2. Уплотнение порошков алмаза при термобарическом воздействии

Спекание высокодисперсных алмазных порошков мо­жет осуществляться при высоком давлении (5—12 ГПа) и высокой температуре (1500—3000 К), а также при дав­лениях ниже атмосферного и температуре 1500—1800 К [39].

В работе [231] установлено, что наилучшие резуль­таты достигнуты в процессе спекания высокодисперсных порошков алмаза при максимально высоком давлении и при температуре несколько выше равновесного зна­чения при данном давлении, когда, казалось бы, можно ожидать только превращения алмаза в графит. Это про­тиворечие авторы работы [231] объясняют тем,, что пере­дача усилия сжатия алмазными порошками не является гидростатичной и во время спекания их при высоком давлении усилие сжатия концентрируется в местах со­прикосновения алмазных зерен, в результате чего дав­ление на этих площадках выше, чем среднее давление в

Рис. S3. Зерна алмазов (АСМ 7/5) после воздействия высокого давле­ния

реакционной зоне АВД. На рис. 33 представ­лен микропорошок син­тетических алмазов мар­ки АСМ зернистостью 7/5 мкм, снятый в отра­женных электронах на сканирующем микроско­пе «Стереоскан» (увели­чение 2000). Алмазные частицы этого порошка имеют форму многогран­ников, приближающую­ся к кубической, октаэд-рической или тетраэдри-ческой. Преобладающий тип контакта при свобод­ной засыпке алмазного микропорошка — вершина одной частицы с плоской гранью другой, хотя нередко встречается контакт частиц по плоским граням.

В табл. 10 приведен зерновой состав порошка АСМ 7/5 до и после воздействия высоким давлением (7,7—

Таблица 10. Зависимость зернового состава порошка АСМ 7/5 от параметров термобарического воздействия

Зернистость	Соотношение фракций в алмазном порошке, %
	до обра­ботки	после обработки
		p=7,7 ГПа. Т = 293 К	p=9,0 ГПа. T=293 К	p= 9,0ГПа Т= 1000 К	p=9.0 ГПа., T=1270 К

10/7	5	2	1	_	—
7/5	67	21	18	9	6
5/3	28	19	16	8	8
3/2	_	15	14	10	10
2/1		20	20	31	24
1/0	—	23	31	42	52

9,0 ГПа) и температурой 293, 1000 и 1270 К. Как видно из табл. 10, размеры частиц алмазного порошка после термобарического воздействия при параметрах Р = = 9,0 ГПа, Т = 1270 К уменьшаются в 7—10 раз. По данным работы [230] алмазные порошки марок DSK и DSP подвергались воздействию давления 5,5 ГПа в АВД типа белт при комнатной температуре. При этом средний размер алмазных частиц уменьшился в 8—12 раз, при­чем окончательный размер частиц алмаза от марки не зависит.

293 500. 1000 1500 2000 Т.К

Рис.34. Зависимость относи­тельной усадки алмазного по-ликристалла от температуры спекания:

К ак показали измерения, при свободной засыпке по­рошка АСМ 7/5 общая пористость составляет 50 %, после холодного обжатия она уменьшается до 28 %. Таким образом, из-за

уменьшения объема пор давление в порах алмазного брикета при холод­ном обжатии может превышать атмо сферное примерно в два раза. Общая пористость после спекания порошка АСМ 5/3 за 7 с при 2000 °С и 8,0 ГПа со­ставляла 6 %, открытая — 3%.

= 5,5 ГПа; 2 - 9,0 ГПа; 3 — 9,0 ГПа

1 — АСМ 1/0, р

АСМ 1/0, р= АСМ 5/3, р =

Таким образом, в началь­ный период спекания закры­тая пористость уменьшается примерно в 17 раз по сравне­нию со свободной засыпкой алмазного порошка. Можно предположить, что примерно в столько же раз уменьшился

объем отдельной закрытой поры. Предполагается, что с момента помещения снаряжения реакционного объе­ма в АВД и нагружения пресса пора остается со­вершенно герметичной. Уменьшение объема в сочетании с нагревом вызовет увеличение давления газов в поре. Рассчитаем это давление при 600 и 2300 К. Поскольку критическая температура для газов атмосферы меньше 155 К, то для расчета можно воспользоваться уравне­нием состояния для идеального газа — уравнением

