
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Передмова
- •Елементи фізики напівпровідників та електронно- діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Домішкова провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Види струмів у напівпровідниках
- •Лекція 2 електронно-дірковий перехід
- •2.1 Електронно-дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •3.1.2 Ємності переходу
- •3.1.3 Реальна вах р-n-переходу
- •3.1.5 Різновиди електричних переходів та контактів
- •Лекція 4 напівпровідникові діоди
- •4.1 Класифікація та система позначень діодів
- •4.1.1 Випрямлювальні діоди
- •Параметри випрямлювальних діодів
- •4.1.2 Напівпровідникові стабілітрони
- •5.1.2 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •5.1.3 Тунельні та обернені діоди
- •5.1.4 Варикапи
- •6.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •6.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •6.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •Лекція 7 характеристики біполярних транзисторів
- •7.1 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •7.1.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •7.1.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •7.1.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним колектором
- •Лекція 8 параметри біполярних транзисторів
- •8.1 Граничні режими транзистора. Робочий діапазон температур
- •8.1.1 Пробої транзистора
- •8.1.2 Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •8.2 Диференційні параметри біполярного транзистора
- •8.2.1 Оцінка властивостей транзистора
- •8.2.2 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •9.1.2 Схема зі спільним емітером
- •9.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •9.2.1 Схема з фіксованим струмом бази
- •9.2.2 Схема з фіксованим потенціалом бази
- •9.2.3 Схема з температурною стабілізацією в емітерному колі.
- •9.2.4 Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки
- •9.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •9.3.1 Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •Лекція 10 деякі різновиди біполярних транзисторів
- •10.1 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •10.1.1 Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •10.3 Одноперехідний транзистор
- •10.4 Високочастотні малопотужні транзистори
- •10.5 Потужні транзистори
- •Лекція 11 польові транзистори
- •11.1 Польові транзистори з керувальними p-n-переходами
- •11.1.1 Статичні вхідні характеристики
- •11.1.2 Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •11.1.3 Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •11.1.4 Диференційні параметри польових транзисторів
- •11.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •11.2.1 Ефект поля.
- •11.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •Лекція 12 динамічний режим роботи польових транзисторів
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі
- •12.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •12.3 Потужні польові транзистори
- •12.3.1 Потужні мдн - транзистори
- •12.3.3 Транзистори з статичною індукцією
- •Лекція 13 тиристори
- •13.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •13.1.2 Диністорний режим
- •13.1.3 Триністорний режим
- •13.1.4 Симістори
- •13.2 Способи комутації тиристорів
- •13.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Лекція 14 оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •14.1 Загальні відомості
- •14.2 Випромінюючі діоди
- •14.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •14.3.1 Фоторезистори
- •14.3.2 Фотодіоди
- •14.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •14.4 Оптрони та їх застосування
- •Список скорочень
- •Список літератури
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі 128
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі 160
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
6.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
Схему БТ зі спільною базою докладно розглянуто у п. 6.1.3. Розглянемо тепер особливості й основні кількісні співвідношення для схем зі спільним емітером (ССЕ) та спільним колектором (ССК).
Схема зі спільним емітером.
БТ у названій схемі вмикання показано на рисунку 6.8 для випадку активного режиму. Фізичні процеси в транзисторі аналогічні
Рисунок 6.8 – Струми БТ у схемі зі спільним емітером
до процесів
у
ССБ. Під дією напруги в колі емітера
проходить
,
в колі емітера проходить
струм
.
У базі цей струм розгалужується. Основна
його частина йде до колектора, створюючи
керовану складову вихідного струму.
Друга, менша частина струму
,
йде в коло бази, створюючи струм бази
рекомбінації. Назустріч струму
рекомбінації через базу проходить
зворотний струм колектора
.
Таким чином, вираз (6.10) є справедливим
і для цієї схеми. Але оскільки вхідний
струм в ССЕ є струм бази
,
то потрібно одержати залежність
від
.
З цією метою до формули (6.10) потрібно
підставити значення
з формули (6.13). Одержимо
,
звідки
.
(6.18)
Уводячи позначення
,
(6.19)
вираз (6.18) можна одержати у вигляді
.
(6.20)
З формули
(6.20) випливає, що ССЕ струм колектора
має керовану складову
,
що залежить від вхідного струму, і
некеровану
.
Коефіцієнт
пропорційності
,
який установлює зв’язок між керованою
складовою
і струмом бази, називають статичним
коефіцієнтом передачі базового струму.
При значеннях
=0,95-0,99
значення
становлять відповідно 19-99.
Переваги ССЕ:
високий статичний коефіцієнт передачі вхідного струму
- добрі підсилювальні властивості БТ у схемі зі спільним емітером;
значно більший вхідний опір ССЕ порівняно з ССБ, оскільки при однакових вхідних напругах
струм бази
значно менший ніж струм емітера (див.(6.14)).
Недоліком
схеми зі спільним емітером є те, що
некерована складова її колекторного
струму в
разів більша, ніж в ССБ, оскільки струм
як одна зі складових вхідного струму
підсилюється транзистором.
Схема зі спільним колектором
БТ у схемі ввімкнення зі спільним колектором показано на рисунку 6.9. Режим роботи транзистора – активний, вхідна напруга
Рисунок 6.9 – Струми БТ у схемі зі спільним колектором
схеми
,
вихідна -
,
вхідний струм
,
вихідний
.
За формулами (6.10) та (6.13) одержуємо
(6.21)
Позначаючи
,
(6.22)
вираз (6.21) можна перетворити до вигляду
(6.23)
Отже,
вихідний струм ССК має керовану складову
і некеровану
.
Параметр
називають статичним коефіцієнтом
передачі струму бази у схемі зі спільним
колектором. Порівнюючи вирази (6.19) та
(6.22), можна дійти висновку, що
.
Тому ССК також добре підсилює вхідний
струм.
Оскільки
в схемі ( рисунок 6.9)
(тому що
мала як напруга на прямо ввімкненому
переході), а
(тому що
),
то ССК має таку важливу властивість:
використання схеми зі спільним колектором
при побудові емітерних повторювачів.
Недолік ССК той самий, що і в ССЕ: оскільки як складова базового струму підсилюється транзистором і , то схема має велику некеровану складову вихідного струму.