Вопрос 9. Полупроводниковые материалы

Полупроводники (ПП) это вещества промежуточной тонкой структуры, основным свойством которых является зависимость их электропроводности от воздействия внешних факторов (температура, электрическое поле, излучения и т. д.). в них протекание электрического тока не сопровождается никакими химическими изменениями. Концентрация носителей заряда в них чрезвычайно сильно увеличивается с повышением температуры. При нормальных условиях полупроводники имеют весьма большое удельное сопротивление, но с увеличением температуры данный параметр резко уменьшается. Удельное сопротивление этих материалов находится в диапазоне 10^-3 - 10¹⁰ - 10¹² Ом∙м.

Свойства полупроводниковых материалов определяются их особыми характеристиками. Это собственная и примесная проводимость, различные виды электропроводности, оптические, фотооптические и контактные явления и др.. Полупроводниковыми свойствами могут обладать все кристаллы с неметаллическими связями, хотя они наиболее отчетливо выражаются у веществ с ковалентными связями малой энергии.

Гомоядерные соединения- простые полупроводники. Из них наиболее распространены и применимы кремний и германий.

Сложными полупроводниковыми материалами являются гетероядерные соединения этих неметаллов друг с другом или с некоторыми металлами В данном случае особый интерес представляют соединения, имеющие алмазоподобную кристаллическую решетку. К полупроводящим композициям можно отнести также материалы на основе карбида кремния и графита, сцепленных керамической или другой связкой.( тирит и силит.)

По виду проводимости

Электронные ПП

Дырочные ПП

Вопрос 9.1. Простые полупроводники

Кремний Германий олово. Фосфор Белый фосфор черный фосфор Мышьяк сурьма висмут Селен Теллур

Полупроводниковыми свойствами также обладает рпостые ПП не всегда отвечают требованиям производства полупроводниковых приборов. Для создания материалов с определенными используют гетероядерные неорганические и органические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами.

Сложные полупроводники

карбид кремния SiC (карборунд). Нитрид кремния Si₃N₄. нитриды, фосфиды, стибиды и арсениды р-элементов III группы (бор, алюминий, индий и галлий); Селенид цинка ZnSe ; ZnS; CdS, CdSe, CdTe, ZnS 

Вопрос 9.1.1

Кремний – элемент III периода порядковый номер 14, химический знак – Si.В свободном состоянии он не встречается. Его соединениями являются такие распространенные природные минералы, как кремнезем, силикаты и алюмосиликаты, песок и глина.

Из соединений кремний получают несколькими способами. Чаще всего используют метод восстановления четыреххлористого кремния SiCl₄ парами цинка или водорода при 950 °С.

Имеет высокую температуру плавления 1414 °С и в расплавленном состоянии химически активен. Масса = 28,08.Число атомов кремния в единице объема составляет 5·10²⁸ на 1 м³.Ширина запрещенной зоны при 20 °С равна 1,12 эВ. Верхний температурный предел эксплуатации кремниевых приборов достигает 200 °С. Удельное электрическое сопротивление с собственной электропроводностью составляет 2,3·10³ Ом·м.При низких температурах и высоких давлениях кремний переходит в сверхпроводящее состояние. Плотность твердого кремния при нормальных условиях достигает 2320 кг/м³, а жидкого равна 2530 кг/м³. Температура плавления составляет 1414 °С. При 760 мм рт. ст. кремний кипит при 2477 °С.

Кремний применяют для производства диодов, транзисторов, тиристоров, стабилитронов, фотодиодов, датчиков Холла, тензометров, фотоприемников, солнечных батарей, а также интегральных схем - основы микроэлектронных и микропроцессорных устройств.

Германий – элемент IV периода, порядковый номер 32, химический знак – Ge. В ничтожных количествах он встречается в цинковых рудах, угольной пыли, золе, саже и морской воде. Он разбросан в силикатах, сульфидных минералах, а также в сульфасолях. Большое количество германия присутствует в бурых сортах угля.

В настоящее время одним из основных источников производства германия является бурый каменный уголь, из которого его извлекают в результате сложного технологического процесса как отход продуктов полного горения.

Служит сырьем для изготовления оптических деталей, используется для производства высокочастотных диодов и транзисторов, полупроводниковых приборов.