Менделеева — Клапейрона pV = RT, откуда вы-текает соотношение р = pн n, где рн, Тн — значения

давления и температуры при нормальных условиях, n — соотношение между начальным и конечным объемом поры (в нашем случае n = 17). Поэтому при Т = 600 К p = 3,5 МПа, при Т = 2300 К p= 13,0 МПа. Следо­вательно, для сжатого в АВД до 8,0 ГПа алмазного порошка характерно наличие большой разницы между давлением в твердой фазе (порядка 8,0 ГПа) и давлением газа в порах (от 0,2 МПа при комнатной температуре до 13 МПа при 2300 К). Эта разница играет важную роль при осуществлении спекания алмазного порошка.

В работе [208] определялись плотность, объемная усадка и удельное электросопротивление алмазной кера­мики, спеченной из микропорошков синтетического ал­маза различной зернистости, в зависимости от термоди­намических (р, Т) параметров спекания. Зависимость объемной усадки ( ) от температуры спекания пред­ставлена на рис. 34, откуда видно, что кривые зависимос­ти объемной усадки образцов алмазной керамики от тем­пературы спекания состоят из трех участков. Ход низкотемпературных участков кривых (293—1100 К) показывает, что до 1100 К температура спекания слабо влияет на усадку, которая происходит в основном за счет дробления и перегруппировки алмазных частиц под влиянием термобарического воздействия. Среднетемпературные участки кривых (1100—1700 К) отражают преи­мущественное влияние температуры спекания на объем­ную усадку, наконец, при температуре спекания выше 1700 К зависимость усадки от температуры незначитель­на. При температурах спекания выше 1100 К частицы алмаза под действием высокого давления начинают пла­стически деформироваться, тем самым резко увеличивая объемную усадку за счет сглаживания неровностей, вы­ступов и заполнения пор. Это согласуется с данными ав­торов работы [222], изучавших по появлению линий скольжения пластическое течение алмаза при нагреве в нагруженном аппарате высокого давления крупных монокристаллов, окруженных мелким алмазным порош­ком. У более крупных порошков объемная усадка уве­личивается в большей степени.

Плотность образцов спеченной алмазной керамики определялась методом гидростатического взвешивания в этиловом спирте при 293 К. Следует отметить, что из­мерялась плотность алмазной керамики с учетом общей пористости, как открытой, так и закрытой, для чего поверхность образца смазывалась тонким слоем вазелина. Плотность поликристалла определяли и другим спосо­бом; из образцов были изготовлены шлифы, непараллель­ность плоскостей и неконцентричность которых не превышает 2 • 10-6 м. Плотность образцов рассчиты­вали по результатам определения их геометрических размеров на микрометре.

Как видно из рис. 35, кривые зависимости плотности алмазных образцов от температуры спекания также име-ют три участка, причем ход этих кривых в целом повто­ряет ход кривых на рис. 34, за исключением высоко-температурного участка. При повышении температуры выше 1700 К плотность алмазной керамики доходит до максимума, причем температура максимума зависит от давления и размеров спекаемых частиц.

Рис. 35. Зависимость плотности алмазного поликристалла от темпе­ратуры спекания:

1 — АСМ 1/0, p = 5,5 ГПа: 2 — АСМ 1/0, р = 9,0 ГПа; 3 — АСМ 5/3,

р = 9,0 ГПа; 4 = АСМ 7/5, р = 9,0 ГПа

Рис. 36. Зависимость удельного электросопротивления алмазного поликристалла от температуры спекания:

1 — АСМ 1/0, р = 5,5 ГПа; 2 — АСМ 1/0. р = 9,0 ГПа; 3 — АСМ 5/3. р - 5,5 ГПа; 4 - АСМ 5/3, p = 9,0 ГПа

На рис. 36 представлена зависимость удельного элект­росопротивления алмазной керамики от температуры спекания. Известно, что алмаз хороший изолятор (удель­ное сопротивление составляет более 10¹² Ом • м). Иа рисунка видно, что удельное электросопротивление спе­ченной алмазной керамики при температуре спекания 1200 К составляет 10¹² Ом • м, с повышением же темпе­ратуры спекания с 1273 до 2100 К оно уменьшается от 1— 3 • 10⁸ до 0,03—0,11 Ом • м. Так как проводить электрический ток алмазная керамика может только в том случае, когда графит, который образуется на внеконтактных поверхностях алмазных частиц, заполняет полностью хотя бы несколько каналов, то можно сде­лать вывод, что интенсивная графитизация алмазных частиц при спекании начинается с 1273 К.

