
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Передмова
- •Елементи фізики напівпровідників та електронно- діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Домішкова провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Види струмів у напівпровідниках
- •Лекція 2 електронно-дірковий перехід
- •2.1 Електронно-дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •3.1.2 Ємності переходу
- •3.1.3 Реальна вах р-n-переходу
- •3.1.5 Різновиди електричних переходів та контактів
- •Лекція 4 напівпровідникові діоди
- •4.1 Класифікація та система позначень діодів
- •4.1.1 Випрямлювальні діоди
- •Параметри випрямлювальних діодів
- •4.1.2 Напівпровідникові стабілітрони
- •5.1.2 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •5.1.3 Тунельні та обернені діоди
- •5.1.4 Варикапи
- •6.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •6.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •6.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •Лекція 7 характеристики біполярних транзисторів
- •7.1 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •7.1.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •7.1.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •7.1.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним колектором
- •Лекція 8 параметри біполярних транзисторів
- •8.1 Граничні режими транзистора. Робочий діапазон температур
- •8.1.1 Пробої транзистора
- •8.1.2 Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •8.2 Диференційні параметри біполярного транзистора
- •8.2.1 Оцінка властивостей транзистора
- •8.2.2 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •9.1.2 Схема зі спільним емітером
- •9.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •9.2.1 Схема з фіксованим струмом бази
- •9.2.2 Схема з фіксованим потенціалом бази
- •9.2.3 Схема з температурною стабілізацією в емітерному колі.
- •9.2.4 Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки
- •9.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •9.3.1 Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •Лекція 10 деякі різновиди біполярних транзисторів
- •10.1 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •10.1.1 Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •10.3 Одноперехідний транзистор
- •10.4 Високочастотні малопотужні транзистори
- •10.5 Потужні транзистори
- •Лекція 11 польові транзистори
- •11.1 Польові транзистори з керувальними p-n-переходами
- •11.1.1 Статичні вхідні характеристики
- •11.1.2 Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •11.1.3 Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •11.1.4 Диференційні параметри польових транзисторів
- •11.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •11.2.1 Ефект поля.
- •11.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •Лекція 12 динамічний режим роботи польових транзисторів
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі
- •12.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •12.3 Потужні польові транзистори
- •12.3.1 Потужні мдн - транзистори
- •12.3.3 Транзистори з статичною індукцією
- •Лекція 13 тиристори
- •13.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •13.1.2 Диністорний режим
- •13.1.3 Триністорний режим
- •13.1.4 Симістори
- •13.2 Способи комутації тиристорів
- •13.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Лекція 14 оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •14.1 Загальні відомості
- •14.2 Випромінюючі діоди
- •14.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •14.3.1 Фоторезистори
- •14.3.2 Фотодіоди
- •14.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •14.4 Оптрони та їх застосування
- •Список скорочень
- •Список літератури
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі 128
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі 160
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
9.2.2 Схема з фіксованим потенціалом бази
Схему показано на рисунку 9.6. Потрібний режим спокою транзистора забезпечується фіксованою напругою на базі, що утворюється за допомогою подільника напруги на резисторах та .
Рисунок 9.6 – Транзисторний каскад з фіксованим потенціалом бази
Опір дорівнює
,
(9.3)
де
- струм подільника напруги. Звичайно
=(3-5)
.
Опір можна розрахувати за формулою
.
(9.4)
При >> можна вважати, що напруга
(9.5)
не залежить від властивостей транзистора. Тому схема рисунка 9.6 називається схемою з фіксованим потенціалом бази. Суттєвий недолік даної схеми – температурний дрейф колекторного струму – вимагає застосування спеціальних заходів температурної стабілізації.
9.2.3 Схема з температурною стабілізацією в емітерному колі.
Схему
зображено на рисунку 9.7. В ній з метою
стабілізації емітерного (колекторного)
струму при зміні температури
використовується резистор негативного
зворотного зв’язку за струмом
.
Для схеми рисунку 9.49 справедлива
рівність
.
(9.6)
Рисунок 9.7 – Транзисторний каскад з температурною стабілізацією
Оскільки температурні зміни опорів та незначні, то спад напруги на опорі при зміні температури практично не змінюється. Збільшення струму при збільшенні температури приводить за формулою (9.6) до зменшення напруги на ЕП . Це, у свою чергу, призводить до зменшення струмів бази та колектора . Таким чином, автоматично стабілізується також струм емітера .
Величина
зменшення напруги на резисторі зворотного
зв’язку
вибирається в межах
.
Формули для розрахунку опорів
,
і
мають вигляд:
;
(9.7)
;
(9.8)
(9.9)
Оскільки
негативний зворотний зв’язок за змінною
складовою приводить до зменшення
коефіцієнта підсилення каскаду, то з
метою усунення цього зв’язку резистор
шунтується конденсатором
.
9.2.4 Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки
У
схемі рисунка
9.8 автоматичне зміщення робочої точки
здійснюється за рахунок подільника
напруги
і
.
Напруга
,
прикладена до бази і через резистор
до емітера транзистора, забезпечує
пряме зміщення ЕП, тобто активний режим
транзистора. Резистор
забезпечує подачу вхідного сигналу на
емітер, конденсатор
служить для усунення негативного
зворотного зв’язку за змінною складовою.
Рисунок 9.8 – Транзисторний каскад зі спільною базою
Розрахунок , та здійснюється наступним чином. Для обраної робочої точки режиму спокою (вибирається на характеристиках БТ) спочатку визначаються струм = - і струм подільника напруги =(3-5) . Для емітерного кола другий закон Кірхгофа має вигляд
.
Для
підсилювачів напруга
.
Тоді
(9.10)
(9.11)
(9.12)
9.2.5 Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
Якість підсилювача визначають вибором положення початкової робочої точки (робочої точки режиму спокою), а також її стабільністю при зміні температури.
Для
підсилювального каскаду з температурною
стабілізацією (рисунок 9.7) температурна
зміна колекторного струму становить
[1]:
, (9.13)
де
- коефіцієнт
стабільності колекторного струму;
.
Якщо
=0,
то схема рисунка
9.7 перетворюється в схему з фіксованим
потенціалом бази (рисунок 9.6), і коефіцієнт
.
При
>>
коефіцієнт
.
Таким
чином, залежно від співвідношення між
та
значення
коефіцієнта температурної нестабільності
змінюється від
до
.
Температурна
зміна струму колектора тим більша, чим
більший коефіцієнт
.
Тому умова
>>
є необхідною. Проте зменшення величини
небажане, тому що воно призводить
до зменшення вхідного опору транзисторного
каскаду. Тому подільник напруги в
базовому колі вибирають
з умови, щоб коефіцієнт температурної
стабільності дорівнював
=3-5.