
- •П оликристаллические материалы на основе алмаза киев наукова думка 1989 г оглавление
- •Предисловие
- •Глава I написана а. А. Шульженко и в. А. Шишкиным, глава II — в. А. Шишкиным и а. А. Бочечкой, в написании глав III— V принимали участие все авторы. Список условных обозначений
- •Глава I получение и свойства поликристаллических материалов на основе алмаза
- •Материалы, синтезированные из неалмазного углерода
- •Материалы, спеченные из микропорошков алмаза
- •Многослойные поликристаллические материалы
- •Материалы на металлической или металлокерамической связках
- •Структура поликристаллических материалов
- •Глава II аппараты высокого давления для получения поликристаллических материалов
- •Типы аппаратов
- •Эксплуатация аппаратов
- •Глава III свойства алмазных порошков для получения поликристаллических материалов на основе алмаза
- •Прочность порошков синтетического алмаза при сжатии
- •Прочность порошков синтетического алмаза при сжатии
- •Зависимость свойств алмазных порошков от содержания включений
- •Изменение состава алмазных порошков при нагреве и взаимодействии с газами
- •Изменение физико-механических свойств алмазных порошков при нагреве под давлением
- •Глава IV твердофазное спекание алмазных порошков при высоких давлениях
- •Холодное уплотнение порошков алмаза
- •Уплотнение порошков алмаза при термобарическом воздействии
- •Формирование структуры поликристаллов при спекании порошков
- •Зависимость свойств спеченных поликристаллов от состава поверхности алмазных порошков
- •Элемент или функциональная группа
- •Взаимодействие сжатого алмазного порошка с газами
- •Глава V жидкофазное спекание алмазных порошков при высоких давлениях
- •Взаимодействие алмаза с переходными металлами
- •Механизм пропитки алмазных порошков
- •Кинетика пропитки алмазных порошков жидкими металлами и сплавами металл — углерод
- •Пропитка алмазных порошков кобальтом из твердосплавной подложки
- •Спекание поликристаллов на основе алмаза методом пропитки алмазных порошков
- •Список литературы
Элемент или функциональная группа
Количественное содержание примесей
Адсорбированные |
N+ |
Следы |
молекулы, ионы и функ- |
о2 |
« |
циональные группы |
С1- |
« |
|
CN- C2H2 |
« |
|
so42- |
« |
|
со OH- |
100 (мг -атом)/г « « |
|
соон |
« « |
|
O- |
100—400 (мг X |
|
|
X атом)/г |
Металлы |
Mg, Ca, Si, Na |
Менее 1 % |
|
К, Al, Сг |
» » |
|
Mn, Ni, Fe |
|
Неметаллы |
Графит |
0,2—1,0 % |
|
В |
Менее 1 % |
спекании алмазных поликристаллов примеси оксидов кремния сегрегируют по границам алмазных зерен, препятствуя тем самым их срастанию в плотный поликристалл. Это приводит к снижению прочностных свойств поликристаллического материала. Чаще всего излом происходит по межзеренным границам с повышенным содержанием примесей и включений.
Исследования влияния способа очистки на состав загрязнения поверхности проводились на микропорошках синтетических алмазов марки АСМ зернистостью 7/5 мкм, качество которых соответствовало ГОСТ 9206-80. Состав поверхности частиц этих микропорошков определялся в исходном состоянии, после обработки в солярной кислоте с последующей многократной промывкой в дистиллированной воде, после кислотной очистки и про
Таблица 17. Относительное содержание примесей на поверхно зависимости от вида обработки
Обработка |
|
|
Относительная (к углероду) |
—. |
|||
Na+ |
Mg+ |
Al+ |
Si+ |
Са+ |
Мп+ |
|
|
Исходное состояние В кислотах с промывкой в дисти ллированной воде В кислотах с последующим отжигом в вакууме |
2,4 1,0 0,4 |
4.0 1.0 0,37 |
0,90 0,57 0,10 |
5,60 0,58 0,40 |
12,0 0,06 1,6 0,05 0,2 0,05 |
мывки с последующим отжигом при 1300—1350 К и давлении остаточных газов 10-2 Па. Состав поверхности алмазных частиц определялся методом ЭОС. Как видно из рис. 44, после обработки в соляной кислоте поверхность алмазных частиц содержит примесей кремния и кислорода несколько больше, чем до обработки. Следует отметить, что удаляются эти примеси ионным травлением с поверхности частиц алмазного порошка, обработанного кислотой, за большее время, чем необработанного. Это связано с тем, что после кислотной обработки поверхность частиц становится более развитой и химические реакции, в результате протекания которых на алмазной поверхности закрепляется кислород, затрагивают более глубокий слой [36].