Рис. 37. Зависимость содержания графита (1) в поликристаллах и их плотности (2) от мощности нагрева

С проведением спекания в узкотемпературной облас­ти, где происходит пластическое течение алмазных час­тиц, но интенсивная графитизация еще не наблюдается, авторы работы [107] связывают возможность получения высокоомной алмазной керамики с высокой теплопро­водностью. Анализ экспериментальных данных по спе­канию микропорошков С,% алмаза различных зер-нистостей показал, что удельное электросопро­тивление спеченной ал­мазной керамики зави­сит от размера спекаемых порошков (рис. 36). При температуре спекания 1820 К и давлении 8,5 ГПа с увеличением размера спекаемых по­рошков от 1/0 до 60/40 мкм удельное со­противление алмазной керамики увеличивается с 0,2 до 1,3 • 107 Ом .м. Графи­тизация алмазных частиц при температурах спека­ния ниже 2100 К (в области стабильности алмаза) происходит на участках поверхностей зерен, контакти­рующих с порами. Естественно, что количество крупных зерен в образцах алмазной керамики одинакового объе­ма меньше, отсюда и графитизирующиеся участки рас­положены реже, не создавая замкнутых цепочек, что придает образцам, спеченным из крупнозернистых алмаз­ных порошков, высокое электросопротивление.

В работе [189] отмечается, что спеченные алмазные поликристаллы могут содержать до 25—30 % графита. Количественное содержание графита в поликристаллах, спеченных из порошка зернистостью 14/10, определяли по изменению их массы до и после травления в NaNO3 [147] при 610—630 К. При таких температурах происхо­дит разложение NaNO3 с выделением кислорода, кото­рый реагирует с графитом, образуя СО/СО2. Время об­работки поликристаллов в зависимости от их плотности устанавливали изучением их поперечного излома. Элек- тросопротивление поликристаллов после травления по­вышалось с 102—103 до 1111 Ом. Как видно из рис. 37, с увеличением мощности нагрева выше 3,4 кВт в поли­кристаллах резко возрастает количество графита.

Выплавление включений сплава-растворителя также может влиять на указанный процесс. Такой выход вклю-чений происходит в объеме между алмазными зернами ввиду неравномерного распределения приложенного давления. В дальнейшем при обработке в NaNO3 вклю­чения могут удаляться из поликристалла. Некоторое

О 50 100 150 200 250 ,с

Рис. 38. Зависимость удельного электросопротивления (1), плотности (2) и относительной усадки (3) от времени спекания при T = 1800 К, p = 9,0 ГПа

расхождение по количественному содержанию графита в полученных нами поликристаллах и в работе [147] объясняется различными качеством используемых алмаз­- ных порошков и параметрами спекания. Как видно из рис. 37, с увеличением мощности нагрева плотность поликристаллов увеличивается до значений (3,27— 3,30) • 103 кг/м3. При таких температурах за счет увел­и- чения пластической деформации зерен, а также заполне-­ ния межзеренных объемов образовавшимся графитом и выплавившимися включениями у поликристаллов прак­- тически отсутствует открытая пористость. ;

На рис. 38 представлена зависимость удельного элек­тросопротивления, объемной усадки и плотности алмаз­ной керамики от времени спекания при 1800 К и 8,5 ГПа. Как видно из рис. 38, в первые 30 с происходит интенсив­ная усадка и уплотнение спекаемых порошков, графити-зация частиц алмаза слабая, электросопротивление высо­кое. С 30-й по 60-ю с уплотнение продолжается за счет пластической деформации, идет срастание алмазных частиц в жесткий каркас; поверхностная графитизация алмазных зерен резко снижает удельное электросопротивление (на 6—8 порядков). Начиная с 60-й с и до 300-й продолжается уплотнение за счет заполнения пор алмазом и частично графитом, графитизация продолжа­ется, электросопротивление алмазной керамики снижа­ется; площадь контакта между спекаемыми алмазными зернами увеличивается за счет их пластической деформа­ции, возникает большое количество связей между зерна­ми, образцы керамики становятся твердыми.

