Раздел 4. Полевые транзисторы
Полевой транзистор это прибор управляемый.
1. током. 2. Напряжением. 3. сопротивлением
Как называют выводы полевого транзистора
коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.
Как связаны выходной ток и управляющий сигнал в полевом транзисторе.
1. Iвых=αIвх. 2. Iвых=βIвх. 3. Iвых=Ѕ Uвх. 4. Uвых=КUвх
Чем в полевом транзисторе с р-п переходом затвор отделен от канала.
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком. 4. Полупроводником.
Чем в полевом транзисторе с индуцированным каналом затвор отделен от канала.
р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком. 4. Полупроводником.
Из какого материала выполнен затвор в полевом транзисторе с р - n переходом
1. Металла. 2. Диэлектрика. 3. Полупроводника.
Из какого материала выполнен затвор в полевом транзисторе с индуцированным каналом.
Металла. 2. Диэлектрика. 3. Полупроводника.
Показать условное обозначение полевого транзистора с управляющим р - n переходом и n –каналом (рис. 3.1).
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение полевого транзистора с управляющим р - n переходом и р –каналом (рис. 3.1).
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом (рис. 3.1).
2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом (рис. 3.1).
2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом (рис. 3.1).
2
.
3. 4. 5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом (рис. 3.1).
2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Принцип работы полевого транзистора с р- n переходом состоит в:
зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
зависимости длины канала от управляющего напряжения.
Принцип работы полевого МДП транзистора с встроенным каналом состоит в:
зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
зависимости длины канала от управляющего напряжения.
Принцип работы полевого МДП транзистора с индуцированным каналом состоит в:
зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
зависимости длины канала от управляющего напряжения.
Рабочим режимом работы полевого транзистора с р- n переходом является режим когда:
р- n переход смещен в прямом направлении. 2. р- n переход смещен в обратном направлении. 3. Напряжение на нем равно нулю.
В каких режимах может работать полевого МДП транзистора с встроенным каналом.
обогащения. 2. Обеднения. 3. 1 и 2. 4. Когда р- n переход смещен в прямом направлении.
В каких режимах может работать полевого МДП транзистора с индуцированным каналом.
обогащения. 2. Обеднения. 3. 1 и 2. 4. Когда р- n переход смещен в прямом направлении
Какие носители заряда канала создают выходной ток полевого транзистора.
Т
олько
электроны. 2. Только дырки. 3. 1 или 2. 4.
Основные. 5. Неосновные.
На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область насыщения.
2. 3.
На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область пробоя.
2. 3.
На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область, где полевой транзистор работает как, переменное сопротивление (крутая область).
2. 3.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) n-канального полевого транзистора с р- n переходом.
2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) полевого р-канального транзистора с р- n переходом.
2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом.
2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом .
2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом.
2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом.
2. 3. 4. 5. 6.
При напряжении отсечки ток стока равен.
Iс=0. 2. Iс =Iс нас. 3. Iс= Iс.нас/2.
При напряжении насыщения ток стока равен.
Iс=0. 2. Iс =Iс нас. 3. Iс= Iс нас/2.
При напряжении отсечки смыкание канала происходит:
У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора.
При напряжении насыщении смыкание канала происходит:
У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора
При напряжении сток-исток Uси (Uси нас < Uси <Uси мах) смыкание канала происходит:
У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора.
Какова ширина проводящей части канала полевого транзистора по его длине, когда Uси = 0.
одинакова. 2. Он сужен к истоку. 3. Он сужен в стоку. 4. Он сужен к затвору.
Какова ширина проводящей части канала полевого транзистора по его длине, когда Uси > 0.
одинакова. 2. Он сужен к истоку. 3. Он сужен в стоку. 4. Он сужен к затвору.
Для какой цели можно использовать полевой транзистор, работая на начальном (крутом) участке выходной ВАХ.
усиления. 2. Выпрямления. 3. Для частотной избирательности. 4. Как переменный резистор.
Каков механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с встроенным каналом.
дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
Каков механизм движения зарядов в полевом транзисторе с р-n переходом.
дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
Чем ограничены частотные свойства полевых транзисторов.
1. механизмом движения зарядов. 2. Паразитными емкостыми. 3. Частотными свойствами источника сигнала.
Каков механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с индуцированным каналом.
1. дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.