Простое гомоядерное вещество германий твердый, хрупкий материал серебристо-белого цвета с желтоватым оттенком, внешне похож на металл. Масса = 72,59, число атомов в единице объема составляет 4,4510²⁸ м^-3. Ширина запретной зоны при 20 - 25°С равна 0,75 эВ, а при 300 К - 0,67 эВ. Рабочая температура не превышает 80 °С. Собственное удельное электрическое сопротивление равно 68 Ом∙м. При низких температурах и высоких давлениях (он переходит в сверхпроводящее состояние. Плотность при комнатной температуре равна 5,35 г/см³. Температура плавления составляет 937 °С. При 10³ Па (760 мм рт. ст.) температура кипения равна 2700 °С.

Олово. В качестве полупроводникового материала применяется его низкотемпературная модификация (-Sn) со структурой алмаза, представляющая собой порошок серого цвета и называемая серым оловом. В чистом виде он практически не используется, а является нейтральной примесью для кремния и германия.

Фосфор – элемент III периода, порядковый номер 15, химический знак – Р. В земной корефосфор содержится в основном в виде фосфатов(V). Наиболее распространены минералы фосфорит Са₃(РО₄)₂, гидроксоапатит Са₅(РО₄)₃(ОН), фторапатит Ca₅(PO₄)₃F. Фосфор входит в состав живых организмов.

Фосфор в зависимости от температуры окружающей среды может существовать в трех аллотропных модификациях: белый, красный и черный.

Белый фосфор (плотность равна 1,8 г/см³). Он имеет молекулярную кристаллическую решетку, в узлах которой находятся молекулы Р₄. Белый фосфор это мягкое бесцветное воскообразное вещество, легкоплавок, летуч, растворяется в сероуглероде и в ряде органических растворителей, чрезвычайно ядовит.

При нормальных условиях наиболее устойчив черный фосфор. Однако из-за высокой энергии активации переход других модификаций в данную при обычных условиях не происходит. Его можно получить из белого при 200 °С и 1,210¹⁰ Па. Черный фосфор имеет атомно-слоистую решетку с характерным пирамидальным расположением связей.По внешнему виду черный фосфор (пл. 2,7 г/см³) похож на графит, но является полупроводником (Е = 0,133 эВ).

Красный и особенно черный фосфор химически намного устойчивее белого. Белый фосфор на воздухе самовоспламеняется при 50 °С, красный - выше 250 °С, а черный устойчив до 400 °С. В отличие от белого высокополимерные модификации фосфора не ядовиты..

Мышьяк As, сурьма Sb и висмут Bi это полные электронные аналоги с конфигурацией s²p³, соответственно элементы IV, V и VI периодов с порядковыми номерами 33, 51 и 83. Содержание их в земной коре сравнительно невелико, массовые доли составляют 510^-4, 410^-5 и 210^-5 % соответственно. Они обычно встречаются в виде сульфидных минералов: As₂S₃ - аурипигмент, As₄S₄ - реальгар, Sb₂S₃ - сурьмяный блеск (антимонит), Bi₂S₃ - висмутовый блеск (висмутин), а также FeAsS - мышьяковый колчедан (арсенопирит).

В ряду As - Sb - Bi отчетливо наблюдается усиление металлических признаков простых веществ. При быстром охлаждении пара (состоящего из молекул As₄) образуется неметаллическая модификация - желтый мышьяк (пл. 2,0 г/см³). Неметаллическая модификация сурьмы еще менее устойчива, чем подобная у мышьяка. Для висмута же неметаллических форм неизвестно вообще.

Устойчивые в обычных условиях модификации серые мышьяк, сурьма и висмут имеют металлический вид, электропроводны, но хрупки. Они изоморфны друг другу, имеют слоистую структуру.

Мышьяк, сурьма и висмут находят широкое применение в полупроводниковой электронике, с одной стороны, в качестве донорных примесей в кремнии и германии, а с другой - как основные компоненты различных полупроводниковых соединений типа A^IIIB^V и ряда других.

Селен – элемент IV периода, порядковый номер 34, химический знак – Se. Широко распространен в земной коре, но в малых концентрациях. Его концентрация составляет 6·10^-5 % (по массе), относят к числу редких рассеянных элементов. Чаще всего он сопутствует самородной сере и в виде селенидов присутствует в сульфидных рудах тяжелых цветных металлов. Природный селен состоит из шести устойчивых изотопов.