Таблица 11. Физико-механические свойства спеченной алмазной керамики в зависимости от температуры спекания

Температура спекания, К

Относительный износ, мг/кг

Удельное электросопро­тивление, Ом^.м

Плотность, г/см³

1380	28,0	1,2 106	3,105
1620	7,2	38,0	3,172
1740	5,0	1,34	3,192
1820	4,8	0,40	3,203
2010	3,9	0,17	3,218
2130	3,8	0,13	3,281
2300	2,6	0,09	3,216
2470	2,3	0,06	3,184
2570	2,8	0,05	3,182
2660	3,5	0,03	3,093
2730	4,2	0,03	3,071
2800	5,1	0,03	2,833

Примечание. Для твердого сплава ВК-8 плотностью 14,8 г/см³ от­носительный износ составляет 229,2 мг/кг.

Для алмазной керамики, используемой в качестве режущего элемента обрабатывающих инструментов, од­ной из важнейших характеристик является износостой­кость. В табл. 11 приведены значения износостойкости, удельной электропроводности и плотности алмазной керамики, спеченной из порошков алмаза марки АСМ 5/8 при давлении 8,5 ГПа, в зависимости от температуры спекания. Износостойкость алмазной керамики измеря­лась в сравнении с износостойкостью твердого сплава ВК-8 в процессе правки абразивного круга ПП 600 X X 63 х 305 А24 СМ2 5К6. Режим обработки: vкр = 35 м/с, Sпр = 0,5 м/мин, SПОП = 0,02 мм/ход, охлажде­ние — 3%-й раствор соды в воде. Как видно из табл. 11, наибольшую износостойкость показали образцы алмазной керамики, спеченные при 2270—2470 К, изно­состойкость их в 90—95 раз выше, чем у твердого спла­ва марки ВК-8.

Поликристаллы, используемые в буровом и других типах инструментов, должны обладать значительной механической прочностью. Обусловлено это тем, что при работе инструмента могут возникать большие динами-ческие нагрузки. Кроме того, при пайке пластин в корпуса инструмента ввиду значительной разницы коэффи­циентов термического расширения основания и поли­кристалла в последнем могут возникать существенные термомеханические напряжения. Такие напряжения в пластинах возникают также непосредственно в процессе

их работы.

Определить прочность на из-

гиб алмазных поликристаллов по

ГОСТ 945-60 невозможно, ввиду того что из спеченных пластин диаметром 8—10 мм нельзя из-

Рис. 39. Схема нагруже­ния образца при испыта­нии методом кругового из­гиба

готовить образцы необходимых размеров и формы. Поэтому ис­пользовалась схема испытания на изгиб дисков, свободно опер­тых по контуру (испытания дис­ков на круговой изгиб), при нагружении концентрической на­грузкой по центру образца [99J. Для испытаний образцы, спечен­ные из порошка АСМ 14/10, уста­навливали в специальное приспо­собление. Схема нагружения при­ведена на рис. 39. Прикладываемая нагрузка Р через пу­ансон 1 воздействует на образец 2, который опирается на опорное кольцо 4. Таким образом, под воздействием силы Р происходит круговой изгиб; при этом в зоне между пуансоном и опорой возникает двухосное напряженное состояние. При такой схеме нагружения расчет напря­жения при разрушении возможен только в случае хруп­кого разрушения. Расчет напряжений (хрупкой проч­ности) при этом производится в соответствии с первой теорией прочности по формуле [99]

, (IV.4)

где d, D — диаметры площади приложения нагрузки и опорного кольца соответственно, м.

Для испытаний приспособление с алмазным поли­кристаллом помещалось в реверс разрывной машины уси­лием 10 кН. Нагружение производилось до разрушения образца. Скорость приложения нагрузки 50 Н/с. Наи­большая допустимая погрешность показания по шкале нагрузок ±1 от измеряемого усилия. Величина разру- шающей нагрузки фиксировалась автоматически. Коэф­фициент Пуассона принимали равным 0,32 аналогично данным для алмазного материала синдит [226]. Как вид­но из рис. 40, при увеличении мощности нагрева вдвое прочность образцов возрастает более чем в пять раз. Резкое увеличение прочности образцов наблюдается при относительно малых мощностях нагрева, при мощно­сти нагрева более 3,7 кВт увеличение незначитель­но. При испытаниях образцы разрушаются в основном

2,2 2.6 3,0 3,4 IU,кВт 2,2 2,6 3,0 3,4 3,8 IU, кBT

Рис. 40. Зависимость механических свойств поликристаллов от мощности нагрева при спекании

Рис. 41. Зависимость теплопроводности (1) и электросопротивления (2) поликристаллов от мощности нагрева при спекании

на четыре части с прямолинейным распространением трещин. При более низких температурах нагрева число частей увеличивается до 6—8. Для таких образцов на­блюдается извилистое распространение трещин. Иногда имеет место отделение частей по периферии образца со стороны, противоположной опорной поверхности. Траек­тория трещин при низких температурах спекания про­ходит в основном по границам зерен, а при высоких на­блюдается частичное разрушение образца по зернам.

