.03 | 
Создание эффективного светодиода для синей области позволяет получать любые цвета излучения путем нанесения на поверхность соответствующих люминофоров. Коротковолновое излучение может быть получено и при использовании антистоксовых люминофоров, хотя КПД преобразования длинноволнового излучения в коротковолновое мал (порядка 1%), а прибор имеет низкое быстродействие. Весьма важным является вопрос создания излучателей для области 1,1 - 1,3 мкм. Дело в том, что именно при длине волны 1,3 мкм имеют место минимальные потери в световодах.
Основные характеристики светодиодов – вольтамперные, яркостные и спектральные.
ВАХ светодиодов аналогичны ВАХ обычных диодов. Яркостные (рис.18а) характеризуются некоторым пороговым током и участком насыщения при больших токах из-за усиления вклада безизлучательной рекомбинации.
Спектральные характеристики (рис. 18б) имеют максимум, положение и ширина которого зависят от состава и энергетической структуры материала.
| 
			 | 
| Рисунок 18. Спектральные (а) и световая (б) характеристики светодиодов. | 
Основными параметрами светоизлучающих диодов являются длина волны, полуширина спектра излучения, мощность излучения, рабочая частота и диаграмма направленности излучения. Ширина спектральной полосы излучения светодиода может быть найдена из уравнения:
 
Светодиоды находят широкое применение в цифровых индикаторах, световых табло, устройствах оптоэлектроники. Принципиально возможно формирование на их основе экрана цветного телевидения.

 