Основными источниками его производства в основном служат анодные шлаки медных и никелевых электролитных производств. В зависимости от способа получения, а также режима проведения процесса (температуры, давления, скорости охлаждения расплава и т. д.) селен может существовать в стеклообразной, аморфной, моноклинной и гексагональной аллотропических формах. Свойства этих модификаций сильно отличаются друг от друга. Производство тонких пленок осуществляют нанесением селена на металлические подложки (стальные или алюминиевые) вакуумным испарением.

Масса = 78,96; температура плавления и кипения соответственно составляют 220 и 685 °С; ширина запрещенной зоны достигает 1,8 эВ.

Селен применяют для изготовления фоторезисторов и фотоэлементов, так как спектральные характеристики селеновых фотоэлектрических приборов почти полностью совпадают с таковой глаза. Применение селена в качестве фильтров и защитных покрытий в приборах инфракрасного диапазона связано с тем, что он почти прозрачен в инфракрасном спектре.

Теллур – элемент V периода, его порядковый номер 52, химический знак – Те. Является рассеянным элементом. Собственных минералов не имеет. Представляет собой сопутствующий компонент самородной серы. В сульфидных рудах встречается в виде теллуридов.

При медленном охлаждении расплавленного теллура в открытом тигле получают поликристаллические слитки. Из них вырезают несколько монокристаллов. Очистку теллура от примесей производят многократной перегонкой.

Сойства: ширина запретной зоны равна 0,35 эВ; температура плавления составляет 451 °С; температура кипения при атмосферном давлении равна 500 °С; давление паров при 500 °С составляет 67 Па; легко испаряется; удельное электрическое сопротивление чистого теллура при 20 - 25°С равно 29·10^-4 Ом·м; концентрация собственных носителей заряда составляет 9,3·10²¹ м^-3; подвижность электронов равна 0,17 м²/(В·с), дырок составляет 0,12 м²/(В·с).

Технический теллур применяют в виде сплавов с висмутом, сурьмой и свинцом, которые используют для изготовления термоэлектрических генераторов.

Селен и теллур входят в качестве основных компонентов в многочисленные полупроводниковые соединения с элементами II- и V-групп. Кроме того, они используются в качестве донорных примесей в соединениях неметаллов III и V-групп.

Йод. Это элемент V периода с порядковым номером 53, химический знак I. Он является довольно распространенным на Земле элементом. Его содержание в земной коре достигает 310^-5 масс. %. Йод встречается в морской воде и нефтяных буровых водах, откуда его главным образом и добывают. Природный йод состоит из одного изотопа ¹²⁷I. Получены также искусственные изотопы. В обычных условиях он представляет собой черно-фиолетовые кристаллы с металлическим блеском.

Йод сравнительно мало растворим в воде. Намного лучше он растворяется в органических растворителях. Этим пользуются для его извлечения из различных смесей. Йод является достаточно сильным окислителем. Йод окисляется концентрированной азотной кислотой до йодноватой кислоты НIO₃. Он является легирующей донорной примесью в простых и сложных в полупроводниках, а также одним из основных компонентов полупроводниковых соединений с s-металлами.

Бор, являющийся р-элементом III группы главной подгруппы II периода, порядковый номер 5, химический знак - В. В земной коре его содержание составляет 610^-4 мол. %. Он встречается в виде двух изотопов: ¹⁰В и ¹¹B соответственно 19,57 % и 80,43 %. Основными его минералами являются бораты: бура, кернит, сассолин.

Обычно бор получают методами металлотермии (чаще всего восстановлением магнием или натрием). При этом выделяется аморфный бор, который перекристаллизацией в расплавленных металлах можно перевести в кристаллическое состояние. Однако при данном способе образуется продукт, загрязненный большим количеством примесей. Чистый бор получается электролизом расплавленных фтороборатов.

Бор существует в нескольких аллотропных видоизменениях. Кристаллы бора черного цвета, тугоплавкие (Т_пл. равна 2300 °С, Т_кип около 2550 °С), диамагнитны, обладают полупроводниковыми свойствами (Е = 1,55 эВ). При нормальных условиях он имеет электронную, а при нагревании и освещении - дырочную проводимость.

Бор находит применение в виде легирующей акцепторной примеси в простых полупроводниках и полупроводниковых соединениях, а также в качестве компонента соединений типа A^IIIB^V.