Данные по износостойкости коррелируют с характе­ром изменения прочности поликристаллов от мощности нагрева. Микротвердость образцов, измеренная индентором Кнупа при нагрузке 10 Н, имеет практически ли­нейную зависимость от температуры спекания.

Теплопроводность образцов определялась методом стягивания теплового потока [125], который заключа­ется в создании теплового сопротивления стягивания из-за перестройки поля теплового потока в области резко­го изменения его сечения. Как видно из рис. 41, тепло­проводность поликристаллов значительно возрастает с повышением мощности нагрева и достигает значений до 200 Вт/(м • К). При таких температурах увеличивается эффективная площадь контакта между алмазными зернами, что приводит к уменьшению контактного сопро-тивления, а следовательно, к уменьшению общего теп-лового сопротивления. Увеличение мощности нагрева до 4,2 кВт несущественно повышает теплопроводность полученных образцов. Это объясняется тем, что тепло-проводность материала зависит от наличия центров фононного рассеивания. В поликристаллах такими цент-рами могут быть примеси, включения, границы зерен и другие дефекты. Исходные микропорошки синтетиче-ских алмазов содержат до 1,5 % примесей и включений, что и снижает теплопроводность полученных поликристаллов. Полученные данные по теплопроводности коррелируют с зависимостью плотности поликристаллов от температуры. Для изучения характера спекания алмазных поликристаллов при различных температурах были изготов­лены шлифы по плоскости, перпендикулярной плоскости приложения давления. Исследование образца, спеченного при мощности нагрева 2,4 кВт, показало, что редко имеются зерна в плоскости шлифа, непосредственно контактирующие друг с другом. Размер пустот равен, а иногда и больше размера самих зерен. С повышением температуры возрастает пластическая деформа­ция алмазов и увеличивается количество зерен на едини­це площади. При этом на шлифе видны отдельные груп­пы зерен, контактирующие друг с другом.

В некоторых местах шлифа имеются отдельные вытя­нутые объемы с пустотами или включениями графита. Размер зерен на шлифе составляет 5—10 мкм, имеются зерна и меньших размеров за счет их дробления. Одна­ко такое дробление зерен наблюдается в меньшей степе­ни, чем приведено в работах [84, 205], где показано, что средний размер микропорошков зернистостью 7/5 умень­шается в три раза, а для 20/14 — в восемь раз. Увеличе­ние размера зерен возможно за счет их роста при спека­нии. В начальный момент нагрева ввиду незначительной пластической деформации во внеконтактных поверх­ностях алмазных зерен образуется графит и происходит выплавление включений сплава-растворителя. Кроме того, незначительное количество сплава-растворителя имеется и на поверхности зерен после синтеза. При более высоких температурах спекания увеличивается пласти­ческая деформация алмазов и ввиду наличия образовав­шегося графита в отдельных частях кристалла происхо­дит перераспределение давления и, по-видимому, поэто­му создаются условия для первичной рекристаллизации.

Количество и общая площадь контактов между ча­стицами определяют структуру образованного поликри­сталла, а увеличение прочности связей между зернами приводит к улучшению свойств поликристаллических сверхтвердых материалов. Так, твердость материала уве­личивается не только с увеличением среднего размера зерна, но и с ростом среднего размера перешейка между зернами. Поликристалл, образованный из крупных зерен алмаза, более хрупкий, чем поликристалл, спеченный при прочих равных условиях из мелкодисперсного ал­мазного порошка [112].

Для металлов [188] значение микроскопического предела упругости, предела текучести или напряжения течения, соответствующее фиксированной степени пла­стической деформации, возрастает с уменьшением раз­мера зерна согласно соотношению Холла-Петча

, (IV.5)

где — напряжение течения; , Ky — константы.

