
- •Вакуумные методы нанесения покрытий.
- •Эл. Разряды в газах.
- •В ах для несамостоятельных разрядов.
- •Свечение состоит из зон:
- •Элементарные процессы в низкотемпературной плазме.
- •Рекомбинация
- •Равновесие между процессами образования и нейтрализации ионов
- •Тээ с поверхности Ме
- •Эсэ с поверхности Ме
- •Движение носителей в магнитном поле
- •Технологии плазменного напыления
- •Условия нагрева и плавления материала.
- •Р аспределение темпер-ры и энтальпии по сечению плазменной струи.
- •Взаимодействие напыляемого материала с поверхностью подложки
- •Химическое взаимодействие между частицами и подложкой
- •Некоторые вопросы практического использования плазменного напыления
- •Виды брака
- •Газопламенное напыление.
- •Детонационное напыление.
- •Вакуумные методы нанесения покрытий
- •Методы pvd. Методы термического напыления.
- •Способы подвода энергии
- •Магнетронное распыление
- •Классификация мрс
- •Ионное распыление
- •Осаждение дуговым разрядом или конденсация с ионной бомбардировкой киб
- •Методы химического осаждения из пара (cvd)
- •Физико-химические и технологические основы нанесения покрытий вакуумными методами. Механизмы роста покрытий
- •С труктура двухкомпонентных покрытий:
- •Классификация покрытий
Элементарные процессы в низкотемпературной плазме.
Неупругие столкновения.
Различают неупругие столкновения 1-ого и 2-ого рода.
При столкновении 1-ого рода кинетическая энергия частиц частично превращается в др. вид энергии и добавляется к внутренней энергии частиц, с которой произошел удар. Такие столкновения вызывают возбуждения атомов, переход в метастабильное состояние и ионизацию.
Столкновения 2-ого рода приводят к уменьшению внутренней энергии одной или обеих частиц, при этом кинетическая энергия перераспределяется между частицами в процессе стабилизации или рекомбинации. Т.к. масса электрона существенно меньше масса атома, то при неупругом столкновении электрон теряет энергию и передает ее атому, формируется ион, т.е. происходит термическая ионизация.
В
некоторых газах, напр.Н2,
СО, электрон может присоединиться к
нейтральным частицам и формировать
отрицательно заряженный ион.
Рекомбинация
В общем случае рекомбинация состоит в нейтрализации иона и сопровождается выделением энергии. Рекомбинация происходит в тех случаях, когда обеспечен отвод этой энергии.
По локализованности разделяют объемную и поверхностную рекомбинацию.
1. Вероятность объемной рекомбинации невелика. Если она происходит, то выделяется энергия:
Wi – энергия иона,
Ui – потенциал иона.
Квантовая энергия передается другой частицы. Коэффициент рекомбинации иона можно записать в виде:
,
li
~1/p.
li – длина свободного пробега иона,
r
i
– коэффициент
рекомбинации иона,
mi – масса иона.
(зависимость коэфф-та рекомб от давления)
Левая ветвь зависимости характеризует движение ионов в пристеночном слое. Правая – связана с дрейфом при высоком давлении.
2. Поверхностная рекомбинация происходит следующим образом: электроны оседают на поверхности и сообщают ей отрицательный заряд. Ионы приближаясь к ней рекомбинируются, образуются нейтральные атомы. Атомы могут объединяться в молекулы и возвращаться в объем.
Равновесие между процессами образования и нейтрализации ионов
Прямой процесс ионизации может происходить при соударении электрона с атомом и можно записать следующее соотношение:
А0+ ē →А++2 ē (реакция ионизации)
А++2 ē → А0+ ē (реакция нейтрализации)
Скорости ионизации и нейтрализации:
Ui=ki·nа·ne
Up=kp·ni·ne2
k – константа скорости реакции, зависящая от Т,
n – заряды.
Если Т принять одинаковыми по всему разрядному промежутку, то Ui= Up
.
k – константа равновесия м/д процессами ионизации и рекомбинации.
Процессы ионизации, рекомбинации могут происходить под действием излучения:
А0+
→А++ē
А++
ē → А0+
.
Тогда скорости реакции равны:
U’i=k’i·nа·J
U’p=k’p·ni·ne
J – интенсивность излучения или число квантов поглощаемых или излучаемых за 1 сек. в 1 м3 газа, зависит от Т.
При одинаковых Т:
U’i=
U’p,
.
При термодинамическом равновесии степень термической ионизации можно выразить через формулу Саха:
,
.
р – давление, Т – абсолютная т-ра поверхности твёрдого тела, Ui – ионизационный потенциал, a и b – константы, зависящие от используемого газа.
Ф-ла описывает идеализированные случаи, когда газ не содержит воду, не учитывается переход атомов в метастабильное состояние, не учитывается взаимодействия со стенками.
Ф-ла применима для слабо ионизированного газа, т.е. когда α «1, например, в столбе дуги.