Наиболее чистой поверхностью обладают порошки, отожженные в вакууме. Вероятно, при нагреве до 1300— 1350 К из-за различия коэффициентов термического расширения (КТР) алмаза и примесей происходит отслоение тонких (десятки нанометров) чешуек оксидов кремния и других примесей от частиц алмаза. На поверхности алмазных частиц остается только кислород, адсорбированный при охлаждении из внешней среды.
Более детально состав поверхности частиц алмазных микропорошков, очищенных различными способами, был исследован методом ВИМС. Были получены характерные спектры положительных и отрицательных вторичных ионов поверхности частиц алмазных порошков. В спектрах присутствуют пики, соответствующие ионам: Н-, СН-, O-, ОН-, С2-, С2Н2-, Сl-, F-, В+, С+, СН+, N+, Na+, Mg+, C2+, Al+, Si+, K+, Ca+, Mn+, Cr+, Fe+, Ni+. Для оценки количественного содержания примесей на поверхности алмазных частиц были определены отношения интенсивности пиков,
сти микропорошков синтетических алмазов АСМ 7/5
в еличина пика элемента в спектрах вторичных ионов
Fe+
Ni+ |
Н- |
сн- |
о- |
С1- |
С2- |
C2H2-
0,40
0,12 0,20 0,17 1,0 0,32
0,96 1,40
0,16 0,022 0,29 0,13 0,04 0,06
0,23 1,0 0,10 0,58 0,67 0,06 0,3 0,03 1,80 0,23
соответствующих примесным ионам, к интенсивности пика матричного элемента — углерода (табл. 17). Как видно из табл. 17, содержание натрия, магния, алюминия, кремния, кальция, железа, хрома, никеля на поверхности алмазных частиц уменьшается при обработке порошков в кислоте, но наиболеее чистая поверхность получается при последующем отжиге в вакууме.
Из сравнения отношений интенсивностей пиков элементов в спектре отрицательных вторичных ионов к интенсивности пика углерода следует, что после кислотной обработки возрастает концентрация на поверхности алмазных частиц примесей водорода, кислорода, групп ОН-, СН- и уменьшается концентрация хлора, бора, фтора, групп С2Н2- и неорганических примесей. По результатам исследования состава поверхности алмазных порошков после различных способов очистки, проведенных методами ЭОС и ВИМС, следует отметить, что кислотная обработка уменьшает концентрацию на поверхности алмазных порошков, в основном неорганических примесей, последующая же термообработка в вакууме уменьшает концентрацию всех примесей, как неорганических, так и различных функциональных групп, а также азота, водорода, хлора и др.
Загрязнения поверхности частиц алмазных микропорошков различными примесями значительно влияют на процесс спекания поликристаллического алмазного материала и его физико-механические свойства, такие, как твердость, износостойкость, прочность на сжатие и удельное электросопротивление. Исследовали физико-механические свойства образцов алмазного поликристаллического материала, спеченных из микропорошков марки АСМ 7/5 с различными видами предварительной очистки поверхности (табл. 18).
Таблица 18. Физико-механические свойства спеченных алмазных поликристаллов
Исходное состояние |
240 |
20,7 |
7,4 |
0,09 |
После обработки в кисло- |
|
|
|
|
те и промывки в дистил- |
|
|
|
|
лированной воде |
310 |
35,8 |
2,9 |
0,21 |
После кислотной обработ- |
|
|
|
|
ки с последующим от- |
|
|
|
|
жигом в вакууме |
390 |
47,0 |
0,9 |
0,43 |
Как видно из табл. 18, наиболее высокими свойствами обладают образцы поликристаллов, спеченные из порошков синтетических алмазов, предварительно прошедших кислотную обработку с последующим отжигом в вакууме. Однако и кислотная обработка способствует повышению качества спеченных поликристаллов.
Ввиду того, что алмаз является диэлектриком, проводить электрический ток в алмазном поликристалле может только графит, образовавшийся в процессе спекания в результате полиморфного превращения алмаз — графит. Так как алмазные поликристаллы спекались из одного и того же микропорошка, но с различными способами очистки, при одних и тех же термодинамических параметрах (температуре, давлении и длительности спекания), то различия в удельном электросопротивлении связаны с влиянием концентрации поверхностных загрязнений на процесс графитизации алмазных частиц. Как показали результаты измерения электросопротивления спеченных поликристаллов, при воздействии давления 9,0 ГПа и температуры 2000 К алмазный порошок АСМ 7/5 графитизируется в большей степени в исходном состоянии, чем после очистки в кислоте. Наибольшее электросопротивление у образцов поликристаллов, спеченных из алмазного порошка, отожженного в вакууме.