В работе [187] показано, что зависимость предела те­кучести от размера зерна ковалентных кристаллов удовлетворительно описывается данным соотношением, причем для алмаза Ку = 3,5 МН/м3/2.

Высокий уровень механических свойств материалов на основе плотных модификаций кубического нитрида бора, как и для металлов, определяется высокодисперс­ной зеренной структурой [88]. Созданию поликристалли­ческих сверхтвердых материалов на основе алмаза, характеризующихся высокодисперсным структурным состоянием (размер зерен от сотых долей до 1—3 мкм), посвящены работы [161, 178, 195, 196]. Исходным материа­лом для спекания служили порошки, полученные при статическом [178] и динамическом синтезе, содержащие частицы алмаза и лонсдейлита размером около 1—3 мкм [195, 196], и дробленные путем динамической обработки алмаза марки АСМ [161].

Проведенные методами просвечивающей электронной микроскопии и электронной микрофрактографии струк­турные исследования позволили установить механизм уплотнения алмазно-лонсдейлитного порошка при воз­действии высоких давлений и температур. На начальной стадии происходит укладка частиц развитыми поверх­ностями параллельно друг другу; одновременно происхо­дящее измельчение зерен в частицах способствует их разупрочнению и деформации путем межзеренного проскальзывания, которое и определяет уплотнение поли-кристаллов до беспористого состояния.

На начальной стадии уплотнения наблюдается коагу-ляция зерен алмаза с исходным размером около 5,0 нм в агрегаты размером 20,0—30,0 нм, затем происходит перестройка субзеренной структуры алмаза (размер блоков в зернах возрастет до 3,0—4,0 нм), т. е. структурная перестройка высокодисперсного алмаза под действием высоких давлений и температур осуществляется путем первичной рекристаллизации зерен с развитой суб-структурой и собирательной рекристаллизации исходных совершенных зерен.

В полученных поликристаллах содержание графита, образовавшегося в результате обратного фазового пре-вращения из алмаза, не превышает 3—5 %. Образовав­шийся графит характеризуется сильно разупорядоченной структурой. Упрочнению связей между зернами спо-собствует и образование химических соединений по границам зерен.

Так, по данным работ [154, 177, 197], соединениями, прочно связывающими зерна алмаза в композиционных материалах, являются, в частности, карбид титана и карбид бора.

Сотрудниками Института физической химии АН СССР и ИСМ АН УССР разработан способ спекания по-ликристаллов алмаза [135], по которому , на частички алмаза эпитаксиально наносятся практически любые, в том числе и минимальной величины (меньше 1 мкм) алмазный и алмазно-графитный слои, а полученные ча-стички спекаются при давлении 11,5 ГПа и температуре 3500 К. Материалом, который связывает частички, служит алмаз, который образовался в результате фазового перехода в алмазно-графитовом слое.

Исследования процесса спекания [55] показали, что на начальной стадии (6—8 с) происходит интенсивное уплотнение алмазных спеков, резкое уменьшение пори­стости и размера пор, причем абсолютные значения этих величин в образцах, спеченных за одно и то же время из мелкого порошка (АСМ 5/3), выше по сравнению с об­разцами, полученными из более крупного порошка (АСМ 20/14). В дальнейшем наблюдается окончательное сращивание алмазных зерен, величина открытой пористо­сти и размеры пор уже не зависят от дисперсности исход­ного порошка и составляют 2 % и 40 мкм соответственно. В работе [194] высказано предположение, что спе­кание алмазных порошков осуществляется через графитоподобные прослойки, образуемые на внеконтактных поверхностях алмазных зерен. Для получения поликри­сталлических алмазов СВС-П в реакционный объем вво­дят оксид щелочноземельных металлов, например каль­ция. Рентгеноструктурный и физико-химический анализ алмазов СВС-П показали наличие каркаса из сросшихся алмазных зерен и сообщающейся пористости, заполнен­ной второй фазой — соединениями кальция.

Таким образом, формирование структуры алмазного поликристалла определяют зернистость и физико-меха­нические свойства исходного алмазного порошка, тем­пература, давление, а также длительность спекания. При этом фактором, тормозящим формирование плот­ной структуры, является графитизация алмазных зе­рен. Поиск эффективных способов устранения или умень­шения скорости этого нежелательного процесса при спекании алмазных порошков является актуальной задачей.